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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIDR622DP-T1-RE3 | 2.5200 |  | 8110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIDR622DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 64,6a (TA), 56,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 17,7 MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1516 PF @ 75 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | ||||||
 | SI4200DY-T1-GE3 | - - - | | 5117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4200 | MOSFET (Metalloxid) | 2.8W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 8a | 25mo @ 7.3a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 415PF @ 13V | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRL540PBF-BE3 | 2.5100 | | 995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRL540PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 77mohm @ 17a, 5V | 2v @ 250 ähm | 64 NC @ 5 V | ± 10 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||
| SI4421DY-T1-GE3 | 2.4800 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4421 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 10a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 8,75 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 800 MV @ 850 ähm | 125 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SQJ160EP-T1_GE3 | 1.9300 | | 5784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ160EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 362a (TC) | 10V | 2mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 119 NC @ 10 V | ± 20 V | 6697 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | |||||
 | SI5905BDC-T1-E3 | - - - | | 6081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5905 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | 4a | 80MOHM @ 3,3A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11nc @ 8v | 350pf @ 4v | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIA443DJ-T1-GE3 | - - - | | 7594 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA443 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 45mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 25 NC @ 8 V | ± 8 v | 750 PF @ 10 V | - - - | 3.3W (TA), 15W (TC) | ||||
 | Siz720dt-T1-GE3 | 0,6395 | | 1017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Siz720 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 48W | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 20V | 16a | 8.7mohm @ 16.8a, 10V | 2v @ 250 ähm | 23nc @ 10v | 825PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI4534DY-T1-GE3 | 1.4100 | | 3233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4534 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA), 3,6 W (TC) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SI4534DY-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 60 v | 6,2a (TA), 8a (TC), 3A (TA), 4,1a (TC) | 29MOHM @ 5A, 10V, 120 MOHM @ 3,1A, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 10v, 22nc @ 10v | 420pf @ 30v, 650pf @ 30v | - - - | ||||||
 | SIHB22N60EL-GE3 | 2.2344 | | 2818 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 197mohm @ 11a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 74 NC @ 10 V | ± 30 v | 1690 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | ||||||
| SI4202DY-T1-GE3 | 1.3900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4202 | MOSFET (Metalloxid) | 3.7W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 12.1a | 14mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 17nc @ 10v | 710PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHFL110TR-BE3 | 0,6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SIHFL110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFL110TR-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1,5a (TC) | 540MOHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||||
 | SIR106DP-T1-RE3 | 1.7800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir106 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 16,1a (TA), 65,8a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8mohm @ 15a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 3610 PF @ 50 V | - - - | 3,2 W (TA), 83,3W (TC) | |||||
 | SUP85N02-03-E3 | - - - | | 3975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 20 v | 85a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 3mohm @ 30a, 4,5 V. | 450 mV @ 2MA (min) | 200 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 21250 PF @ 20 V | - - - | 250 W (TC) | ||||
 | VQ1004P-E3 | - - - | | 3635 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | - - - | - - - | VQ1004 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - - - | 830 Ma (TA) | 5v, 10V | - - - | - - - | ± 20 V | - - - | - - - | |||||||
| IRF830aStrl | - - - | | 6793 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| Sira84BDP-T1-GE3 | 0,5000 | | 1284 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira84 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 22A (TA), 70A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | +20V, -16v | 1050 PF @ 15 V | - - - | 3.7W (TA), 36W (TC) | |||||
 | IRFP450LC | - - - | | 3800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP450 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP450LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 14a (TC) | 10V | 400mohm @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 74 NC @ 10 V | ± 30 v | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
 | SISS67DN-T1-GE3 | 1.1000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS67 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 111 NC @ 10 V | ± 25 V | 4380 PF @ 15 V | - - - | 65,8W (TC) | |||||
| SI4038DY-T1-GE3 | - - - | | 8417 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4038 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 42,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,4 MOHM @ 15a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 87 NC @ 10 V | ± 20 V | 4070 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | |||||
 | SIHFR9220-GE3 | 0,8400 | | 6221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||||
 | SQP120N06-3M5L_GE3 | - - - | | 1739 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP120 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 330 NC @ 10 V | ± 20 V | 14700 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | ||||||
| IRFPF50 | - - - | | 7259 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPF50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRFPF50 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 900 V | 6.7a (TC) | 10V | 1,6OHM @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | ± 20 V | 2900 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | ||||
| IRLZ14STRRPBF | 0,9357 | | 8075 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SQJ980AEP-T1_GE3 | 1.3100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ980 | MOSFET (Metalloxid) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 75 V | 17a (TC) | 50MOHM @ 3,8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21nc @ 10v | 790PF @ 35V | - - - | |||||||
 | SQS415ENW-T1_GE3 | 1.0700 | | 3211 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS415 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16.1MOHM @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 82 NC @ 10 V | ± 20 V | 4825 PF @ 25 V. | - - - | 62,5W (TC) | |||||
| IRFP340 | - - - | | 1379 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP340 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP340 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 400 V | 11a (TC) | 10V | 550MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | Irfuc20 | - - - | | 9823 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Irfuc20 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFUC20 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4,4ohm @ 1,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
| IRF644Strr | - - - | | 6443 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF644 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| SIR774DP-T1-GE3 | - - - | | 3000 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Sir774 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 32A (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10 V. | ± 20 V |
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