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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4483EDY-T1-E3 | - - - |  | 9257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4483 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 25 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | IRFD9210PBF | 1.7000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9210 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 200 v | 400 mA (TA) | 10V | 3OHM @ 240 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||||
 | SUG90090E-GE3 | 4.3900 | | 3066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Sug90090 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 200 v | 100a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 129 NC @ 10 V | ± 20 V | 5220 PF @ 100 V | - - - | 395W (TC) | |||||
 | SI1539DL-T1-E3 | - - - | | 4817 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1539 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 540 mA, 420 mA | 480MOHM @ 590 mA, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 1,4nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQJB60EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 8867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB60 | MOSFET (Metalloxid) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 30a (TC) | 12mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v | 1600pf @ 25v | - - - | |||||||
 | SIR165DP-T1-GE3 | 1.6400 | | 764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir165 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 138 NC @ 10 V | ± 20 V | 4930 PF @ 15 V | - - - | 69,4W (TC) | |||||
 | SQD50N06-09L_GE3 | 5.0200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 3065 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||
 | SI1079X-T1-GE3 | 0,4700 | | 6010 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1079 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1.44a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 100MOHM @ 1,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 12 V | 750 PF @ 15 V | - - - | 330 MW (TA) | |||||
| SI4972DY-T1-GE3 | - - - | | 6328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4972 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W, 2.5W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 10.8a, 7.2a | 14,5 MOHM @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 28nc @ 10v | 1080PF @ 15V | - - - | ||||||
 | IRFR9014TRL | - - - | | 1030 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
| IRFR420 | - - - | | 7345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR420 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | SIUD406ED-T1-GE3 | 0,4500 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 0806 | SIUD406 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 0806 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 500 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,46OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 17 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||
| SI1480BDH-GE3 | 0,4200 | | 4979 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1480 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 1,8a (TA), 2.38a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 212mohm @ 2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 6 nc @ 10 v | ± 20 V | 206 PF @ 50 V | - - - | 1,5W (TA), 2,6 W (TC) | |||||||
 | SUP18N15-95-E3 | - - - | | 2799 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup18 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 150 v | 18a (TC) | 6 V, 10V | 95mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | ||||
 | SIE800DF-T1-E3 | - - - | | 6503 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (s) | Sie800 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (s) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,2 MOHM @ 11A, 10V | 3v @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1600 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
 | IRFBF20StrRPBF | 1.4682 | | 1875 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBF20 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 54W (TC) | |||||
 | IRF640LPBF | - - - | | 9590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF640 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF640LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | |||
| SI4210DY-T1-GE3 | - - - | | 6502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4210 | MOSFET (Metalloxid) | 2.7W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6.5a | 35,5 MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 445PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
| SI4401BDY-T1-E3 | 1.9500 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 8.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 10.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 55 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SI6410DQ-T1-GE3 | - - - | | 2942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6410 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 7.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 7.8a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 33 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SUD50N04-05L-E3 | - - - | | 7499 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 115a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.4mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 5600 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||
 | IRFL110TR | - - - | | 7659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1,5a (TC) | 10V | 540MOHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||
| SIR844DP-T1-GE3 | - - - | | 6675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir844 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 15a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 3215 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
| IRF9640StrRPBF | 3.4500 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
| SI7450DP-T1-E3 | 2.9000 | | 475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7450 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 3.2a (ta) | 6 V, 10V | 80Mohm @ 4a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| IRFPE50 | - - - | | 2751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPE50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPE50 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 800 V | 7.8a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 4,7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | ± 20 V | 3100 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
 | IRC540PBF | - - - | | 5017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-5 | IRC540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRC540PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 69 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | Stromerkennung | 150W (TC) | |||
 | SI5424DC-T1-E3 | - - - | | 6943 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5424 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 4.8a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 25 V | 950 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,25 W (TC) | ||||
| IRF740LCSTRR | - - - | | 7668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||||
| SI7862ADP-T1-E3 | 2.2903 | | 9686 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7862 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 16 v | 18a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3mohm @ 29a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 80 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 7340 PF @ 8 V | - - - | 1,9W (TA) |
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