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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHD6N62E-GE3 | 0,6918 |  | 7517 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd6 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 30 v | 578 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | ||||||
 | SIHG80N60E-GE3 | 11.9600 | | 9998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG80 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 80A (TC) | 10V | 30mohm @ 40a, 10V | 4v @ 250 ähm | 443 NC @ 10 V. | ± 30 v | 6900 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
 | SI4992EY-T1-GE3 | - - - | | 6227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4992 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 75 V | 3.6a | 48mohm @ 4,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4048DY-T1-GE3 | - - - | | 2509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4048 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 19,3a (TC) | 10V | 85mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 2060 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | IRF9640S | - - - | | 2788 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9640S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 125W (TC) | |||
 | IRL520 | - - - | | 8266 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL520 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 4V, 5V | 270 MOHM @ 5,5a, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | |||
 | Sira90DP-T1-GE3 | 1.5500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira90 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,8 MOHM @ 20A, 10 V. | 2v @ 250 ähm | 153 NC @ 10 V | +20V, -16v | 10180 PF @ 15 V | - - - | 104W (TC) | |||||
 | IRF740LCL | - - - | | 7398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF740LCL | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||
 | SI2331DS-T1-GE3 | - - - | | 2644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2331 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3.2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 48mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 780 PF @ 6 V | - - - | 710 MW (TA) | ||||
| SQ4946AEY-T1_GE3 | - - - | | 3595 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4946 | MOSFET (Metalloxid) | 4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 7a | 40mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18nc @ 10v | 750pf @ 25v | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI7456DP-T1-GE3 | 2.1000 | | 942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 5.7A (TA) | 6 V, 10V | 25mohm @ 9.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | 1.0400 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir426 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 1160 PF @ 20 V | - - - | 4,8W (TA), 41,7W (TC) | |||||
 | IRFU224 | - - - | | 2961 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Irfu2 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU224 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | SI6913DQ-T1-GE3 | 1.3000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6913 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4.9a | 21mohm @ 5,8a, 4,5 V. | 900 MV @ 400 ähm | 28nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRF644PBF-BE3 | 1.7300 | | 980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF644 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF644PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 280 MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||
| SI9926CDY-T1-E3 | 1.3200 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9926 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 8a | 18Mohm @ 8,3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 33nc @ 10v | 1200PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SISH101DN-T1-GE3 | 0,7700 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH101 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 16,9a (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,2 Mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 102 NC @ 10 V | ± 25 V | 3595 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
| SIHB24N65E-E3 | 3.1311 | | 8758 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB24 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHB24N65EEEE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2740 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||
 | SI5853CDC-T1-E3 | - - - | | 3250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5853 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 104mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11 NC @ 8 V | ± 8 v | 350 PF @ 10 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,5 W (TA), 3,1W (TC) | ||||
 | SQA442EJ-T1_GE3 | 0,6300 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SQA442 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 32mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 636 PF @ 25 V. | - - - | 13.6W (TC) | |||||
| SI4563DY-T1-E3 | - - - | | 6498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4563 | MOSFET (Metalloxid) | 3.25W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 8a | 16mohm @ 5a, 10V | 2v @ 250 ähm | 85nc @ 10v | 2390PF @ 20V | - - - | ||||||
 | SUM33N20-60P-E3 | - - - | | 2669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum33 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 33a (TC) | 10V, 15 V | 59mohm @ 20a, 15V | 4,5 V @ 250 ähm | 113 NC @ 15 V | ± 25 V | 2735 PF @ 25 V. | - - - | 3.12W (TA), 156W (TC) | ||||
| IRFBC40AStrrpBF | 2.7871 | | 1953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
 | SIE820DF-T1-GE3 | 2.4200 | | 730 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (s) | Sie820 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (s) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 50a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,5 MOHM @ 18A, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 143 NC @ 10 V | ± 12 V | 4300 PF @ 10 V. | - - - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
 | SI5517DU-T1-E3 | - - - | | 7282 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5517 | MOSFET (Metalloxid) | 8.3W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 6a | 39mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 16nc @ 8v | 520pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||
| SIHFR430ATRL-GE3 | 0,4263 | | 5203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIHFR430 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFR430ATRL-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,7ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 490 PF @ 25 V. | - - - | 110W (TC) | ||||
 | IRFR020TR | - - - | | 2637 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR020 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| IRFZ40 | - - - | | 5889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFZ40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFZ40 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
| SQJQ148E-T1_GE3 | 2.3700 | | 3705 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ148 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-sqjq148e-t1_ge3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 375a (TC) | 10V | 1,6 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 20 V | 4930 PF @ 25 V. | - - - | 325W (TC) | ||||
| SIHB17N80E-T1-GE3 | 5.1300 | | 5203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB17 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB17N80E-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2408 PF @ 100 V | - - - | 208W (TC) |
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