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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N6661JTX02 | - - - |  | 1080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6661 | MOSFET (Metalloxid) | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 90 v | 860 mA (TC) | 5v, 10V | 4OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | SQJ444EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 9034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ444 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 5000 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | SQA405CEJW-T1_GE3 | 0,4800 | | 435 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 6-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®SC-70W-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 39,5 MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 13.6W (TC) | ||||||
 | IRF9Z14PBF-BE3 | 1.2900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9Z14 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF9Z14PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 6.7a (TC) | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | ||||||
 | SQJA70EP-T1_BE3 | 0,7500 | | 1477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJA70EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 14.7a (TC) | 10V | 95mohm @ 4a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 7 NC @ 10 V | ± 20 V | 220 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | ||||||
 | SQJB46EP-T1_GE3 | 1.2200 | | 4536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB46 | MOSFET (Metalloxid) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | 2 N-Kanal | 40V | 30a (TC) | 8mohm @ 8a, 10V | 3,3 V @ 250 ähm | 32nc @ 10v | 1800pf @ 25v | - - - | |||||||||
 | SI5435BDC-T1-E3 | - - - | | 3502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5435 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.3a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 4,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
| 2N5547JTXL01 | - - - | | 8055 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-71-6 | 2n5547 | To-71 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 40 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | SIE820DF-T1-E3 | - - - | | 2063 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (s) | Sie820 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (s) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 50a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,5 MOHM @ 18A, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 143 NC @ 10 V | ± 12 V | 4300 PF @ 10 V. | - - - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
 | SI3467DV-T1-GE3 | - - - | | 6683 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3467 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 54mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||||
 | SIHB22N60E-GE3 | 4.1200 | | 1632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHB22N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1920 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | ||||
 | SIHG050N60E-GE3 | 9.8200 | | 8120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG050 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 51a (TC) | 10V | 50mohm @ 23a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 3459 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | |||||
 | SIHD5N50D-GE3 | 1.0500 | | 1756 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd5 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | |||||
 | SI2314EDS-T1-E3 | 0,8300 | | 105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2314 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3.77a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 33mohm @ 5a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 750 MW (TA) | |||||
 | SQJ951EP-T1_GE3 | 1.6100 | | 1355 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ951 | MOSFET (Metalloxid) | 56W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 30a | 17mohm @ 7.5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 50nc @ 10v | 1680pf @ 10v | - - - | |||||||
 | SI7636DP-T1-GE3 | 1.1907 | | 4995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7636 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 17a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 5600 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
| SI7840BDP-T1-E3 | - - - | | 4615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7840 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 16.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
| IRFPC40PBF | 3.6800 | | 493 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPC40PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 6.8a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 4.1a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
 | IRFD420 | - - - | | 2976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD420 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFD420 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 500 V | 370 Ma (TA) | 10V | 3OHM @ 220 Ma, 10V | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||
| SI7460DP-T1-E3 | 2.2000 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7460 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,6 MOHM @ 18A, 10V | 3v @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | Si4386dy-e3 | 1.4000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4386 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 16a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.47W (TA) | ||||||
 | IRFU9110PBF | 1.5900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9110 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU9110PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 100 v | 3.1a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
 | SIHF6N65E-GE3 | 1.2028 | | 5949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF6 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 30 v | 820 PF @ 100 V | - - - | 31W (TC) | |||||
 | SIA417DJ-T1-GE3 | - - - | | 9100 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA417 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 12a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 23mohm @ 7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 32 NC @ 5 V. | ± 5 V | 1600 PF @ 4 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | ||||
| SIHG039N60E-GE3 | 11.1400 | | 392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG039 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 63a (TC) | 10V | 39mohm @ 32a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 30 v | 4369 PF @ 100 V | - - - | 357W (TC) | |||||
| IRFP460BPBF | 3.3700 | | 310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP460 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 250 MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 170 nc @ 10 v | ± 20 V | 3094 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | |||||
| SMM2348ES-T1-GE3 | - - - | | 9464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SMM2348 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 540 PF @ 15 V | - - - | 3W (TC) | ||||||
 | IRFB18N50K | - - - | | 2953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB18 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRFB18N50K | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 17a (TC) | 10V | 290MOHM @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 2830 PF @ 25 V. | - - - | 220W (TC) | ||||
 | Siz340DT-T1-GE3 | 0,9200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Powerpair®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz340 | MOSFET (Metalloxid) | 16.7W, 31W | 8-Power33 (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 30a, 40a | 9,5 MOHM @ 15,6a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 19nc @ 10v | 760PF @ 15V | - - - | |||||||
| IRFZ30 | - - - | | 3175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFZ30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfz30 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 50 v | 30a (TC) | 10V | 50mohm @ 16a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) |
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