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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1046X-T1-GE3 | - - - |  | 1821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | SI1046 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 606 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 420mohm @ 606 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 1,49 NC @ 5 V. | ± 8 v | 66 PF @ 10 V. | - - - | 250 MW (TA) | ||||
 | IRFR9010TRPBF | 1.0600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 50 v | 5.3a (TC) | 10V | 500MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 9.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 240 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||||
 | Siz710dt-T1-GE3 | 1.4900 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Siz710 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 48W | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 20V | 16a, 35a | 6,8 MOHM @ 19A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 18nc @ 10v | 820pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||
 | SUD19P06-60L-E3 | 1.3200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud19 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 19A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 60MOHM @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1710 PF @ 25 V | - - - | 2,7W (TA), 46W (TC) | |||||
 | IRF734PBF | - - - | | 7243 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF734 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF734PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 450 V | 4,9a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 680 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||
 | IRF830ALPBF | 2.3800 | | 385 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF830ALPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| IRFR210PBF | 1.1700 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 200 v | 2.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SI7440DP-T1-GE3 | - - - | | 2964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7440 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 21A, 10V | 3v @ 250 ähm | 35 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | SIA936EDJ-T1-GE3 | - - - | | 3349 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia936 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 34mohm @ 4a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 17nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRL640Strr | - - - | | 9432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 180Mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 66 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SISH625DN-T1-GE3 | 0,6300 | | 8685 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH625 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 17.3a (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 20 V | 4427 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SQD15N06-42L_T4GE3 | 0,9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD15N06-42L_T4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 535 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | ||||||
 | SIHG35N60E-GE3 | 6.6700 | | 4693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG35 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 32a (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 132 NC @ 10 V | ± 30 v | 2760 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SI5904DC-T1-E3 | - - - | | 9801 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5904 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 3.1a | 75mohm @ 3,1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 6nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SQD25N15-52_GE3 | 3.8600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 150 v | 25a (TC) | 10V | 52mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 107W (TC) | |||||
| IRFP460LCPBF | 5.3900 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP460 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP460LCPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270 MOHM @ 12A, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 3600 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | ||||
| IRF9510PBF | 1.1100 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9510 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF9510PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 4a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | ||||
 | Irfibc20g | - - - | | 2867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFIBC20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfibc20g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 1.7a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | |||
 | SI1016CX-T1-GE3 | 0,4700 | | 1941 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1016 | MOSFET (Metalloxid) | 220 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | - - - | 396MOHM @ 500 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 2nc @ 4,5V | 43pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFR9020TR | - - - | | 6211 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 50 v | 9,9a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | ||||
 | SIHH21N65E-T1-GE3 | 3.3167 | | 8400 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH21 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 20,3a (TC) | 10V | 170Mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 99 NC @ 10 V | ± 30 v | 2404 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | SQM120N04-1M4L_GE3 | - - - | | 6649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | SQM120N | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 120a (TC) | |||||||||||||||||||||
 | SI4922BDY-T1-E3 | 1.6000 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4922 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 16mohm @ 5a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 62nc @ 10v | 2070pf @ 15V | - - - | |||||||
 | SIA425edj-t1-GE3 | - - - | | 2797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA425 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4,5a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 60MOHM @ 4,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 12 V | - - - | 2,9W (TA), 15,6 W (TC) | |||||||
 | SQJB68EP-T1_GE3 | 0,9800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB68 | MOSFET (Metalloxid) | 27W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 11a (TC) | 92mohm @ 4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 8nc @ 10v | 280pf @ 25v | - - - | |||||||
 | SI1499DH-T1-GE3 | 0,6700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1499 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 1,6a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 78mohm @ 2a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 5 V | 650 PF @ 4 V. | - - - | 2,5 W (TA), 2,78W (TC) | ||||
 | IRFL9014TRPBF-BE3 | 0,9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IRFL9014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 1,8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1,1a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||||
| IRF740A | - - - | | 6797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF740A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 30 v | 1030 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||
| SIB900EDK-T1-GE3 | - - - | | 2706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6L Dual | SIB900 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | Powerpak® SC-75-6L Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 1,5a | 225mohm @ 1,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 1,7nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| IRF9620PBF | 1.6800 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9620 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF9620PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 3,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) |
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Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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