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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIS4604DN-T1-GE3 | 0,9700 |  | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS4604 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 14,6a (TA), 44,4a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 960 PF @ 30 V | - - - | 3,6 W (TA), 33,7W (TC) | |||||
 | SIHK075N60EF-T1GE3 | 7.3900 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | SIHK075 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 71Mohm @ 15a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 30 v | 2954 PF @ 100 V | - - - | 192W (TC) | |||||
 | SIR4608LDP-T1-GE3 | 1.2300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir4608 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 13,3a (TA), 43,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 905 PF @ 30 V | - - - | 3.6W (TA), 39W (TC) | |||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | 1.3800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir4604 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15,1a (TA), 49,3a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 960 PF @ 30 V | - - - | 3,9W (TA), 41,6 W (TC) | |||||
 | SISA18BDN-T1-GE3 | 0,7000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Sisa18 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8pt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 18A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,83 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | +20V, -16v | 680 PF @ 15 V | - - - | 3,2 W (TA), 36,8 W (TC) | |||||
 | SQA413CEJW-T1_GE3 | 0,4300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® SC-70-6 | SQA413 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®SC-70W-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7.5a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 38mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 1350 PF @ 10 V | - - - | 13.6W (TC) | |||||
 | SQJ110EP-T1_GE3 | 1.7300 | | 3943 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 170a (TC) | 10V | 6,3 Mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 113 NC @ 10 V | ± 20 V | 6100 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | ||||||
| SQA604CEJW-T1_GE3 | 0,5300 | | 1968 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® SC-70-6 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®SC-70W-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 5.63a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 80Mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 445 PF @ 25 V. | - - - | 13.6W (TC) | ||||||
 | SQJ184EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 118a (TC) | 10V | 7,5 MOHM @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 69 NC @ 10 V | ± 20 V | 3478 PF @ 25 V. | - - - | 234W (TC) | |||||||
 | SIHB085N60EF-GE3 | 6.0200 | | 3547 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB085 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB085N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 2733 PF @ 100 V | - - - | 184W (TC) | ||||
 | SI9634DY-T1-GE3 | 0,9200 | | 9280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9634 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA), 3,6 W (TC) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SI9634DY-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6.2a (TA), 8a (TC) | 29mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 10v | 420pf @ 30v | - - - | ||||||
 | SQJQ936E-T1_GE3 | 3.0100 | | 8828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 Dual | SQJQ936 | MOSFET (Metalloxid) | 75W (TC) | Powerpak® 8 x 8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 100a (TC) | 2,3 MOHM @ 5A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 113nc @ 10v | 6600PF @ 25V | - - - | |||||||
 | SISS5623DN-T1-GE3 | 1.7500 | | 2124 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS5623 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 10,5a (TA), 36,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1575 PF @ 30 V | - - - | 4,8W (TA), 56,8W (TC) | |||||
 | SIRS4401DP-T1-GE3 | 3.2900 | | 8939 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIRS4401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 46,8a (TA), 198a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 588 NC @ 10 V | ± 20 V | 21850 PF @ 20 V | - - - | 7.4W (TA), 132W (TC) | |||||
 | SISS4402DN-T1-GE3 | 1.6800 | | 7879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS4402 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 35,5a (TA), 128a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 Mohm @ 15a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | +20V, -16v | 3850 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
 | SIB914DK-T1-GE3 | - - - | | 8727 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6L Dual | SIB914 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | Powerpak® SC-75-6L Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 8v | 1,5a | 113mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 2.6nc @ 5v | 125PF @ 4v | - - - | ||||||
 | SIR890DP-T1-GE3 | - - - | | 2659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir890 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,9 MOHM @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2747 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SI4413CDY-T1-GE3 | 0,8222 | | 1978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4413 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||
 | SI2308BDS-T1-GE3 | 0,5500 | | 65 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2308 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 2.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 156mohm @ 1,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 6,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 190 PF @ 30 V | - - - | 1,09W (TA), 1,66W (TC) | ||||
| SIA513DJ-T1-GE3 | - - - | | 2161 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA513 | MOSFET (Metalloxid) | 6.5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 4,5a | 60MOHM @ 3,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 360PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
| SI2323D-T1-GE3 | 0,7300 | | 332 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2323 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.7a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 39mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 19 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1020 PF @ 10 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | SI5435BDC-T1-GE3 | - - - | | 9346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5435 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.3a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 4,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SI6459BDQ-T1-GE3 | - - - | | 6462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6459 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 2.2a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 115mohm @ 2,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1W (TA) | |||||
| SI2351DS-T1-GE3 | - - - | | 2309 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2351 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.8a (TC) | 115mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 5.1 NC @ 5 V | 250 PF @ 10 V | - - - | ||||||||
 | SI8451DB-T2-E1 | - - - | | 7660 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-uFbga | SI8451 | MOSFET (Metalloxid) | 6-Mikro-Fuß ™ (1,5x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 10.8a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 80MOHM @ 1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 24 nc @ 8 v | ± 8 v | 750 PF @ 10 V | - - - | 2,77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SIE864DF-T1-GE3 | - - - | | 3559 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (U) | Sie864 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (U) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 45a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.6mohm @ 20a, 10V | 2v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1510 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 25W (TC) | |||||
 | Sum90n06-4m4p-e3 | - - - | | 3536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 90a (TC) | 10V | 4.4mohm @ 20a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 6190 PF @ 30 V | - - - | 3,75 W (TA), 300 W (TC) | ||||
 | SUP50N03-5M1P-GE3 | - - - | | 4450 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup50 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 22A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 20 V | 2780 PF @ 15 V | - - - | 2,7W (TA), 59,5W (TC) | ||||
 | SI1025X-T1-GE3 | 0,5100 | | 61 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1025 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 190 ma | 4OHM @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,7nc @ 15V | 23pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI1417EDH-T1-GE3 | - - - | | 9164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1417 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 2.7a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 85mohm @ 3,3a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1W (TA) |
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