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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIJ4108DP-T1-GE3 | 1.7200 |  | 3275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ4108 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 15,2a (TA), 56,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 52mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2440 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 69,4W (TC) | ||||||
 | SQ2364EES-T1_BE3 | 0,6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 2a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 240 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 2,5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 330 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TC) | |||||||
 | SISS63DN-T1-GE3 | 1.0000 | | 37 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS63 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 35,1a (TA), 127,5a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 15a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 236 NC @ 8 V | ± 12 V | 7080 PF @ 10 V | - - - | 5W (TA), 65,8W (TC) | |||||
 | SI7852DP-T1-E3 | 2.5000 | | 7609 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7852 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 7.6a (ta) | 6 V, 10V | 16,5 MOHM @ 10a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | IRFU224PBF | 1.5600 | | 9180 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU224 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU224PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| SISS02DN-T1-GE3 | 1.5200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS02 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 51A (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,2 Mohm @ 15a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 83 NC @ 10 V | +16 V, -12v | 4450 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
 | SI7101DN-T1-GE3 | 1.2500 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7101 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,2 Mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 102 NC @ 10 V | ± 25 V | 3595 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI3433CDV-T1-E3 | 0,5100 | | 7915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3433 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 38mohm @ 5,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 45 nc @ 8 v | ± 8 v | 1300 PF @ 10 V | - - - | 3.3W (TC) | |||||
| SI7886ADP-T1-E3 | - - - | | 4383 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7886 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 25a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 60 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 6450 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||
| IRFU9020 | - - - | | 9928 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU9020 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 50 v | 9,9a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||
 | IRFR9010TRR | - - - | | 2440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 5.3a (TC) | 10V | 500MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 9.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 240 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||||
 | SI1071X-T1-GE3 | - - - | | 6637 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1071 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 960 Ma (TA) | 2,5 V, 10 V. | 167mohm @ 960 mA, 10V | 1,45 V @ 250 ähm | 13.3 NC @ 10 V. | ± 12 V | 315 PF @ 15 V | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | SIJH800E-T1-GE3 | 4.8400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 80 v | 29a (TA), 299a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 1,55 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 20 V | 10230 PF @ 40 V | - - - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||||
 | SI4808DY-T1-GE3 | - - - | | 4666 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4808 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| SQJ409EP-T1_BE3 | 1.4900 | | 1565 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ409EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 11000 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||
 | SQS966enw-t1_GE3 | 0,9800 | | 8853 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8W Dual | SQS966 | MOSFET (Metalloxid) | 27,8W (TC) | Powerpak® 1212-8W Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6a (TC) | 36mohm @ 1,25a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 8.8nc @ 10v | 572pf @ 25v | - - - | |||||||
 | SIA911DJ-T1-GE3 | - - - | | 5903 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia911 | MOSFET (Metalloxid) | 6.5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 94mohm @ 2,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 12.8nc @ 8v | 355PF @ 10V | - - - | ||||||
 | IRFBE30SPBF | 3.2000 | | 6859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfbe30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *Irfbe30spbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||
| SI3473DV-T1-E3 | - - - | | 1770 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5.9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 23mohm @ 7,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 33 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.1W (TA) | |||||
 | SIE836DF-T1-E3 | - - - | | 8315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (SH) | Sie836 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (SH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 18,3a (TC) | 10V | 130MOHM @ 4.1a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 30 v | 1200 PF @ 100 V | - - - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
 | SI6924AEDQ-T1-GE3 | - - - | | 9759 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6924 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 28 v | 4.1a | 33mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 10nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SQ3410ev-T1_GE3 | 0,7600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3410 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17,5 MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 1005 PF @ 15 V | - - - | 5W (TC) | |||||
 | IRF9540PBF-BE3 | 2.1500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF9540PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 19A (TC) | 200mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||
| SI7820DN-T1-E3 | 1.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7820 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 1.7a (ta) | 6 V, 10V | 240 MOHM @ 2,6a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SQD50P08-25L_GE3 | 2.7600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 80 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 10.5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 137 NC @ 10 V | ± 20 V | 5350 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||
| IRF634S | - - - | | 5391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF634 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF634S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450MOHM @ 5.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 770 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | SUD70090E-GE3 | 1.5800 | | 7571 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SUD70090 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 50a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8,9 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1950 PF @ 50 V | - - - | 125W (TC) | |||||
 | TN2404K-T1-GE3 | 0,9100 | | 6237 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TN2404 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 240 V | 200 Ma (TA) | 2,5 V, 10 V. | 4OHM @ 300 mA, 10V | 2v @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 360 MW (TA) | |||||
| SI4226DY-T1-GE3 | - - - | | 4490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4226 | MOSFET (Metalloxid) | 3.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 8a | 19,5 MOHM @ 7A, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 36nc @ 10v | 1255PF @ 15V | - - - | ||||||
 | SIHB120N60E-T1-GE3 | 5.2400 | | 760 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 120Mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 30 v | 1562 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) |
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