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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIB488DK-T1-GE3 | - - - |  | 8407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB488 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 20mohm @ 6,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 20 nc @ 8 v | ± 8 v | 725 PF @ 6 V | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | |||||
 | Irf820strr | - - - | | 2066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | IRF720 | - - - | | 4275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF720 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF720 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1,8ohm @ 2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 410 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||
 | SI1401EDH-T1-BE3 | 0,4100 | | 4662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1401 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1401EDH-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4a (ta), 4a (TC) | 34mohm @ 5,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 36 NC @ 8 V | ± 10 V | - - - | 1,6W (TA), 2,8 W (TC) | ||||||
| IRF9Z34PBF | 1.8300 | | 745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9Z34 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF9Z34PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 10V | 140Mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | ||||
 | IRFSL11N50A | - - - | | 8049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFSL11 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFSL11N50A | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 550MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 30 v | 1426 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
 | SIJA52ADP-T1-GE3 | 1.3900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sija52 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 41,6a (TA), 131a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,63 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | +20V, -16v | 5500 PF @ 20 V | - - - | 4,8W (TA), 48W (TC) | |||||
 | SUD50P04-23-GE3 | - - - | | 1787 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 8.2a (TA), 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 15a, 10V | 2v @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 16 v | 1880 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 45,4W (TC) | ||||
 | SI7116DN-T1-E3 | 2.2300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7116 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 10.5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,8 MOHM @ 16,4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SQM50P06-15L_GE3 | 2.6100 | | 8419 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM50 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 17a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 6120 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||
| IRF624L | - - - | | 7640 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF624 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF624L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||
 | SI8435DB-T1-E1 | - - - | | 2179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8435 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 10a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 41mohm @ 1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | ± 5 V | 1600 PF @ 10 V. | - - - | 2,78W (TA), 6,25W (TC) | ||||
 | SIHD12N50E-GE3 | 1,8000 | | 8456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd12 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 550 V | 10.5a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 30 v | 886 PF @ 100 V | - - - | 114W (TC) | |||||
 | SI2335D-T1-GE3 | - - - | | 6311 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2335 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3.2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 51mohm @ 4a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 1225 PF @ 6 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
| SIHB180N60E-GE3 | 1.7861 | | 2921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB180 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 19A (TC) | 10V | 180MOHM @ 9.5A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1085 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | SI4920DY-T1-E3 | - - - | | 6681 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4920 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | - - - | 25mohm @ 6.9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 23nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRF740Strr | - - - | | 2707 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI7390DP-T1-E3 | 2.6600 | | 5413 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7390 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | ||||||
| IRF737LCS | - - - | | 5183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF737 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF737LCS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750 MOHM @ 3,7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 430 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||
 | SI5463EDC-T1-GE3 | - - - | | 7492 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5463 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.8a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 62mohm @ 4a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 15 NC @ 4,5 V | ± 12 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||
 | SI1305DL-T1-E3 | - - - | | 3341 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1305 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 860 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 280 MOHM @ 1A, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 4 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 290 MW (TA) | |||||
 | SIE844DF-T1-E3 | - - - | | 7044 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (U) | Sie844 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (U) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 44,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 12.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2150 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 25W (TC) | ||||
 | IRLU110PBF | 1.4900 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRLU110 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRLU110PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 4V, 5V | 540MOHM @ 2,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 6.1 NC @ 5 V | ± 10 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
| SI7804DN-T1-GE3 | 0,5292 | | 8957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7804 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6,5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 18,5 MOHM @ 10a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 13 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| SI4992EY-T1-E3 | - - - | | 7042 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4992 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 75 V | 3.6a | 48mohm @ 4,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRll1503TR | - - - | | 3031 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IRll1503 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||
| SI4599DY-T1-GE3 | 0,9100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4599 | MOSFET (Metalloxid) | 3W, 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6,8a, 5,8a | 35,5 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 640PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFP054PBF | 4.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP054 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP054PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 60 v | 70a (TC) | 10V | 14mohm @ 54a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4500 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | ||||
| SIJA58ADP-T1-GE3 | 0,9800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sija58 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 32,3a (TA), 109a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,65 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3030 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 56,8W (TC) | |||||
| SQJ443EP-T1_GE3 | 1.4100 | | 3995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ443 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 18a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | 2030 PF @ 20 V | - - - | 83W (TC) |
2000+
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30.000.000
Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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