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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1023X-T1-E3 | - - - |  | 5914 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1023 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 370 Ma | 1,2OHM @ 350 mA, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 1,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRF840S | - - - | | 4727 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF840S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
 | SIJA52DP-T1-GE3 | 1.3900 | | 2746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sija52 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 150 NC @ 20 V | +20V, -16v | 7150 PF @ 20 V | - - - | 48W (TC) | |||||
 | SQ2398ES-T1_GE3 | 0,6300 | | 458 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2398 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 1,6a (TC) | 10V | 300 MOHM @ 1,5A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 3.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 152 PF @ 50 V | - - - | 2W (TC) | ||||||
 | Sira02DP-T1-GE3 | 1.7700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira02 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 117 NC @ 10 V | +20V, -16v | 6150 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 71,4W (TC) | ||||
 | IRFP360 | - - - | | 8534 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP360 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP360 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 400 V | 23a (TC) | 10V | 200mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 20 V | 4500 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | |||
 | SI4320DY-T1-E3 | - - - | | 7887 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4320 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 17a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 70 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 6500 PF @ 15 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||
 | SQM40022EM_GE3 | 2.2300 | | 5202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | SQM40022 | MOSFET (Metalloxid) | To-263-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 150a (TC) | 10V | 1,63 MOHM @ 35A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 9200 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||
 | Irfi614g | - - - | | 9819 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI614 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi614g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 2.1a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 23W (TC) | |||
| SIHG17N80E-GE3 | 5.4100 | | 9174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG17 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2408 PF @ 100 V | - - - | 208W (TC) | ||||||
 | SI7272DP-T1-GE3 | 1.4900 | | 4163 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7272 | MOSFET (Metalloxid) | 22W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 25a | 9.3mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1100PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
| Irfbe30strr | - - - | | 9364 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfbe30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
| SIJ458DP-T1-GE3 | - - - | | 4687 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ458 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 20 V | 4810 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 69,4W (TC) | |||||
 | IRLZ34PBF | 1.9400 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRLZ34 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRLZ34PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | ||||
| SI7882DP-T1-GE3 | - - - | | 3629 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7882 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 13a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 5,5 MOHM @ 17A, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | IRFR9110TRPBF | 1.2300 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 3.1a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SUP40012EL-GE3 | 2.3400 | | 7391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP40012 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 150a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,79MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 195 NC @ 10 V. | ± 20 V | 10930 PF @ 20 V | - - - | 150W (TC) | |||||
| SI4480DY-T1-E3 | - - - | | 5504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4480 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 80 v | 6a (ta) | 6 V, 10V | 35mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 2,5 W (TA) | |||||
 | SI6433BDQ-T1-E3 | - - - | | 5047 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6433 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 40mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 1.05W (TA) | |||||
 | SIB911DK-T1-E3 | - - - | | 8880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6L Dual | SIB911 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | Powerpak® SC-75-6L Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2.6a | 295MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4nc @ 8v | 115PF @ 10V | - - - | ||||||
 | SQ4282EY-T1_GE3 | 1.5100 | | 210 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4282 | MOSFET (Metalloxid) | 3.9W | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a (TC) | 12.3mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 47nc @ 10v | 2367PF @ 15V | - - - | ||||||||
| SI2318D-T1-GE3 | 0,5300 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2318 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 3,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 540 PF @ 20 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
| SIR892DP-T1-GE3 | - - - | | 7795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir892 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2645 PF @ 10 V | - - - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SQM40041EL_GE3 | 2.8100 | | 7816 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM40041 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3.4mohm @ 25a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 450 NC @ 10 V | ± 20 V | 23600 PF @ 25 V. | - - - | 157W (TC) | |||||
 | SISS10DN-T1-GE3 | 1.0200 | | 5890 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS10 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,65 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3750 PF @ 20 V | - - - | 57W (TC) | |||||
 | SIHA150N60E-GE3 | 3.6100 | | 9374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha150 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHA150N60E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 9a (TC) | 10V | 155mohm @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 30 v | 1514 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | ||||
 | SQS850EN-T1_BE3 | 1.0300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21,5 MOHM @ 6.1A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 2021 PF @ 30 V | - - - | 33W (TC) | |||||||
 | SIR570DP-T1-RE3 | 2.4700 | | 3731 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 19A (TA), 77,4a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 7,9 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 71 NC @ 10 V | ± 20 V | 3740 PF @ 75 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||
| 2N4858JTXL02 | - - - | | 8060 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4858 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | ||||||||||||||
| V961-0007-E3 | - - - | | 7506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Rohr | Veraltet | V961 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-V961-0007-E3 | Veraltet | 25 | - - - |
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