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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3453DV-T1-GE3 | 0,3900 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3453 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 165mohm @ 2,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 155 PF @ 15 V | - - - | 3W (TC) | ||||||
 | SIHB12N60E-GE3 | 2.0800 | | 1481 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB12 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHB12N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 30 v | 937 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | ||||
 | SIR644DP-T1-GE3 | - - - | | 7553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir644 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 71 NC @ 10 V | ± 20 V | 3200 PF @ 20 V | - - - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
| SI7392DP-T1-GE3 | - - - | | 1165 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7392 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,75 MOHM @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
 | SIDR140DP-T1-GE3 | 2.4700 | | 5855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr140 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 79A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,67 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 170 nc @ 10 v | +20V, -16v | 8150 PF @ 10 V. | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SI7404DN-T1-GE3 | - - - | | 6093 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7404 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8.5a (TA) | 2,5 V, 10 V. | 13mohm @ 13.3a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SQSA82CENW-T1_GE3 | 0,6700 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 46mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 580 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | ||||||
| SISA88DN-T1-GE3 | 0,5300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa88 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 16,2a (TA), 40,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,7 MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 25,5 NC @ 10 V | +20V, -16v | 985 PF @ 15 V | - - - | 3,2 W (TA), 19,8W (TC) | |||||
 | SISS32ADN-T1-GE3 | 1.5500 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS32 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-SISS32ADN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 17,4a (TA), 63A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 7.3mohm @ 10a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 1520 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
 | SI1032R-T1-GE3 | 0,5200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1032 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 140 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 5OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 0,75 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 250 MW (TA) | |||||
| SIB422EDK-T4-GE3 | 0,2021 | | 4369 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB422 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIB422edk-T4-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 7.1a (TA), 9A (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 8 v | - - - | 2,5 W (TA), 13W (TC) | |||||
 | SQM120P10_10m1lge3 | 3.8400 | | 5117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.1Mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 9000 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | ||||||
 | SI6973DQ-T1-GE3 | - - - | | 9710 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6973 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4.1a | 30mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 30nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI8406DB-T2-E1 | 0,6400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-uFbga | SI8406 | MOSFET (Metalloxid) | 6-Mikro-Fuß ™ (1,5x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 16a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 33mohm @ 1a, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 20 nc @ 8 v | ± 8 v | 830 PF @ 10 V | - - - | 2,77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SIHP24N65E-GE3 | 5.7000 | | 9892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP24 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2740 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SUD40N02-08-E3 | - - - | | 6021 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud40 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 20 v | 40a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 8,5 MOHM @ 20A, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 35 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2660 PF @ 20 V | - - - | 8.3W (TA), 71W (TC) | ||||
| SIR872ADP-T1-RE3 | 2.4100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir872 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 53,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 18MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 1286 PF @ 75 V | - - - | 104W (TC) | ||||||
 | SI4406DY-T1-GE3 | - - - | | 1906 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4406 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
| SI4804BDY-T1-GE3 | - - - | | 9473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4804 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4862DY-T1-GE3 | - - - | | 9308 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4862 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 16 v | 17a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,3 MOHM @ 25A, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 70 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
 | SQA411CEJW-T1_GE3 | 0,5100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® SC-70-6 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®SC-70W-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 6.46a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 155mohm @ 3,5a, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 15,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 590 PF @ 25 V. | - - - | 13.6W (TC) | |||||||
| SI4650DY-T1-E3 | - - - | | 4186 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4650 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 8a | 18Mohm @ 8a, 10V | 3V @ 1ma | 40nc @ 10v | 1550pf @ 15V | - - - | ||||||
 | SI5920DC-T1-GE3 | - - - | | 9081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5920 | MOSFET (Metalloxid) | 3.12W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 8v | 4a | 32mohm @ 6,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 12nc @ 5v | 680pf @ 4v | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI6562DQ-T1-GE3 | - - - | | 3826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6562 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | - - - | 30mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 25nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| SI4831BDY-T1-GE3 | - - - | | 2412 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4831 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 6.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 625 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA), 3,3 W (TC) | ||||
| SIHB24N65ET1-GE3 | 3.7126 | | 2884 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB24 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2740 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||
| SI7898DP-T1-E3 | 1.8300 | | 20 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7898 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 3a (ta) | 6 V, 10V | 85mohm @ 3,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SI2365EDS-T1-GE3 | 0,4000 | | 7679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2365 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 32mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 36 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 1W (TA), 1,7W (TC) | |||||
| SISA14DN-T1-GE3 | 0,6700 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa14 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | +20V, -16v | 1450 PF @ 15 V | - - - | 3,57W (TA), 26,5 W (TC) | |||||
 | SI3457BDV-T1-E3 | - - - | | 1221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3457 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 54mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) |
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