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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4401BDY-T1-E3 | 1.9500 |  | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 8.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 10.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 55 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SI6410DQ-T1-GE3 | - - - | | 2942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6410 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 7.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 7.8a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 33 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SUD50N04-05L-E3 | - - - | | 7499 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 115a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.4mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 5600 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||
 | IRFL110TR | - - - | | 7659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1,5a (TC) | 10V | 540MOHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||
 | SIR844DP-T1-GE3 | - - - | | 6675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir844 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 15a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 3215 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
 | IRF9640StrRPBF | 3.4500 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
| SI7450DP-T1-E3 | 2.9000 | | 475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7450 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 3.2a (ta) | 6 V, 10V | 80Mohm @ 4a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | IRFPE50 | - - - | | 2751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPE50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPE50 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 800 V | 7.8a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 4,7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | ± 20 V | 3100 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
 | IRC540PBF | - - - | | 5017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-5 | IRC540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRC540PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 69 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | Stromerkennung | 150W (TC) | |||
 | SI5424DC-T1-E3 | - - - | | 6943 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5424 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 4.8a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 25 V | 950 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,25 W (TC) | ||||
| IRF740LCSTRR | - - - | | 7668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||||
| SI7862ADP-T1-E3 | 2.2903 | | 9686 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7862 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 16 v | 18a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3mohm @ 29a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 80 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 7340 PF @ 8 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | Irfi740g | - - - | | 5416 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI740 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 5.4a (TC) | 10V | 550Mohm @ 3.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 20 V | 1370 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||
 | Sum90n08-4m8p-e3 | - - - | | 4336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 75 V | 90a (TC) | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | 6460 PF @ 40 V | - - - | ||||||||
 | IRFBC40L | - - - | | 9931 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBC40L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | |||
| Irf820as | - - - | | 2277 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irf820as | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 340 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||
 | SI5857DU-T1-GE3 | - - - | | 7076 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5857 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 58mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 12 V | 480 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 2,3 W (TA), 10,4W (TC) | ||||
| SI5905DC-T1-GE3 | - - - | | 7957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5905 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | 3a | 90 MOHM @ 3a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 9nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHB22N60EF-GE3 | 3.5600 | | 4462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2266-SIHB22N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 19A (TC) | 10V | 182mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 96 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | ||||
 | IRLR014TRL | - - - | | 4485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
| SI4411DY-T1-E3 | - - - | | 4276 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4411 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 10mohm @ 13a, 10V | 3v @ 250 ähm | 65 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SI7446BDP-T1-GE3 | - - - | | 5319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7446 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 19A, 10V | 3v @ 250 ähm | 33 NC @ 5 V. | ± 20 V | 3076 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||
 | SIHF16N50C-E3 | 3.4104 | | 4716 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF16 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 380Mohm @ 8a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 38W (TC) | |||||
| SUD06N10-225L-E3 | - - - | | 2256 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SUD06 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 6,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 4 NC @ 5 V. | ± 20 V | 240 PF @ 25 V. | - - - | 1,25W (TA), 20W (TC) | ||||
 | SI7328DN-T1-GE3 | 0,9923 | | 7802 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7328 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.6mohm @ 18.9a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 31,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2610 PF @ 15 V | - - - | 3,78W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI2306BDS-T1-E3 | 0,6200 | | 6427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2306 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.16a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 47mohm @ 3,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 4,5 NC @ 5 V. | ± 20 V | 305 PF @ 15 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
| IRF9520STRLPBF | 2.1900 | | 472 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||||
| SI4562DY-T1-GE3 | - - - | | 3337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4562 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 20V | - - - | 25mo @ 7.1a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 50nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIR4604LDP-T1-GE3 | 1.4300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir4604 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15,6a (TA), 51a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,9mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 28 NC @ 10 V | ± 20 V | 1180 PF @ 30 V | - - - | 3,9W (TA), 41,6 W (TC) | |||||
| SI4943BDY-T1-GE3 | - - - | | 6835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4943 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 6.3a | 19Mohm @ 8.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 25nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor |
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