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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFI634G | - - - |  | 4419 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI634 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi634g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 5.6a (TC) | 10V | 450MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 770 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | |||
 | SI8483DB-T2-E1 | 0,5600 | | 3193 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-uFbga | SI8483 | MOSFET (Metalloxid) | 6-Mikro-Fuß ™ (1,5x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 16a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 26mohm @ 1,5a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 10 V | 1840 PF @ 6 V. | - - - | 2,77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | IRLR120TRR | - - - | | 4968 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270 MOHM @ 4,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SIA466edj-t1-GE3 | 0,6800 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA466 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 9A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 620 PF @ 1 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19,2W (TC) | |||||
 | IRF640s | - - - | | 6507 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | ||||
 | SI4190DY-T1-GE3 | - - - | | 5429 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4190 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 20A (TC) | 8,8 MOHM @ 15a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | 2000 PF @ 50 V | - - - | ||||||||
 | SI2331DS-T1-E3 | - - - | | 2887 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2331 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3.2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 48mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 780 PF @ 6 V | - - - | 710 MW (TA) | ||||
 | SQD10N30-330H_GE3 | 1.6500 | | 7747 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD10 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 300 V | 10a (TC) | 10V | 330mohm @ 14a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 30 v | 2190 PF @ 25 V. | - - - | 107W (TC) | |||||
| SI4554DY-T1-GE3 | 0,7900 | | 2207 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4554 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W, 3.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 8a | 24MOHM @ 6.8a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 690PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFP32N50K | - - - | | 9227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP32 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP32N50K | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 32a (TC) | 10V | 160 MOHM @ 32A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 30 v | 5280 PF @ 25 V. | - - - | 460W (TC) | |||
 | IRL3302L | - - - | | 3766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRL3302 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL3302L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 20 v | 39a (TC) | 4,5 V, 7V | 20mohm @ 23a, 7V | 700 MV @ 250 um (min) | 31 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 1300 PF @ 15 V | - - - | 57W (TC) | |||
| SI2302CDS-T1-E3 | 0,4100 | | 137 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2302 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 57mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 5,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 710 MW (TA) | |||||
 | Sizf5302DT-T1-RE3 | 1.7500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 12-Powerpair ™ | Sizf5302 | MOSFET (Metalloxid) | 3,8 W (TA), 48,1W (TC) | PowerPair® 3x3fs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-Sizf5302dt-t1-re3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 28.1a (TA), 100A (TC) | 3,2 MOHM @ 10a, 10V | 2v @ 250 ähm | 22.2nc @ 10v | 1030pf @ 15V | - - - | ||||||
 | SI7384DP-T1-GE3 | - - - | | 3167 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7384 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8,5 MOHM @ 18A, 10V | 3v @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | ||||||
 | IRFPS29N60LPBF | - - - | | 4016 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | IRFPS29 | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPS29N60LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 210mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 220 NC @ 10 V | ± 30 v | 6160 PF @ 25 V. | - - - | 480W (TC) | |||
 | SI6967DQ-T1-GE3 | - - - | | 7554 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6967 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | - - - | 30mohm @ 5a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 40nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFR224 | - - - | | 1277 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR224 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR224 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | SQJQ480E-T1_GE3 | 3.0300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ480 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 80 v | 150a (TC) | 10V | 3mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 144 NC @ 10 V | ± 20 V | 8625 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||
 | SI3438DV-T1-E3 | 1.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3438 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 7.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 35,5 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 640 PF @ 20 V | - - - | 2W (TA), 3,5 W (TC) | |||||
| SIR870ADP-T1-GE3 | 2.0900 | | 5138 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir870 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,6 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 2866 PF @ 50 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| Irfz14l | - - - | | 8748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irfz14 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *Irfz14l | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | ||||
| SIHB12N65E-GE3 | 2.9300 | | 729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB12 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 30 v | 1224 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | SI4401FDY-T1-GE3 | 0,8800 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 9,9a (TA), 14A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14.2mohm @ 10a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 4000 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
| SQD40081EL_GE3 | 1.3700 | | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD40081 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 8.5Mohm @ 25a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 20 V | 9950 PF @ 25 V. | - - - | 71W (TC) | |||||
 | SQ1464EEH-T1_GE3 | 0,5000 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1464 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 440 mA (TC) | 1,5 v | 1,41OHM @ 2a, 1,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4.1 NC @ 4.5 V. | ± 8 v | 140 PF @ 25 V. | - - - | 430 MW (TC) | |||||
 | SQJ415EP-T1_GE3 | 1.0000 | | 8070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ415 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 6000 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | |||||
| SIR112DP-T1-RE3 | 1.3800 | | 7139 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir112 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 37,6a (TA), 133a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,96 MOHM @ 10A, 10 V. | 2,4 V @ 250 ähm | 89 NC @ 10 V | +20V, -16v | 4270 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||
 | Sia907edj-T4-GE3 | - - - | | 8775 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | - - - | SIA907 | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||
| Suc85n15-19dwf | - - - | | 5169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | - - - | Suc85 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||
 | SISH114ADN-T1-GE3 | 0,7700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | Sish114 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 18A (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 18A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1230 PF @ 15 V | - - - | 3.7W (TA), 39W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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