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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFBG20PBF | 1.8300 |  | 3338 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBG20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFBG20PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 1000 v | 1.4a (TC) | 10V | 11OHM @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 500 PF @ 25 V. | - - - | 54W (TC) | ||||
 | SI1016X-T1-E3 | - - - | | 6336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1016 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 485 mA, 370 mA | 700 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,75nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRLI640GPBF | 3.3400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRLI640 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRLI640GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 9,9a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 5.9a, 5V | 2v @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 10 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||
 | SI4963BDY-T1-GE3 | 0,7796 | | 4291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4963 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4.9a | 32mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 21nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFR110PBF | 1.0000 | | 2439 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | IRF840LCSPBF | 1.5567 | | 8924 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
| IRFI644GPBF | 2.9500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI644 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI644GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 7.9a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 4,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||
| IRFI640GPBF | 3.6700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI640 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI640GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 9,8a (TC) | 10V | 180mohm @ 5.9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||
| IRFR010TR | - - - | | 3899 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 50 v | 8.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | ||||
| IRLR110TR | - - - | | 5752 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 4V, 5V | 540MOHM @ 2,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 6.1 NC @ 5 V | ± 10 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
| SI4143DY-T1-GE3 | 0,7800 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4143 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 25,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,2 Mohm @ 12a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 167 NC @ 10 V | ± 25 V | 6630 PF @ 15 V | - - - | 6W (TC) | |||||
 | SI7112DN-T1-E3 | 1.7500 | | 3205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7112 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 17,8a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2610 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| IRFIZ48GPBF | 3.0500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfiz48 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *Irfiz48gpbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 37a (TC) | 10V | 18Mohm @ 22a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
| IRLR110TRL | - - - | | 5776 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 4V, 5V | 540MOHM @ 2,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 6.1 NC @ 5 V | ± 10 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SQM40014EM_GE3 | 2.9800 | | 7750 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | SQM40014 | MOSFET (Metalloxid) | To-263-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 200a (TC) | 10V | 1mohm @ 35a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 250 NC @ 10 V | ± 20 V | 15525 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||
| IRL520 | - - - | | 8266 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL520 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 4V, 5V | 270 MOHM @ 5,5a, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | |||
 | SIR426DP-T1-GE3 | 1.0400 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir426 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 1160 PF @ 20 V | - - - | 4,8W (TA), 41,7W (TC) | |||||
 | SI1902DL-T1-GE3 | 0,5200 | | 127 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 660 Ma | 385mohm @ 660 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,2nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRF634Strr | - - - | | 4361 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF634 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450MOHM @ 5.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 770 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | SI3585DV-T1-GE3 | - - - | | 5975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3585 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 2a, 1,5a | 125mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 3.2nc @ 4.5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHG73N60AEL-GE3 | 12.0500 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG73 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 69a (TC) | 10V | 42mohm @ 36,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 342 NC @ 10 V | ± 30 v | 6709 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
| SIHP17N60D-E3 | 1.7493 | | 4844 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP17N60DE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 17a (TC) | 10V | 340Mohm @ 8a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 30 v | 1780 PF @ 100 V | - - - | 277,8W (TC) | ||||
 | SIHP15N65E-GE3 | 3.3700 | | 4396 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP15 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 96 NC @ 10 V | ± 30 v | 1640 PF @ 100 V | - - - | 34W (TC) | |||||
| SUP85N10-10P-GE3 | - - - | | 6079 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 85a (TC) | 10V | 10Mohm @ 20a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 4660 PF @ 50 V | - - - | 3,75W (TA), 227W (TC) | ||||
| SI4561DY-T1-GE3 | - - - | | 4751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4561 | MOSFET (Metalloxid) | 3W, 3,3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6,8a, 7,2a | 35,5 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 640PF @ 20V | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFR9310PBF | 1.6900 | | 2904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 400 V | 1,8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||
 | SI6443DQ-T1-E3 | - - - | | 4402 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6443 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 8.8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 60 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1.05W (TA) | |||||
| IRF820aspbf | 1.6800 | | 993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *Irf820aspbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 340 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | SIB456DK-T1-GE3 | 0,5100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB456 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 6.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 185mohm @ 1,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5 NC @ 10 V | ± 20 V | 130 PF @ 50 V | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | |||||
| SIS892DN-T1-GE3 | 1.5900 | | 8714 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis892 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 611 PF @ 50 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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