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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIJ482DP-T1-GE3 | 1,8000 |  | 1441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ482 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,7 V @ 250 ähm | 71 NC @ 10 V | ± 20 V | 2425 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 69,4W (TC) | |||||
 | SQM120N10-3M8_GE3 | 3.8400 | | 1089 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 10V | 3,8 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 7230 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SI7356ADP-T1-E3 | - - - | | 7151 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7356 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6215 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
 | SI2316DS-T1-GE3 | 0,2741 | | 2054 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2316 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2,9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 50MOHM @ 3.4a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 7 NC @ 10 V | ± 20 V | 215 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||
 | SQ3427EEV-T1-GE3 | - - - | | 3290 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 5.5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 82mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1125 PF @ 30 V | - - - | 5W (TC) | ||||
 | SI1330EDL-T1-E3 | 0,5300 | | 38 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1330 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 240 mA (TA) | 3 V, 10V | 2,5 Ohm @ 250 mA, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 280 MW (TA) | |||||
 | IRL510 | - - - | | 8733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL510 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL510 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540MOHM @ 3.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 6.1 NC @ 5 V | ± 10 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | |||
 | IRF540s | - - - | | 4807 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF540s | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
 | IRFBC30PBF-BE3 | 1.7300 | | 938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFBC30PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 660 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||||
 | SI1026X-T1-GE3 | 0,5100 | | 340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1026 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 305 Ma | 1,4OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6nc @ 4,5 V | 30pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7489DP-T1-E3 | 2.6600 | | 36 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7489 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 41mohm @ 7.8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 83W (TC) | ||||
| IRF614strr | - - - | | 4962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF614 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||
 | SQS414CENW-T1_GE3 | 0,6800 | | 3013 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 2,4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 33W (TC) | ||||||
 | SI9424BDY-T1-GE3 | - - - | | 1114 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9424 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 5.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 25mo @ 7.1a, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 40 NC @ 4,5 V. | ± 9 v | - - - | 1,25W (TA) | |||||
 | SI5445BDC-T1-GE3 | - - - | | 1786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5445 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 5.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 33mohm @ 5,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 21 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SIB437EDKT-T1-GE3 | - - - | | 3477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® TSC-75-6 | SIB437 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® TSC75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 9a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 34mohm @ 3a, 4,5 V. | 700 MV @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 5 V | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | ||||||
 | IRFPS40N50LPBF | - - - | | 7861 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | IRFPS40 | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPS40N50LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 46a (TC) | 10V | 100mohm @ 28a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 380 nc @ 10 v | ± 30 v | 8110 PF @ 25 V. | - - - | 540W (TC) | ||||
 | SI7423DN-T1-E3 | 1.5900 | | 725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7423 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 11.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SI5936DU-T1-GE3 | 0,6700 | | 89 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5936 | MOSFET (Metalloxid) | 10.4W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6a | 30mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 11nc @ 10v | 320PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
| SI4904DY-T1-E3 | 2.2300 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4904 | MOSFET (Metalloxid) | 3.25W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 8a | 16mohm @ 5a, 10V | 2v @ 250 ähm | 85nc @ 10v | 2390PF @ 20V | - - - | |||||||
| IRF740L | - - - | | 4396 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-220-3 | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF740L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||
 | IRFP150PBF | 4.2600 | | 6142 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP150 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP150PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 100 v | 41a (TC) | 10V | 55mohm @ 25a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | ||||
 | IRFR9110 | - - - | | 8679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR9110 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 100 v | 3.1a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
| SQ2318Bes-T1_GE3 | 0,5500 | | 5484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2318 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 26,3 MOHM @ 4A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 500 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TC) | |||||
| SIJ800DP-T1-GE3 | - - - | | 5049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ800 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 2400 PF @ 20 V | - - - | 4,2 W (TA), 35,7W (TC) | |||||
 | SUD50N024-09P-E3 | - - - | | 2897 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 22 v | 49a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 1300 PF @ 10 V | - - - | 6,5W (TA), 39,5W (TC) | |||||
| SI2393D-T1-GE3 | 0,5000 | | 8975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2393 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI2393D-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6.1a (TA), 7,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 22.7mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 25,2 NC @ 10 V. | +16 V, -20 V | 980 PF @ 15 V | - - - | 1,3 W (TA), 2,5W (TC) | |||
| SI4386DY-GE3 | 1.3500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4386 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 16a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.47W (TA) | ||||||
| IRF634STRLPBF | 0,7541 | | 2731 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF634 | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 8.1a (TC) | ||||||||||||||||||
| SI4483EDY-T1-E3 | - - - | | 9257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4483 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 25 V | - - - | 1,5 W (TA) |
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Standardprodukteinheit
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