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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7115DN-T1-GE3 | 2.0800 |  | 239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7115 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 150 v | 8.9a (TC) | 6 V, 10V | 295Mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1190 PF @ 50 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SQJ488EP-T2_GE3 | 1.3300 | | 6170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ488EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 7.1a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 978 PF @ 50 V | - - - | 83W (TC) | ||||||
 | SIHG40N60E-GE3 | 6.8800 | | 428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 40a (TC) | 10V | 75mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 197 NC @ 10 V | ± 30 v | 4436 PF @ 100 V | - - - | 329W (TC) | |||||
 | IRF720StrRPBF | 1.1558 | | 2676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF720 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1,8ohm @ 2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 410 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
 | Sira60DP-T1-RE3 | 0,5977 | | 7886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira60 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,94 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 125 NC @ 10 V | +20V, -16v | 7650 PF @ 15 V | - - - | 57W (TC) | ||||||
 | SQ4153EY-T1_BE3 | 1.6500 | | 485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4153 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 12 v | 25a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 8.32mohm @ 14a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 151 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 11000 PF @ 6 V | - - - | 7.1W (TC) | ||||||
 | IRFB9N65A | - - - | | 9250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB9N65 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFB9N65A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 8.5a (TC) | 10V | 930mohm @ 5.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 30 v | 1417 PF @ 25 V. | - - - | 167W (TC) | |||
| IRFZ46L | - - - | | 2315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz46 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *Irfz46l | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 50 v | 50a (TC) | 10V | 24MOHM @ 32A, 10V | 4v @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 20 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SI7434DP-T1-E3 | 2.8800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7434 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 2.3a (TA) | 6 V, 10V | 155mohm @ 3,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SI4413DDY-T1-GE3 | 0,9214 | | 7408 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4413 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | - - - | 4,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 10a, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 114 NC @ 10 V | - - - | 4780 PF @ 15 V | - - - | - - - | |||||||
 | SI1416EDH-T1-GE3 | 0,4700 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1416 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.9a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 58mohm @ 3.1a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 12 V | - - - | 2,8 W (TC) | |||||
 | SI7212DN-T1-E3 | 2.6600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7212 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4.9a | 36mohm @ 6.8a, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI3460BDV-T1-GE3 | 0,9100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3460 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 5.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 24 nc @ 8 v | ± 8 v | 860 PF @ 10 V | - - - | 2W (TA), 3,5 W (TC) | |||||
| SI7459DP-T1-GE3 | - - - | | 4915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7459 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 10V | 6,8 MOHM @ 22A, 10V | 3v @ 250 ähm | 170 nc @ 10 v | ± 25 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | SUM60030E-GE3 | 1.9173 | | 7457 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum60030 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 80 v | 120a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 141 NC @ 10 V | ± 20 V | 7910 PF @ 40 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SI1067X-T1-E3 | - - - | | 8037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1067 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1.06a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 150 MOHM @ 1,06A, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 9.3 NC @ 5 V. | ± 8 v | 375 PF @ 10 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | SIHF080N60E-GE3 | 4.3600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHF080N60E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 14a (TC) | 10V | 80Mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 2557 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | |||||
| SUP40P10-43-GE3 | - - - | | 6733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 100 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 43mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SIHP6N40D-BE3 | 1.1400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 6a (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 30 v | 311 PF @ 100 v | - - - | 104W (TC) | |||||||
| SIHG73N60E-E3 | 8.7392 | | 1696 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG73 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 73a (TC) | 10V | 39mohm @ 36a, 10V | 4v @ 250 ähm | 362 NC @ 10 V | ± 30 v | 7700 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
 | SISH617DN-T1-GE3 | 0,9600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH617 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 13,9a (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12.3mohm @ 13.9a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 59 NC @ 10 V | ± 25 V | 1800 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
| SI3424CDV-T1-GE3 | 0,5400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3424 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 26mohm @ 7.2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 405 PF @ 15 V | - - - | 3.6W (TC) | |||||
| Irlz34strr | - - - | | 6475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ34 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
| SI4778DY-T1-E3 | - - - | | 8494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4778 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 7a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 16 v | 680 PF @ 13 V. | - - - | 2,4 W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SQJ974EP-T1_GE3 | 1.4100 | | 6374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ974 | MOSFET (Metalloxid) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 30a (TC) | 25,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v | 1050pf @ 25v | - - - | |||||||
 | SIA447DJ-T1-GE3 | 0,4800 | | 100 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA447 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 12a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 13,5 MOHM @ 7A, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 80 nc @ 8 v | ± 8 v | 2880 PF @ 6 V | - - - | 19W (TC) | |||||
| SI4228DY-T1-E3 | - - - | | 3738 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4228 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 8a | 18mohm @ 7a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 25nc @ 10v | 790pf @ 12.5V | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFPS40N60KPBF | - - - | | 3131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | IRFPS40 | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPS40N60KPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 40a (TC) | 10V | 130mohm @ 24a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 330 NC @ 10 V | ± 30 v | 7970 PF @ 25 V. | - - - | 570W (TC) | ||||
| SUM55P06-19L-E3 | 2.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum55 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 55a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 115 NC @ 10 V | ± 20 V | 3500 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SIA931DJ-T1-GE3 | 0,5300 | | 43 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia931 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 4,5a | 65mohm @ 3a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 13nc @ 10v | 445PF @ 15V | Logikpegel -tor |
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