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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHG33N60E-E3 | 4.1309 |  | 3921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG33 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 99mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3508 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | ||||||
 | SIHG085N60EF-GE3 | 6.5600 | | 2537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG085 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHG085N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 2733 PF @ 100 V | - - - | 184W (TC) | ||||
 | SIA483DJ-T1-GE3 | 0,5100 | | 118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA483 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1550 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SI7216DN-T1-GE3 | 1.6600 | | 7698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7216 | MOSFET (Metalloxid) | 20.8W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 6a | 32mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 19nc @ 10v | 670PF @ 20V | - - - | |||||||
 | SI1011X-T1-GE3 | - - - | | 8257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | SI1011 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 480 mA (TA) | 1,2 V, 4,5 V. | 640MOHM @ 400 mA, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 4 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | 62 PF @ 6 V | - - - | 190 MW (TA) | ||||
 | SI2333DDS-T1-GE3 | 0,4200 | | 8990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2333 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 6a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 28mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 35 nc @ 8 v | ± 8 v | 1275 PF @ 6 V. | - - - | 1,2W (TA), 1,7W (TC) | ||||
 | SI3440DV-T1-GE3 | 1.5200 | | 54 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3440 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 1.2a (TA) | 6 V, 10V | 375mohm @ 1,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||||
 | IRF644L | - - - | | 4905 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF644 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF644L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||
 | SIR572DP-T1-RE3 | 2.0200 | | 6390 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR572DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 14,8a (TA), 59,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 10.8mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 20 V | 2733 PF @ 75 V | - - - | 5,7W (TA), 92,5W (TC) | |||||
 | SUD50N03-12P-GE3 | - - - | | 9132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 16,8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | |||||
| IRFR014TRLPBF-BE3 | 1.5900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFR014TRLPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (TC) | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||||
 | SI3129DV-T1-GE3 | 0,6800 | | 9953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3129DV-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 v | 3,8a (TA), 5,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 82.7mohm @ 3.8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 805 PF @ 40 V | - - - | 2W (TA), 4,2W (TC) | |||||
| IRFR9120TRLPBF-BE3 | 1.6400 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFR9120TRLPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SIDR220DP-T1-RE3 | 2.7700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIDR220DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 87,7a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 20a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 10850 PF @ 10 V. | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | ||||||
 | IRFBF20PBF-BE3 | 2.4100 | | 975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBF20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFBF20PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 900 V | 1.7a (TC) | 8ohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 54W (TC) | ||||||
 | IRF610PBF-BE3 | 0,9300 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf610 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF610PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 3.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | |||||
 | SI1467DH-T1-BE3 | 0,6700 | | 9484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1467 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1467DH-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3a (ta), 2,7a (TC) | 90 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 13,5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 561 PF @ 10 V | - - - | 1,5 W (TA), 2,78 W (TC) | |||||
 | SIHK085N60EF-T1GE3 | 7.1500 | | 5761 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | SIHK085 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHK085N60EF-T1GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 85mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 2733 PF @ 100 V | - - - | 184W (TC) | ||||
| SQ2362ES-T1_BE3 | 0,6700 | | 6746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2362 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 4.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 68mohm @ 2,4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 550 PF @ 30 V | - - - | 3W (TC) | ||||||
 | SQJ409EP-T2_GE3 | 1.4900 | | 7432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ409EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 11000 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||
 | Sum10250e-GE3 | 2.8900 | | 5321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum10250 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 63,5a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 31mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 20 V | 3002 PF @ 125 V | - - - | 375W (TC) | |||||
| SUD09P10-195-BE3 | 0,8700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SUD09 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 8.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 195mohm @ 3,6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 34,8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1055 PF @ 50 V | - - - | 2,5 W (TA), 32,1W (TC) | |||||
| SIHD3N50D-BE3 | 0,9200 | | 1899 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | D | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd3 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHD3N50D-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 1,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 175 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||||
| SUP36N20-54P-E3 | - - - | | 2773 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP36 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 200 v | 36a (TC) | 10V, 15 V | 53mohm @ 20a, 15V | 4,5 V @ 250 ähm | 127 NC @ 15 V | ± 25 V | 3100 PF @ 25 V. | - - - | 3.12W (TA), 166W (TC) | ||||
| SI2303CDS-T1-BE3 | 0,4500 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1,9a (TA), 2,7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 190MOHM @ 1,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 155 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA), 2,3 W (TC) | |||||
 | SIHA12N60E-GE3 | 2.5300 | | 1575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHA12N60E-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 30 v | 937 PF @ 100 V | - - - | 33W (TC) | ||||||
| SQ2310ES-T1_BE3 | 0,9000 | | 37 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2310 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sq2310es-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 8,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 485 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TC) | |||||
| SI2343DS-T1 | - - - | | 6118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 53mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 540 PF @ 15 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | SIR826ADP-T1-GE3 | 2.5400 | | 9717 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 20 V | 2800 PF @ 40 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI4532ADY-T1-GE3 | - - - | | 8584 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4532 | MOSFET (Metalloxid) | 1.13W, 1.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 3.7a, 3a | 53mohm @ 4,9a, 10V | 1V @ 250 ähm | 16nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor |
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