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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7634BDP-T1-GE3 | 2.1100 |  | 704 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7634 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.4mohm @ 15a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3150 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 48W (TC) | ||||
 | SI7806ADN-T1-E3 | 1.4600 | | 3811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7806 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SI5513DC-T1-E3 | - - - | | 9650 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5513 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 3.1a, 2.1a | 75mohm @ 3,1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 6nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||
 | SI2316BDS-T1-E3 | 0,5900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2316 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50MOHM @ 3,9a, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 9.6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA), 1,66W (TC) | |||
| SI7621DN-T1-GE3 | - - - | | 8521 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7621 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 3,9a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 6.2 NC @ 5 V. | ± 12 V | 300 PF @ 10 V. | - - - | 3,1W (TA), 12,5 W (TC) | |||
 | V30434-T1-GE3 | - - - | | 5916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30434 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | SQ3419aeev-t1_GE3 | 0,7000 | | 5493 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3419 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 6.9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 61Mohm @ 2,5a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 12,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 975 PF @ 20 V | - - - | 5W (TC) | |||||
| SI2323DDS-T1-GE3 | 0,5900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2323 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.3a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 39mohm @ 4.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 36 NC @ 8 V | ± 8 v | 1160 PF @ 10 V. | - - - | 960 MW (TA), 1,7W (TC) | |||
 | Si4686dy-e3 | 1.4000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4686 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 18,2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 13,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 1220 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 5,2W (TC) | ||||
| SI3443CDV-T1-E3 | 0,6200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3443 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.97a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 60mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 12.4 NC @ 5 V. | ± 12 V | 610 PF @ 10 V | - - - | 2W (TA), 3,2 W (TC) | ||||
| V30391-T1-E3 | - - - | | 5017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30391 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||
| SI4420BDY-T1-GE3 | 0,9600 | | 5891 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4420 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 9,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 13.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||
 | SI2308BDS-T1-BE3 | 0,5500 | | 438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 1,9a (TA), 2,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 156mohm @ 1,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 6,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 190 PF @ 30 V | - - - | 1,09W (TA), 1,66W (TC) | ||||||
 | SIHF7N60E-GE3 | 2.1400 | | 1853 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF7 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 3,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 680 PF @ 100 V | - - - | 31W (TC) | |||||
 | IRFBE30STRLPBF | 3.5800 | | 7632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfbe30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||
| SI3499DV-T1-GE3 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3499 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 5.3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 23mohm @ 7a, 4,5 V. | 750 MV @ 250 ähm | 42 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||
| SI3447BDV-T1-GE3 | - - - | | 5935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3447 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 40mohm @ 6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.1W (TA) | ||||
 | SIA448DJ-T1-GE3 | - - - | | 9720 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA448 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 15mohm @ 12,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 35 nc @ 8 v | ± 8 v | 1380 PF @ 1 v | - - - | 3,5 W (TA), 19,2W (TC) | ||||
 | SUD25N04-25-E3 | - - - | | 2043 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 510 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 33W (TC) | |||
| SI7196DP-T1-GE3 | - - - | | 1331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | WFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7196 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1577 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 41,6W (TC) | |||
 | SIHG73N60AE-GE3 | 11.4800 | | 74 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG73 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 60a (TC) | 10V | 40mohm @ 36,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 394 NC @ 10 V. | ± 30 v | 5500 PF @ 100 V | - - - | 417W (TC) | ||||
| SI2316BDS-T1-GE3 | 0,5900 | | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2316 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50MOHM @ 3,9a, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 9.6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA), 1,66W (TC) | |||
| SQJ446EP-T1_GE3 | 0,6209 | | 7490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ446 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 14a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 20 V | 4220 PF @ 20 V | - - - | 46W (TC) | |||||
 | SQJ474EP-T1_GE3 | 0,9800 | | 8017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ474 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 26a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||
| SI7463ADP-T1-GE3 | 1.2600 | | 7442 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7463 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 46a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10Mohm @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 144 NC @ 10 V | ± 20 V | 4150 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 39W (TC) | ||||
| SI7868ADP-T1-E3 | 4.5100 | | 6386 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7868 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,25 MOHM @ 20A, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 16 v | 6110 PF @ 10 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
| SUD25N15-52-T4-E3 | 1.5962 | | 1682 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 25a (TC) | 6 V, 10V | 52mohm @ 5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1725 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | ||||
| SI2343D-T1-GE3 | 0,6300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.1a (ta) | 10V | 53mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 540 PF @ 15 V | - - - | 750 MW (TA) | |||
 | SIE806DF-T1-E3 | - - - | | 7943 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie806 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 25a, 10V | 2v @ 250 ähm | 250 NC @ 10 V | ± 12 V | 13000 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||
| SQ4961EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4961 | MOSFET (Metalloxid) | 3.3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 4.4a (TC) | 85mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 40nc @ 10v | 1140pf @ 25v | - - - |
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Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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