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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1413DH-T1-E3 | - - - |  | 8421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1413 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.3a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 115mohm @ 2,9a, 4,5 V. | 800 mV @ 100 µA | 8,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 1W (TA) | |||||
 | SIHB33N60ET1-GE3 | 6.1800 | | 2691 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB33 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 99mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3508 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | ||||||
 | SI4816DY-T1-E3 | - - - | | 6633 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4816 | MOSFET (Metalloxid) | 1W, 1,25W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 5.3a, 7.7a | 22mohm @ 6.3a, 10V | 2v @ 250 ähm | 12nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHF9540PBF | - - - | | 7246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Rohr | Aktiv | SIHF9540 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||
 | SISA18DN-T1-GE3 | - - - | | 8649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa18 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 38,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 1000 PF @ 15 V | - - - | 3,2 W (TA), 19,8W (TC) | ||||
| SI4836DY-T1-GE3 | - - - | | 2498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4836 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 12 v | 17a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 3mohm @ 25a, 4,5 V. | 400 MV @ 250 um (min) | 75 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) | |||||
 | SI7858ADP-T1-E3 | 2.7500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7858 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 20a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 2,6 MOHM @ 29A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 80 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 5700 PF @ 6 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | IRF740LCPBF-BE3 | 3.0300 | | 987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF740LCPBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||
| SIHFB11N50A-E3 | 1.6861 | | 9439 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHFB11 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | ||||||
 | SIHFR1N60A-GE3 | 1.0000 | | 2762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihfr1 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 229 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | ||||||
| SIRC18DP-T1-GE3 | 1.3600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIRC18 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,1 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 111 NC @ 10 V | +20V, -16v | 5060 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 54.3W (TC) | |||||
 | SI6943BDQ-T1-E3 | - - - | | 7976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6943 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 2.3a | 80MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 10nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4668DY-T1-E3 | - - - | | 9051 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4668 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 16,2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 16 v | 1654 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
| SI4858DY-T1-GE3 | - - - | | 2808 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4858 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.25MOHM @ 20A, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 40 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
| SI4840DY-T1-GE3 | - - - | | 5992 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4840 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | 28 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,56W (TA) | |||||
| SI4818DY-T1-GE3 | - - - | | 1534 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4818 | MOSFET (Metalloxid) | 1W, 1,25W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5.3a, 7a | 22mohm @ 6.3a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 12nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI8817DB-T2-E1 | 0,4700 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA | SI8817 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.1a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 76mohm @ 1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 19 NC @ 8 V | ± 8 v | 615 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||
| SIHFB20N50K-E3 | 3.2369 | | 2601 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHFB20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 250 Mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 2870 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | ||||||
 | SI7252DP-T1-GE3 | 2.1700 | | 5432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7252 | MOSFET (Metalloxid) | 46W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 36.7a | 18mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 27nc @ 10v | 1170PF @ 50V | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFPE40PBF | 4.3900 | | 7904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPE40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPE40PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 2OHM @ 3.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
| SI4838DY-T1-GE3 | 1.5641 | | 2872 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4838 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 12 v | 17a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3mohm @ 25a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 60 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
| SIHG24N65E-E3 | 3.8346 | | 8861 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG24 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHG24N65EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2740 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||
 | SIHD6N65ET5-GE3 | 0,7371 | | 8030 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd6 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 30 v | 820 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | ||||||
| SI7994DP-T1-GE3 | 3.7000 | | 1087 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7994 | MOSFET (Metalloxid) | 46W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 60a | 5.6mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 80nc @ 10v | 3500PF @ 15V | - - - | |||||||
 | SIR5108DP-T1-RE3 | 1.5700 | | 5133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir5108 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 15,4a (TA), 55,9a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 7.45MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 1150 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 65,7W (TC) | ||||||
 | SQJ912DEP-T1_GE3 | 1.0500 | | 2950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ912 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 30a (TC) | 7.3mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 36nc @ 10v | - - - | - - - | ||||||
| IRL620Strr | - - - | | 5318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 4 V, 10V | 800MOHM @ 3.1a, 10V | 2v @ 250 ähm | 16 NC @ 5 V | ± 10 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SIHFPS40N60K-GE3 | 7.2200 | | 562 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHFPS40N60K-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 40a (TC) | 10V | 130mohm @ 24a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 330 NC @ 10 V | ± 30 v | 7970 PF @ 25 V. | - - - | 570W (TC) | |||||
 | SQJ244EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ244 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC), 48W (TC) | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 40V | 20A (TC), 60A (TC) | 11MOHM @ 4A, 10V, 4,5 Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v, 45nc @ 10v | 1200pf @ 25v, 2800pf @ 25v | - - - | |||||||
 | SI5935DC-T1-E3 | - - - | | 5810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5935 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3a | 86mohm @ 3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 8,5nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor |
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