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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQ1420EH-T1-GE3 | - - - |  | 2902 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1420 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 1,6a (TC) | 140 MOHM @ 1,2A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 4 NC @ 4,5 V. | 215 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||
 | SI4511DY-T1-E3 | - - - | | 3529 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4511 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 20V | 7.2a, 4,6a | 14,5 MOHM @ 9,6A, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 18nc @ 4,5 v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI7411DN-T1-E3 | - - - | | 5353 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7411 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7.5a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 19mohm @ 11.4a, 4,5 V. | 1V @ 300 ähm | 41 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SI4834CDY-T1-GE3 | - - - | | 5791 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4834 | MOSFET (Metalloxid) | 2.9W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 20mohm @ 8a, 10V | 3V @ 1ma | 25nc @ 10v | 950pf @ 15V | - - - | |||||||
| SI4965DY-T1-E3 | - - - | | 4814 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4965 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 8v | - - - | 21mohm @ 8a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 55nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI1557DH-T1-E3 | - - - | | 4689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1557 | MOSFET (Metalloxid) | 470 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 12V | 1,2a, 770 Ma | 235mohm @ 1,2a, 4,5 V. | 1 V @ 100 µA | 1,2nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI5418DU-T1-GE3 | 1.3200 | | 659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5418 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14,5 MOHM @ 7,7A, 10V | 3v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1350 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||
 | IRFI9634GPBF | 3.0900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9634 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9634GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 250 V | 4.1a (TC) | 10V | 1OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 680 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||
 | SIA427ADJ-T1-GE3 | 0,5500 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA427 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 12a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 16mohm @ 8.2a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 50 nc @ 5 v | ± 5 V | 2300 PF @ 4 V. | - - - | 19W (TC) | |||||
 | SQJ411EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ411 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 60a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 5,8 MOHM @ 15a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 9100 PF @ 6 V | - - - | 68W (TC) | |||||
 | 2N6661 | - - - | | 9123 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6661 | MOSFET (Metalloxid) | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 90 v | 860 mA (TC) | 5v, 10V | 4OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | IRF640SPBF | 2.2000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | |||||
 | SI7465DP-T1-E3 | 1.3200 | | 51 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7465 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 3.2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 64mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | IRFP354PBF | - - - | | 8209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP354 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP354PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 450 V | 14a (TC) | 10V | 350MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
 | IRFD213 | - - - | | 8274 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD213 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 450 Ma (TA) | 2OHM @ 270 Ma, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||||||
| SI7430DP-T1-E3 | 3.0100 | | 1605 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7430 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 26a (TC) | 8 V, 10V | 45mohm @ 5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 1735 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 64W (TC) | |||||
| IRFD120 | - - - | | 6501 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD120 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1,3a (ta) | 10V | 270 MOHM @ 780 Ma, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | ||||
| IRF9540STRLPBF | 2.9500 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | SI5906DU-T1-GE3 | - - - | | 9745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5906 | MOSFET (Metalloxid) | 10.4W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6a | 31mohm @ 4,8a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 8.6nc @ 10v | 300PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQM30010EL_GE3 | 2.9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM30010 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 30 v | 120a (TC) | 10V | 1,35 MOHM @ 40A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 450 NC @ 10 V | ± 20 V | 28000 PF @ 15 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | IRC640PBF | - - - | | 9424 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-5 | IRC640 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRC640PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | Stromerkennung | 125W (TC) | |||
| SI7107DN-T1-E3 | - - - | | 7746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7107 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9,8a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 10,8 MOHM @ 15.3A, 4,5 V. | 1V @ 450 ähm | 44 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SUM23N15-73-E3 | - - - | | 9221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum23 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 23a (TC) | 6 V, 10V | 73mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1290 PF @ 25 V. | - - - | 3,75 W (TA), 100 W (TC) | ||||
 | SIHP33N60EF-GE3 | 6.3700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP33 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 98mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 30 v | 3454 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | |||||
 | SIA913DJ-T1-GE3 | - - - | | 2829 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia913 | MOSFET (Metalloxid) | 6.5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4,5a | 70 MOHM @ 3,3A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 12nc @ 8v | 400PF @ 6v | - - - | ||||||
 | SI7949DP-T1-E3 | 1.6400 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7949 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 3.2a | 64mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | 3N163-2 | - - - | | 5994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 3N163 | MOSFET (Metalloxid) | To-72 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | P-Kanal | 40 v | 50 mA (ta) | 20V | 250 Ohm @ 100 µA, 20V | 5 V @ 10 µA | ± 30 v | 3,5 PF @ 15 V | - - - | 375 MW (TA) | |||||
| SI4403DDY-T1-GE3 | 0,4800 | | 1630 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4403 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 15,4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 14mohm @ 9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 99 NC @ 8 V | ± 8 v | 3250 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TC) | |||||
| SIHG100N60E-GE3 | 6.5600 | | 392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG100 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 100mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 30 v | 1851 PF @ 100 V. | - - - | 208W (TC) | |||||
| SQM120N04-1m9_GE3 | 2.1090 | | 2922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 10V | 1,9 MOHM @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 270 nc @ 10 v | ± 20 V | 8790 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) |
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Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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