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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHD7N60ET5-GE3 | 0,8080 |  | 7810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd7 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 3,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 680 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | ||||||
 | SI4650DY-T1-E3 | - - - | | 4186 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4650 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 8a | 18Mohm @ 8a, 10V | 3V @ 1ma | 40nc @ 10v | 1550pf @ 15V | - - - | ||||||
 | SI2365EDS-T1-GE3 | 0,4000 | | 7679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2365 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 32mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 36 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 1W (TA), 1,7W (TC) | |||||
 | SISA14DN-T1-GE3 | 0,6700 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa14 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | +20V, -16v | 1450 PF @ 15 V | - - - | 3,57W (TA), 26,5 W (TC) | |||||
 | SI5445BDC-T1-E3 | - - - | | 7597 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5445 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 5.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 33mohm @ 5,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 21 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
| SI4565ADY-T1-GE3 | - - - | | 8321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4565 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6,6a, 5,6a | 39mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 22nc @ 10v | 625PF @ 20V | - - - | ||||||
 | SIHD6N62ET1-GE3 | 0,6924 | | 9883 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd6 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 620 v | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 30 v | 578 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | ||||||
| SI4646DY-T1-E3 | - - - | | 3820 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4646 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1790 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 6,25 W (TC) | ||||
 | IRFB9N65APBF-BE3 | 2.8500 | | 863 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFB9N65APBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 8.5a (TC) | 930mohm @ 5.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 30 v | 1417 PF @ 25 V. | - - - | 167W (TC) | ||||||
| SQ4431EY-T1_GE3 | 1.0300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4431 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 10.8a (TC) | 10V | 30mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1265 PF @ 15 V | - - - | 6W (TC) | |||||
 | IRFP22N60K | - - - | | 1857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP22 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 22a (TC) | 10V | 280mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3570 PF @ 25 V. | - - - | 370W (TC) | ||||
 | SI5458DU-T1-GE3 | 0,2284 | | 3940 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5458 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 41mohm @ 7.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 325 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 10,4W (TC) | |||||
| SI5463EDC-T1-E3 | - - - | | 7368 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5463 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.8a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 62mohm @ 4a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 15 NC @ 4,5 V | ± 12 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||
 | SI3552DV-T1-GE3 | 0,8300 | | 553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3552 | MOSFET (Metalloxid) | 1.15W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 2.5a | 105mohm @ 2,5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 3.2nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHP15N60E-Be3 | 2.9500 | | 977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 30 v | 1350 PF @ 100 V | - - - | 180W (TC) | |||||||
 | SQ1922EH-T1_GE3 | 0,4900 | | 480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1922 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 840 mA (TC) | 350MOHM @ 400 Ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,2nc @ 4,5 V | 50pf @ 10v | - - - | |||||||
 | SIR690DP-T1-RE3 | 0,7316 | | 3012 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir690 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 34,4a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 35mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 1935 PF @ 100 v | - - - | 104W (TC) | ||||||
 | SQ4182EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4182 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 32a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,8 MOHM @ 14A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 5400 PF @ 15 V | - - - | 7.1W (TC) | ||||||
 | SIA413ADJ-T1-GE3 | 0,9200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA413 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Single | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 12a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 29mohm @ 6.7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 57 NC @ 8 V | ± 8 v | 1800 PF @ 10 V. | - - - | 19W (TC) | ||||||
 | SI3460DDV-T1-BE3 | 0,4400 | | 8960 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3460DDV-T1-BE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6,2a (TA), 7,9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 28mohm @ 5.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 8 V | ± 8 v | 666 PF @ 10 V. | - - - | 1,7W (TA), 2,7W (TC) | ||||||
| 2N5547JTXV01 | - - - | | 3922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-71-6 | 2n5547 | To-71 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | SI6562CDQ-T1-BE3 | 1.0200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6562 | MOSFET (Metalloxid) | 1,1W (TA), 1,6W (TC), 1,2W (TA), 1,7W (TC) | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI6562CDQ-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 5,7a (TA), 6,7a (TC), 5,1a (TA), 6,1a (TC) | 22MOHM @ 5,7A, 4,5 V, 30MOHM @ 5,1A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v, 51nc @ 10v | 850pf @ 10v, 1200pf @ 10v | - - - | |||||||
| SIHW73N60E-GE3 | 6.6456 | | 1202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHW73 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 480 | N-Kanal | 600 V | 73a (TC) | 10V | 39mohm @ 36a, 10V | 4v @ 250 ähm | 362 NC @ 10 V | ± 20 V | 7700 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
 | SIHP17N60D-GE3 | 1.7493 | | 7824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 17a (TC) | 10V | 340Mohm @ 8a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 30 v | 1780 PF @ 100 V | - - - | 277,8W (TC) | |||||
 | Sira14DP-T1-GE3 | 0,6900 | | 8431 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira14 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 58a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | +20V, -16v | 1450 PF @ 15 V | - - - | 3,6 W (TA), 31,2W (TC) | |||||
 | IRFU9020PBF | 1.8900 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9020 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU9020PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 50 v | 9,9a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | ||||
| IRFR014TRPBF-BE3 | 1.0000 | | 155 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFR014TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
| SI5511DC-T1-GE3 | - - - | | 3247 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5511 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W, 2.6W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 4a, 3,6a | 55mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 7.1nc @ 5v | 435PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIE810DF-T1-GE3 | 3.4500 | | 9670 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie810 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 1,4 Mohm @ 25a, 10V | 2v @ 250 ähm | 300 NC @ 10 V. | ± 12 V | 13000 PF @ 10 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SQJ560EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ560 | MOSFET (Metalloxid) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 60 v | 30a (TC), 18a (TC) | 12mohm @ 10a, 10 V, 52,6 Mohm @ 10a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v, 45nc @ 10v | 1650pf @ 25v | - - - |
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