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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7190DP-T1-GE3 | 2.0400 |  | 4001 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7190 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 18,4a (TC) | 6 V, 10V | 118mohm @ 4.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 2214 PF @ 125 V. | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
 | SQ1902AEL-T1_GE3 | - - - | | 6841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SQ1902 | MOSFET (Metalloxid) | 430 MW | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 780 Ma (TC) | 415mohm @ 660 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,2nc @ 4,5 V | 75PF @ 10V | - - - | ||||||||
| SI7457DP-T1-GE3 | - - - | | 5811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7457 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 6 V, 10V | 42mohm @ 7.9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 5230 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 83,3W (TC) | ||||
 | SI4942DY-T1-GE3 | - - - | | 4876 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4942 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 5.3a | 21mohm @ 7.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 32nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SUD50P04-08-GE3 | 1,5000 | | 6216 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.1MOHM @ 22A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 159 NC @ 10 V | ± 20 V | 5380 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA), 73,5W (TC) | |||||
 | SI5853DDC-T1-E3 | - - - | | 7426 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5853 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 105mohm @ 2,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 12 NC @ 8 V | ± 8 v | 320 PF @ 10 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,3W (TA), 3,1W (TC) | ||||
 | SQ2348CE-T1_GE3 | 0,4300 | | 9162 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2348 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 540 PF @ 15 V | - - - | 3W (TC) | |||||||
 | Sidr610ep-t1-re3 | 3.7500 | | 4568 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr610 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 8,9a (TA), 39,6a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 31.9mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1380 PF @ 100 V | - - - | 7,5 W (TA), 150 W (TC) | |||||
 | SQM100P10-19L_GE3 | 3.4300 | | 3547 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM100 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 93a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 350 NC @ 10 V | ± 20 V | 14100 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SISS5708DN-T1-GE3 | 1.8100 | | 2593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 9,3a (TA), 33,8a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 23mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 975 PF @ 75 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||
 | SIR5110DP-T1-RE3 | 1.8900 | | 7290 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir5110 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 13,5a (TA), 47,6a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 6mohm @ 35a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 920 PF @ 50 V | - - - | 4,8W (TA), 59,5W (TC) | ||||||
 | IRFSL9N60A | - - - | | 4670 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFSL9 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | ||||
 | IRFU320PBF | 1.5100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU320 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU320PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1,8OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | SIHF520Strl-GE3 | 0,5608 | | 3677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHF520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHF520Strl-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 5,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||||
 | IRFR9210TRR | - - - | | 9037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 1,9a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
| SQM40N10-30_GE3 | 2.2500 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM40 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 6 V, 10V | 30mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 20 V | 3345 PF @ 25 V. | - - - | 107W (TC) | |||||
 | SQS411ENW-T1_GE3 | 0,9400 | | 7842 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS411 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 27.3mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 3191 PF @ 25 V. | - - - | 39,5W (TC) | |||||
 | IRFI744GPBF | - - - | | 7295 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI744 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFI744GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 450 V | 4,9a (TC) | 10V | 630mohm @ 2,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||
| SI7138DP-T1-GE3 | - - - | | 5350 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7138 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 6 V, 10V | 7,8 MOHM @ 19.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 6900 PF @ 30 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | ||||
| IRFR9014TRPBF | 1.1100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | Irfz14strr | - - - | | 7497 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||
| SI5457DC-T1-GE3 | 0,5700 | | 74 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5457 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 36mohm @ 4,9a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 12 V | 1000 PF @ 10 V | - - - | 5.7W (TC) | ||||
 | SI2307BDS-T1-BE3 | 0,6400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 78mohm @ 3.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 380 PF @ 15 V | - - - | 750 MW (TA) | |||||||
| SQ2398ES-T1_BE3 | 0,6300 | | 4432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2398 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-SQ2398ES-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 1,6a (TC) | 10V | 300 MOHM @ 1,5A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 3.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 152 PF @ 50 V | - - - | 2W (TC) | |||||
| IRF540SPBF | 2.3500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF540SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
| IRFZ48SPBF | 4.4200 | | 104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz48 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 190 W (TC) | |||||
 | IRFP048PBF | 4.7600 | | 7338 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP048 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP048PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 60 v | 70a (TC) | 10V | 18mohm @ 44a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | ||||
 | SI7958DP-T1-GE3 | - - - | | 4831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7958 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 7.2a | 16,5 MOHM @ 11,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 75nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFBC40s | - - - | | 9477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBC40S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | |||
| SQM120P04-04L_GE3 | 3.6400 | | 8972 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 330 NC @ 10 V | ± 20 V | 13980 PF @ 20 V | - - - | 375W (TC) |
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