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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHP28N60EF-GE3 | 3.2340 |  | 2860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP28 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 123mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 2714 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | 2N6660Jan02 | - - - | | 6560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | 2N6660 | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | SQS182LNW-T1_GE3 | 0,8500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 45a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13,2mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2024 PF @ 25 V. | - - - | 65W (TC) | ||||||
 | SQ2309CE-T1_GE3 | - - - | | 5634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 1.7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 370MOHM @ 1,25A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 8,5 NC @ 10 V | ± 20 V | 265 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TC) | ||||||
 | SIHR080N60E-T1-GE3 | 6.1300 | | 3222 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powermd, Möwenflügel | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 51a (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 2557 PF @ 100 V | - - - | 500W (TC) | ||||||
 | SQS120LNW-T1_GE3 | 1.0300 | | 9729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 192a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,8 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 20 V | 4590 PF @ 25 V. | - - - | 119W (TC) | ||||||
 | Sizf4800LDT-T1-GE3 | 1.5500 | | 8706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 12-Powerpair ™ | MOSFET (Metalloxid) | 4,5W (TA), 56,8W (TC) | PowerPair® 3x3fs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 80V | 10a (ta), 36a (TC) | 19Mohm @ 10a, 10V | 2v @ 250 ähm | 23nc @ 10v | 950pf @ 40V | Standard | ||||||||
 | SI7106DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7106 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 12,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 6,2 MOHM @ 19.5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SI7850ADP-T1-GE3 | 1.2600 | | 5915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7850 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 10.3a (ta), 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 790 PF @ 30 V | - - - | 3,6 W (TA), 35,7W (TC) | |||||
 | SI5447DC-T1-E3 | - - - | | 4374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5447 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 76mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 10 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | Irf644ns | - - - | | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF644 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irf644ns | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 8.4a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 20 V | 1060 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | SIHP5N50D-E3 | 0,6185 | | 8471 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | |||||
 | SI5480DU-T1-E3 | - - - | | 5994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5480 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 7.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1230 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
 | SUM50020el-GE3 | 3.0600 | | 7092 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum50020 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,1 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 20 V | 11113 PF @ 30 V | - - - | 375W (TC) | |||||
| Irfz14 | - - - | | 6678 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irfz14 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfz14 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | |||
 | SQR70090ELR_GE3 | 1.5700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-4, dpak (3 Leads + Tab) | SQR70090 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak (to-252) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 86a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.7mohm @ 25a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 20 V | 3500 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||
| IRF740S | - - - | | 7243 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF740S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
| IRFZ40 | - - - | | 5889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFZ40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFZ40 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | SQ4282EY-T1_GE3 | 1.5100 | | 210 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4282 | MOSFET (Metalloxid) | 3.9W | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a (TC) | 12.3mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 47nc @ 10v | 2367PF @ 15V | - - - | ||||||||
| SIHB17N80E-T1-GE3 | 5.1300 | | 5203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB17 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB17N80E-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2408 PF @ 100 V | - - - | 208W (TC) | ||||
 | SIHW23N60E-GE3 | - - - | | 1645 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHW23 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 23a (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 2418 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | |||||
 | IRFD010PBF | - - - | | 4496 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD010 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFD010PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 50 v | 1.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 860 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TC) | |||
| IRFZ44StrRPBF | - - - | | 4326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz44 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
| IRF734 | - - - | | 1421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF734 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF734 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 450 V | 4,9a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 680 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
| Sizf360DT-T1-GE3 | 1.6100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Sizf360 | MOSFET (Metalloxid) | 3,8 W (TA), 52W (TC), 4,3W (TA), 78W (TC) | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-Sizf360DT-T1-GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual), Schottky | 30V | 23a (TA), 83a (TC), 34a (TA), 143a (TC) | 4,5 MOHM @ 10a, 10 V, 1,9 Mohm @ 10a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 22nc @ 10v, 62nc @ 10v | 1100pf @ 15V, 3150pf @ 15V | - - - | ||||||
| IRFS11N50ATRRP | 2.9400 | | 9583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS11 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | |||||
| SI5904DC-T1-E3 | - - - | | 9801 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5904 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 3.1a | 75mohm @ 3,1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 6nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQD25N15-52_GE3 | 3.8600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 150 v | 25a (TC) | 10V | 52mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 107W (TC) | |||||
| IRF820AStrr | - - - | | 6816 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 340 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||
| SI7388DP-T1-E3 | - - - | | 2658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7388 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 19a, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 24 nc @ 5 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) |
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