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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJ244EP-T1_GE3 | 1.4800 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ244 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC), 48W (TC) | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 40V | 20A (TC), 60A (TC) | 11MOHM @ 4A, 10V, 4,5 Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v, 45nc @ 10v | 1200pf @ 25v, 2800pf @ 25v | - - - | |||||||
 | TN0201K-T1-E3 | - - - | | 8938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TN0201 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 420 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1OHM @ 300 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 350 MW (TA) | |||||
 | SI5935DC-T1-E3 | - - - | | 5810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5935 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3a | 86mohm @ 3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 8,5nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI1967DH-T1-E3 | 0,4100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1967 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 1.3a | 490MOHM @ 910 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4nc @ 8v | 110pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI5481DU-T1-E3 | - - - | | 5913 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5481 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 22mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 50 nc @ 8 v | ± 8 v | 1610 PF @ 10 V | - - - | 3.1W (TA), 17,8 W (TC) | ||||
 | SIE832DF-T1-GE3 | - - - | | 5622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (s) | Sie832 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (s) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 14A, 10V | 3v @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 3800 PF @ 20 V | - - - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI7120DN-T1-GE3 | - - - | | 1466 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7120 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 6.3a (ta) | 19Mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | - - - | |||||||||
 | SQJ868EP-T1_GE3 | 0,9800 | | 8598 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ868 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 58a (TC) | 10V | 7.35MOHM @ 14A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2450 PF @ 20 V | - - - | 48W (TC) | |||||
 | SI7452DP-T1-E3 | - - - | | 2169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7452 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 11,5a (ta) | 10V | 8.3mohm @ 19.3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
| SI7674DP-T1-GE3 | - - - | | 9853 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7674 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,3 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 5910 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
 | IRFP23N50LPBF | 7.5100 | | 164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP23 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP23N50LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 23a (TC) | 10V | 235mohm @ 14a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3600 PF @ 25 V. | - - - | 370W (TC) | ||||
| SI5473DC-T1-E3 | - - - | | 8297 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5473 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5.9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 5,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 32 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SIHP7N60E-GE3 | 2.0900 | | 4958 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP7 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP7N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 3,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 680 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | ||||
 | SI6954ADQ-T1-GE3 | 0,8800 | | 3618 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6954 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 3.1a | 53mohm @ 3.4a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 16nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFL014TRPBF | 0,9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IRFL014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 2.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | SQJQ100EL-T1_GE3 | 3.0300 | | 2552 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ100 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 200a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 220 NC @ 10 V | ± 20 V | 14500 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||
| SI7430DP-T1-GE3 | 2.9200 | | 6268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7430 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 26a (TC) | 8 V, 10V | 45mohm @ 5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 1735 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 64W (TC) | |||||
| IRLIZ24GPBF | 0,4772 | | 8689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Irliz24 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 4V, 5V | 100MOHM @ 8.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | ||||||
| SI1433DH-T1-GE3 | - - - | | 3705 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1433 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1,9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 150 MOHM @ 2,2a, 10 V | 3 V @ 100 µA | 5 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 950 MW (TA) | |||||
 | SIHF12N60E-E3 | 2.8200 | | 8175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF12 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHF12N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 30 v | 937 PF @ 100 V | - - - | 33W (TC) | ||||
| SIHP30N60E-GE3 | 5.9800 | | 7039 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP30 | MOSFET (Metalloxid) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2600 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||
 | IRFR120 | - - - | | 8110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | SQJA86EP-T1_BE3 | 0,9600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||||
| SI7190DP-T1-GE3 | 2.0400 | | 4001 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7190 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 18,4a (TC) | 6 V, 10V | 118mohm @ 4.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 2214 PF @ 125 V. | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
| SQ1902AEL-T1_GE3 | - - - | | 6841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SQ1902 | MOSFET (Metalloxid) | 430 MW | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 780 Ma (TC) | 415mohm @ 660 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,2nc @ 4,5 V | 75PF @ 10V | - - - | ||||||||
| SI7457DP-T1-GE3 | - - - | | 5811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7457 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 6 V, 10V | 42mohm @ 7.9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 5230 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 83,3W (TC) | ||||
 | SI4942DY-T1-GE3 | - - - | | 4876 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4942 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 5.3a | 21mohm @ 7.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 32nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SUD50P04-08-GE3 | 1,5000 | | 6216 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.1MOHM @ 22A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 159 NC @ 10 V | ± 20 V | 5380 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA), 73,5W (TC) | |||||
| SI5853DDC-T1-E3 | - - - | | 7426 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5853 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 105mohm @ 2,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 12 NC @ 8 V | ± 8 v | 320 PF @ 10 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,3W (TA), 3,1W (TC) | ||||
| SQ2348CE-T1_GE3 | 0,4300 | | 9162 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2348 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 540 PF @ 15 V | - - - | 3W (TC) |
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