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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFL210TRPBF | 0,8800 |  | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl210 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 960 Ma (TC) | 10V | 1,5OHM @ 580 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | IRF644PBF | 1.7300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF644 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF644PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||
 | IRFR320PBF-BE3 | 0,8122 | | 2731 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR320 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 742-IRFR320PBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1,8OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||
| IRF530PBF | 1.4000 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF530PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | ||||
 | IRF9630L | - - - | | 9275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF9630 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9630L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 6,5a (TC) | 10V | 800 MOHM @ 3,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||
 | IRFR9014NTR | - - - | | 1970 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | IRFU9120PBF | 1.7700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9120 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU9120PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| IRFR9210PBF | 1.3500 | | 526 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 200 v | 1,9a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SI3493DV-T1-E3 | - - - | | 7447 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 32 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.1W (TA) | |||||
 | SI7214DN-T1-GE3 | - - - | | 2696 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7214 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4.6a | 40mohm @ 6.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 6,5nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI1034X-T1-GE3 | 0,4600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1034 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 180 ma | 5OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 0,75nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI7866ADP-T1-E3 | - - - | | 5378 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7866 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,4 MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 125 NC @ 10 V | ± 20 V | 5415 PF @ 10 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | IRF634NSPBF | - - - | | 3955 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF634 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF634NSPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 8a (TC) | 10V | 435mohm @ 4,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 620 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 88W (TC) | |||
 | IRFI740GLCPBF | 3.8900 | | 658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI740 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI740GLCPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 5.7a (TC) | 10V | 550Mohm @ 3.4a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||
| SI7382DP-T1-E3 | - - - | | 3953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7382 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 14a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,7mohm @ 24a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
| IRFBC30L | - - - | | 9673 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBC30L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 660 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | SI4840DY-T1-E3 | - - - | | 2986 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4840 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | 28 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,56W (TA) | |||||
| IRF9620 | - - - | | 2169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9620 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9620 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 3,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||
| Irf644n | - - - | | 2838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF644 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irf644n | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 8.4a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 20 V | 1060 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
| IRFR9020TRL | - - - | | 2067 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 9,9a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | ||||
 | SISF04DN-T1-GE3 | 1.3400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8SCD | SISF04 | MOSFET (Metalloxid) | 5.2W (TA), 69,4W (TC) | Powerpak® 1212-8SCD | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742 SFISF04DN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 30V | 30a (TA), 108a (TC) | 4mohm @ 7a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 60nc @ 10v | 2600PF @ 15V | - - - | ||||||
| Irfbe20Strl | - - - | | 8004 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfbe20 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 800 V | 1,8a (TC) | 10V | 6,5OHM @ 1,1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 530 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||||
 | SIDR622DP-T1-RE3 | 2.5200 | | 8110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIDR622DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 64,6a (TA), 56,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 17,7 MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1516 PF @ 75 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | ||||||
| SI3424DV-T1-GE3 | - - - | | 8248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3424 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 28mohm @ 6.7a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
 | SQS181LNW-T1_GE3 | 1.1200 | | 20 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 v | 44a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 2771 PF @ 25 V. | - - - | 119W (TC) | ||||||
 | 2N7002E-T1-GE3 | 0,4100 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | To-236 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 240 mA (TA) | 10V | 3OHM @ 250 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 21 PF @ 5 V | - - - | 350 MW (TA) | ||||
| SI9933CDY-T1-E3 | 0,6300 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9933 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4a | 58mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 665PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||
| SI4124DY-T1-GE3 | 2.0800 | | 6780 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4124 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 20,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 14A, 10V | 3v @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 3540 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
| SQ4946EY-T1-E3 | - - - | | 1629 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4946 | MOSFET (Metalloxid) | 2.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 4,5a | 55mohm @ 4,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 30nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFPC50PBF | 6.4000 | | 6698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPC50PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 600mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 180W (TC) |
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