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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfz14l | - - - |  | 8748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irfz14 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *Irfz14l | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | ||||
 | IRFR224 | - - - | | 1277 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR224 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR224 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | SI7384DP-T1-GE3 | - - - | | 3167 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7384 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8,5 MOHM @ 18A, 10V | 3v @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | ||||||
 | SI6467BDQ-T1-E3 | - - - | | 4235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6467 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 6.8a (ta) | 12,5 MOHM @ 8A, 4,5 V. | 850 MV @ 450 ähm | 70 NC @ 4,5 V. | - - - | |||||||||
 | IRFP9240PBF | 3.2300 | | 8947 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP9240 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP9240PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | P-Kanal | 200 v | 12a (TC) | 10V | 500mohm @ 7.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
| IRFPF40 | - - - | | 2484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPF40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPF40 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 900 V | 4.7a (TC) | 10V | 2,5OHM @ 2,8a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | Sizf5302DT-T1-RE3 | 1.7500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 12-Powerpair ™ | Sizf5302 | MOSFET (Metalloxid) | 3,8 W (TA), 48,1W (TC) | PowerPair® 3x3fs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-Sizf5302dt-t1-re3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 28.1a (TA), 100A (TC) | 3,2 MOHM @ 10a, 10V | 2v @ 250 ähm | 22.2nc @ 10v | 1030pf @ 15V | - - - | ||||||
 | IRF530S | - - - | | 4348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF530 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF530S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||
| SI6463BDQ-T1-GE3 | - - - | | 3319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6463 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6.2a (ta) | 15mohm @ 7,4a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 60 NC @ 5 V | - - - | |||||||||
| SIR804DP-T1-GE3 | 2.8500 | | 6593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir804 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.2Mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 76 NC @ 10 V | ± 20 V | 2450 PF @ 50 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI7121DN-T1-GE3 | 1.3200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7121 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 25 V | 1960 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SQ1470EH-T1-GE3 | - - - | | 8977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1470 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2.8a (TC) | 65mohm @ 3,8a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 6,6 NC @ 4,5 V. | 610 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||
 | SI2304BDS-T1-E3 | 0,4700 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2304 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2.6a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 70 MOHM @ 2,5a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 4 NC @ 5 V. | ± 20 V | 225 PF @ 15 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | IRFU9214 | - - - | | 6779 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU9214 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 220 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||
| SI7882DP-T1-E3 | - - - | | 9527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7882 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 13a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 5,5 MOHM @ 17A, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,9W (TA) | |||||
| IRFP440PBF | 3.3700 | | 356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP440 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP440PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 8.8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
| SQJA20EP-T1_GE3 | 1.4700 | | 8858 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja20 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 22,5a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 50mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | IRFB16N60LPBF | - - - | | 9786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB16 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFB16N60LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 460MOHM @ 9A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 30 v | 2720 PF @ 25 V | - - - | 310W (TC) | |||
 | IRFBF30STRLPBF | 3.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBF30 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3,7OHM @ 2,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
| SI7322DN-T1-E3 | 1.7200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7322 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | - - - | 10V | 58mohm @ 5.5a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 750 PF @ 50 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
 | VP1008B | - - - | | 6699 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | VP1008 | MOSFET (Metalloxid) | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | P-Kanal | 100 v | 790 Ma (TA) | 10V | 5ohm @ 1a, 10V | 4,5 V @ 1ma | ± 20 V | 150 PF @ 25 V. | - - - | 6.25W (TA) | |||||
| SUP60N10-18P-E3 | - - - | | 7050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 8 V, 10V | 18.3mohm @ 15a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 2600 PF @ 50 V | - - - | 3,75W (TA), 150W (TC) | ||||
| SIR440DP-T1-GE3 | 2.0100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir440 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,55 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6000 PF @ 10 V. | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI8824EDB-T2-E1 | 0,4300 | | 34 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8824 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2.1a (ta) | 1,2 V, 4,5 V. | 75mohm @ 1a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | 400 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||
 | SI7530DP-T1-E3 | - - - | | 7254 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7530 | MOSFET (Metalloxid) | 1,4W, 1,5W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 60 v | 3a, 3,2a | 75mohm @ 4,6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | Siz320dt-T1-GE3 | 0,9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Powerpair®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz320 | MOSFET (Metalloxid) | 16.7W, 31W | 8-Power33 (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 30a (TC), 40A (TC) | 8,3 MOHM @ 8A, 10 V, 4,24 MOHM @ 10A, 10 V. | 2,4 V @ 250 ähm | 8,9nc @ 4,5V, 11,9nc @ 4,5 V | 660PF @ 12.5V, 1370PF @ 12,5V | - - - | |||||||
 | SQJ474EP-T1_BE3 | 0,9800 | | 3488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ474EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 26a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||||
 | SI1012X-T1-GE3 | 0,4500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | SI1012 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 500 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 700 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 0,75 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 250 MW (TA) | |||||
| IRFR9310TRR | - - - | | 7590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 400 V | 1,8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | SUD50N10-18P-E3 | - - - | | 5887 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 8.2a (TA), 50A (TC) | 10V | 18,5 Mohm @ 15a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 2600 PF @ 50 V | - - - | 3W (TA), 136,4W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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