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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF830BPBF-BE3 | 1.1200 |  | 33 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF830BPBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | ||||||
 | SIHFBF30S-GE3 | 1.8700 | | 933 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFBF30S-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3,7ohm bei 2,2a, 100V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||
 | SIJH5800E-T1-GE3 | 6.5400 | | 8664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 80 v | 30a (ta), 302a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 1,35 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 7730 PF @ 40 V | - - - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||||
 | IRFS11N50APBF | 2.9400 | | 445 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS11 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | |||||
 | SIS4634LDN-T1-GE3 | 0,7200 | | 5669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS4634 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 7.8a (TA), 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 420 PF @ 30 V | - - - | 3,2 W (TA), 19,8W (TC) | |||||||
 | SQ3460EV-T1_GE3 | 0,9100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3460 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1060 PF @ 10 V. | - - - | 3.6W (TC) | |||||
 | SQJB80EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 3706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB80 | MOSFET (Metalloxid) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 30a (TC) | 19Mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 32nc @ 10v | 1400pf @ 25v | - - - | |||||||
 | SI4565ADY-T1-E3 | - - - | | 1983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4565 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6,6a, 5,6a | 39mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 22nc @ 10v | 625PF @ 20V | - - - | ||||||
 | SIR178DP-T1-RE3 | 1.7200 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir178 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR178DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 100A (TA), 430a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 0,4 MOHM @ 30a, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 310 nc @ 10 v | +12 V, -8 V | 12430 PF @ 10 V. | - - - | 6.3W (TA), 104W (TC) | ||||
| SI4230DY-T1-GE3 | - - - | | 8668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4230 | MOSFET (Metalloxid) | 3.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 20,5 MOHM @ 8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 25nc @ 10v | 950pf @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
| SIR876DP-T1-GE3 | - - - | | 1737 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir876 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.8mohm @ 20a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 1640 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 62,5W (TC) | ||||
 | SQ3989ev-T1_GE3 | 0,6000 | | 2652 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3989 | MOSFET (Metalloxid) | 1.67W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 2,5a (TC) | 155mohm @ 400 mA, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 11.1nc @ 10v | - - - | - - - | |||||||
 | Irll014tr | - - - | | 2957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irll014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 2.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 1,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||
| IRF9540S | - - - | | 3034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9540S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
 | SI6443DQ-T1-GE3 | - - - | | 9713 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6443 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 8.8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 60 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1.05W (TA) | |||||
 | SI1046R-T1-GE3 | - - - | | 2205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1046 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 606 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 420mohm @ 606 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 1,49 NC @ 5 V. | ± 8 v | 66 PF @ 10 V. | - - - | 250 MW (TA) | ||||
 | SI6913DQ-T1-BE3 | 2.1400 | | 8472 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6913 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW (TA) | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI6913DQ-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4,9a (ta) | 21mohm @ 5,8a, 4,5 V. | 900 MV @ 400 ähm | 28nc @ 4,5V | - - - | - - - | |||||||
 | SIHF22N60S-E3 | - - - | | 2615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 22a (TC) | 190mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | 2810 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||||||
 | SI8461DB-T2-E1 | - - - | | 4611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8461 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 100MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 24 nc @ 8 v | ± 8 v | 610 PF @ 10 V | - - - | 780 MW (TA), 1,8W (TC) | ||||
 | IRF614L | - - - | | 2502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF614 | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF614L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||
 | IRLZ44 | - - - | | 8627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRLZ44 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRLZ44 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5v | 2v @ 250 ähm | 66 NC @ 5 V. | ± 10 V | 3300 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | Siz910dt-T1-GE3 | - - - | | 2736 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz910 | MOSFET (Metalloxid) | 48W, 100W | 8-Powerpair® (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 40a | 5.8mohm @ 20a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 40nc @ 10v | 1500pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI2312CDS-T1-BE3 | 0,3900 | | 4771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5a (ta), 6a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 31.8mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 8 v | 865 PF @ 10 V. | - - - | 1,25W (TA), 2,1W (TC) | |||||||
| SI7478DP-T1-E3 | 2.8500 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7478 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SIHP20N50E-GE3 | 2.9400 | | 5200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 19A (TC) | 10V | 184mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 92 NC @ 10 V | ± 30 v | 1640 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
| SI7386DP-T1-E3 | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7386 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 19a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | ||||||
| SI7860ADP-T1-E3 | - - - | | 9634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7860 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 16A, 10V | 3v @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
 | IRFP360LC | - - - | | 3655 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP360 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP360LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 400 V | 23a (TC) | 10V | 200mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 3400 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | |||
 | SQJA86EP-T1_BE3 | 0,9600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||||
| SI4408DY-T1-GE3 | 1.6758 | | 8886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4408 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 14a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 21A, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 32 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) |
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