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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHF640S-GE3 | 2.0800 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHF640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | |||||
| SIHB11N80E-GE3 | 3.8100 | | 3833 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB11 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 12a (TC) | 10V | 440MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 30 v | 1670 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
 | Sihd2n80ae-GE3 | 0,5174 | | 1677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd2 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2266-SIHD2N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 2,9a (TC) | 10V | 2,9OHM @ 500 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 10.5 NC @ 10 V | ± 30 v | 180 PF @ 100 V. | - - - | 62,5W (TC) | ||||
 | SIHG22N60EF-GE3 | 4.2500 | | 456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG22 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 19A (TC) | 10V | 182mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 96 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
 | SQJA78EP-T1_GE3 | 1.7100 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja78 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 72a (TC) | 10V | 5.3mohm @ 10a, 10V | 3,3 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 5100 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | SIS128LDN-T1-GE3 | 0,9900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS128 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 10.2a (TA), 33,7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15,6 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1250 PF @ 40 V | - - - | 3.6W (TA), 39W (TC) | |||||
 | SUP60020E-GE3 | 3.1100 | | 198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP60020 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 80 v | 150a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 2,4 MOHM @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 227 NC @ 10 V | ± 20 V | 10680 PF @ 40 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SQM50034EL_GE3 | 2.1900 | | 450 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM50034 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,9 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 6100 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||
 | SI4425FDY-T1-GE3 | 0,7100 | | 3274 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4425 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 12,7a (TA), 18,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | +16 V, -20 V | 1620 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA), 4,8W (TC) | |||||
| SIHJ690N60E-T1-GE3 | 1.7400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIHJ690 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 5.6a (TC) | 10V | 700MOHM @ 2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 347 PF @ 100 V | - - - | 48W (TC) | |||||
 | SIHP690N60E-GE3 | 1,9000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP690 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6.4a (TC) | 10V | 700MOHM @ 2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 347 PF @ 100 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||
| SQJA36EP-T1_GE3 | 1.9800 | | 2113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja36 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJA36EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 350a (TC) | 10V | 1,24 MOHM @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 107 NC @ 10 V | ± 20 V | 6636 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | ||||
 | SIHH070N60EF-T1GE3 | 7.9200 | | 4041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH070 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 36a (TC) | 10V | 71Mohm @ 15a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 30 v | 2647 PF @ 100 V | - - - | 202W (TC) | |||||
 | SISS50DN-T1-GE3 | 0,8800 | | 6639 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS50 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SISS50DN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 45 V | 29,7a (TA), 108a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,83 MOHM @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | +20V, -16v | 4000 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
| SUD40N02-08-E3 | - - - | | 6021 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud40 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 20 v | 40a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 8,5 MOHM @ 20A, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 35 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2660 PF @ 20 V | - - - | 8.3W (TA), 71W (TC) | ||||
 | SIZ988DT-T1-GE3 | 1.2800 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | SIZ988 | MOSFET (Metalloxid) | 20.2W, 40W | 8-Powerpair® | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 40a (TC), 60A (TC) | 7,5 MOHM @ 10a, 10V, 4,1MOHM @ 19A, 10V | 2,4 V @ 250 UA, 2,2 V BEI 250 µA | 10,5nc @ 4,5 V, 23,1nc @ 4,5 V | 1000pf @ 15V, 2425PF @ 15V | - - - | ||||||||
| SISA88DN-T1-GE3 | 0,5300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa88 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 16,2a (TA), 40,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,7 MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 25,5 NC @ 10 V | +20V, -16v | 985 PF @ 15 V | - - - | 3,2 W (TA), 19,8W (TC) | |||||
 | SI1058X-T1-GE3 | - - - | | 9387 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1058 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1,3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 91MOHM @ 1,3a, 4,5 V. | 1,55 V @ 250 ähm | 5,9 NC @ 5 V. | ± 12 V | 380 PF @ 10 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | SQA470EEJ-T1_GE3 | 0,6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SQA470 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2.25a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 56mohm @ 2a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 5,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 453 PF @ 20 V | - - - | 13.6W (TC) | |||||
 | SQJA06EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 1742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja06 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 57a (TC) | 10V | 8.7mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 55W (TC) | ||||||
 | SI1404BDH-T1-E3 | - - - | | 6228 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1404 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,9a (TA), 2,37A (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 238mohm @ 1,9a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 2,7 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 100 PF @ 15 V | - - - | 1,32W (TA), 2,28W (TC) | ||||
| SI7404DN-T1-GE3 | - - - | | 6093 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7404 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8.5a (TA) | 2,5 V, 10 V. | 13mohm @ 13.3a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SIDR140DP-T1-GE3 | 2.4700 | | 5855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr140 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 79A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,67 MOHM @ 20A, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 170 nc @ 10 v | +20V, -16v | 8150 PF @ 10 V. | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SQSA82CENW-T1_GE3 | 0,6700 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 46mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 580 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | ||||||
| SISS32ADN-T1-GE3 | 1.5500 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS32 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-SISS32ADN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 17,4a (TA), 63A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 7.3mohm @ 10a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 1520 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
 | SI1032R-T1-GE3 | 0,5200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1032 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 140 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 5OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 0,75 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 250 MW (TA) | |||||
 | SIB422EDK-T4-GE3 | 0,2021 | | 4369 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB422 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIB422edk-T4-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 7.1a (TA), 9A (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 8 v | - - - | 2,5 W (TA), 13W (TC) | |||||
 | SIR872ADP-T1-RE3 | 2.4100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir872 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 53,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 18MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 1286 PF @ 75 V | - - - | 104W (TC) | ||||||
 | SQJQ980EL-T1_GE3 | 2.6800 | | 3770 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 Dual | SQJQ980 | MOSFET (Metalloxid) | 187W | Powerpak® 8 x 8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 36a (TC) | 13,5 MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 36nc @ 10v | 1995pf @ 40V | - - - | |||||||
| SI4406DY-T1-GE3 | - - - | | 1906 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4406 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) |
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