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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4914BDY-T1-E3 | - - - |  | 6821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4914 | MOSFET (Metalloxid) | 2.7W, 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 8.4a, 8a | 21mohm @ 8a, 10V | 2,7 V @ 250 ähm | 10.5nc @ 4,5V | - - - | - - - | ||||||||||
 | SI5509DC-T1-E3 | - - - | | 6333 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5509 | MOSFET (Metalloxid) | 4.5W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 6.1a, 4,8a | 52mohm @ 5a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 6.6nc @ 5v | 455PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SQJ208EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 9567 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ208 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC), 48W (TC) | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 20A (TC), 60A (TC) | 9,4mohm @ 6a, 10 V, 3,9Mohm @ 10a, 10 V. | 2,3 V @ 250 µA, 2,4 V @ 250 µA | 33nc @ 10v, 75nc @ 10v | 1700pf @ 25v, 3900pf @ 25v | - - - | ||||||||||
 | SUM110N06-3M4L-E3 | - - - | | 9202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3.4mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 300 NC @ 10 V. | ± 20 V | 12900 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 375W (TC) | |||||||
 | SQJ418EP-T1_GE3 | 1.1800 | | 25 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ418 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 48a (TC) | 10V | 14mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||||
 | IRFBC40Assrr | - - - | | 7947 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||||
 | SI7366DP-T1-E3 | - - - | | 4870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7366 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 25 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.7W (TA) | ||||||||
 | SIHP15N60E-E3 | 1.5582 | | 7050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP15 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP15N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 30 v | 1350 PF @ 100 V | - - - | 180W (TC) | |||||||
 | IRFI9630G | - - - | | 2507 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9630 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi9630g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 4.3a (TC) | 10V | 800 MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||||
 | SI2399DS-T1-GE3 | 0,5100 | | 4257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2399 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 34mohm @ 5.1a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 20 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 835 PF @ 10 V. | - - - | 2,5 W (TC) | |||||||
 | SI5440DC-T1-GE3 | - - - | | 4577 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5440 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19mohm @ 9.1a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 10 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,3 W (TC) | |||||||
 | SIS9446DN-T1-GE3 | 1.2800 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | MOSFET (Metalloxid) | 2,6 W (TA), 23 W (TC) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal | 40V | 11,3a (TA), 34a (TC) | 1,2 MOHM @ 10a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 16nc @ 10v | 720PF @ 20V | Standard | |||||||||||
 | SIHFR9310-GE3 | 0,3091 | | 3932 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIHFR9310 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFR9310-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 400 V | 1,8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||
 | SIS407DN-T1-GE3 | 1.0000 | | 60 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS407 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 25a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 9,5 MOHM @ 15,3A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 93.8 NC @ 8 V. | ± 8 v | 2760 PF @ 10 V | - - - | 3.6W (TA), 33W (TC) | ||||||||
| SI7802DN-T1-E3 | - - - | | 3425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7802 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 1.24a (TA) | 6 V, 10V | 435MOHM @ 1,95A, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||||
 | Sqs460enw-t1_ge3 | 0,8900 | | 5409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS460 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 36mohm @ 5.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 755 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | ||||||||
 | SISS04DN-T1-GE3 | 1.5400 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS04 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50,5a (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,2 Mohm @ 15a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 93 NC @ 10 V | +16 V, -12v | 4460 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||||
 | SIB457EDK-T1-GE3 | 0,5500 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB457 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 4,5 v | 35mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 44 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | |||||||||
 | SIR826LDP-T1-RE3 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR826LDP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 21,3a (TA), 86a (TC) | 10V | 5mohm @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 91 nc @ 10 v | ± 20 V | 3840 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 83W (TC) | |||||||
| 2N4339-E3 | - - - | | 8037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4339 | 300 MW | To-206aa (to-18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 7pf @ 15V | 50 v | 500 µa @ 15 V | 600 mv @ 100 na | |||||||||||||
| SQM40020E_GE3 | 2.4400 | | 5592 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM40020 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 2,33 MOHM @ 20A, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 8000 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||
| IRFPS38N60L | - - - | | 1105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | IRFPS38 | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 150 MOHM @ 23A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 320 NC @ 10 V | ± 30 v | 7990 PF @ 25 V. | - - - | 540W (TC) | |||||||
 | IRFR420PBF-BE3 | 0,7513 | | 1006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 742-IRFR420PBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||||||
| SI9933BDY-T1-E3 | - - - | | 3154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9933 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3.6a | 60mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 9nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SIA444DJT-T1-GE3 | - - - | | 6755 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA444 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 7.4a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 560 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | ||||||||
 | SI1902DL-T1-E3 | 0,5300 | | 8479 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 660 Ma | 385mohm @ 660 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,2nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SIR516DP-T1-RE3 | 1.8200 | | 7193 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 16,8a (TA), 63,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 1920 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 71,4W (TC) | |||||||||
| SIHP14N50D-GE3 | 1.4464 | | 6015 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP14 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 14a (TC) | 10V | 400mohm @ 7a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 30 v | 1144 PF @ 100 V | - - - | 208W (TC) | ||||||||
| SQ2351CE-T1_GE3 | - - - | | 3292 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 742-SQ2351CE-T1_GE3TR | 1 | P-Kanal | 20 v | 3.2a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 115mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 5,5 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 330 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TC) | |||||||||||
| IRF614STRRPBF | 1.0272 | | 6477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF614 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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