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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFP150PBF | 4.2600 |  | 6142 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP150 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP150PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 100 v | 41a (TC) | 10V | 55mohm @ 25a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | ||||
 | SI4904DY-T1-E3 | 2.2300 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4904 | MOSFET (Metalloxid) | 3.25W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 8a | 16mohm @ 5a, 10V | 2v @ 250 ähm | 85nc @ 10v | 2390PF @ 20V | - - - | |||||||
 | SIJ800DP-T1-GE3 | - - - | | 5049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ800 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 2400 PF @ 20 V | - - - | 4,2 W (TA), 35,7W (TC) | |||||
 | SI7489DP-T1-E3 | 2.6600 | | 36 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7489 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 41mohm @ 7.8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 83W (TC) | ||||
 | SI2393D-T1-GE3 | 0,5000 | | 8975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2393 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI2393D-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6.1a (TA), 7,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 22.7mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 25,2 NC @ 10 V. | +16 V, -20 V | 980 PF @ 15 V | - - - | 1,3 W (TA), 2,5W (TC) | |||
 | SI7423DN-T1-E3 | 1.5900 | | 725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7423 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 11.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| SQ2318Bes-T1_GE3 | 0,5500 | | 5484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2318 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 26,3 MOHM @ 4A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 500 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TC) | |||||
 | IRFPS40N50LPBF | - - - | | 7861 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | IRFPS40 | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPS40N50LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 46a (TC) | 10V | 100mohm @ 28a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 380 nc @ 10 v | ± 30 v | 8110 PF @ 25 V. | - - - | 540W (TC) | ||||
 | IRFR9110 | - - - | | 8679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR9110 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 100 v | 3.1a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
 | SIB437EDKT-T1-GE3 | - - - | | 3477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® TSC-75-6 | SIB437 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® TSC75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 9a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 34mohm @ 3a, 4,5 V. | 700 MV @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 5 V | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | ||||||
 | SI1480BDH-GE3 | 0,4200 | | 4979 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1480 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 1,8a (TA), 2.38a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 212mohm @ 2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 6 nc @ 10 v | ± 20 V | 206 PF @ 50 V | - - - | 1,5W (TA), 2,6 W (TC) | |||||||
 | SIUD406ED-T1-GE3 | 0,4500 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 0806 | SIUD406 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 0806 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 500 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,46OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 17 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||
 | SUD50N024-09P-E3 | - - - | | 2897 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 22 v | 49a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 1300 PF @ 10 V | - - - | 6,5W (TA), 39,5W (TC) | |||||
| IRFR420 | - - - | | 7345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR420 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | SIB441EDK-T1-GE3 | 0,4600 | | 8356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB441 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 9a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 25,5 MOHM @ 4A, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 33 NC @ 8 V | ± 8 v | 1180 PF @ 6 V. | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | |||||
 | SI1029X-T1-E3 | - - - | | 3438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1029 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 60 v | 305 mA, 190 mA | 1,4OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,75nc @ 4,5 V | 30pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||
| SIHG32N50D-E3 | 3.2990 | | 1527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG32 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 30a (TC) | 10V | 150Mohm @ 16a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 96 NC @ 10 V | ± 30 v | 2550 PF @ 100 V | - - - | 390W (TC) | |||||
 | SI7923DN-T1-GE3 | 1.5800 | | 34 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7923 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 4.3a | 47mohm @ 6.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIB912DK-T1-GE3 | 0,5100 | | 75 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6L Dual | SIB912 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | Powerpak® SC-75-6L Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 1,5a | 216mohm @ 1,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 3nc @ 8v | 95PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFBC20SPBF | 2.9100 | | 4392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC20 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 2.2a (TC) | 10V | 4,4ohm @ 1,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SI3424CDV-T1-BE3 | 0,5400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3424CDV-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 7.2a (TA), 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 26mohm @ 7.2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 405 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 3,6 W (TC) | ||||||
| SI4894BDY-T1-GE3 | 1.2900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4894 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 8.9a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1580 PF @ 15 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||
 | SIHA4N80E-GE3 | 1.0457 | | 5969 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha4 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 4.3a (TC) | 10V | 1,27OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 30 v | 622 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||||
 | SQM120N02-1M3L_GE3 | 1.8981 | | 9857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 20 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,3 MOHM @ 40A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 290 nc @ 10 v | ± 20 V | 14500 PF @ 10 V. | - - - | 375W (TC) | ||||||
 | SIHF30N60E-GE3 | 6.1200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF30 | MOSFET (Metalloxid) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2600 PF @ 100 V | - - - | 37W (TC) | ||||||
| IRF720StrRPBF | 1.1558 | | 2676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF720 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1,8ohm @ 2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 410 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SISA72DN-T1-GE3 | 0,9400 | | 7733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa72 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | +20V, -16v | 3240 PF @ 20 V | - - - | 52W (TC) | |||||
 | SI3445DV-T1-GE3 | - - - | | 9610 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3445 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 5.6a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 42mohm @ 5,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 25 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 2W (TA) | |||||
 | SQJ488EP-T2_GE3 | 1.3300 | | 6170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ488EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 7.1a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 978 PF @ 50 V | - - - | 83W (TC) | ||||||
| SIHG40N60E-GE3 | 6.8800 | | 428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 40a (TC) | 10V | 75mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 197 NC @ 10 V | ± 30 v | 4436 PF @ 100 V | - - - | 329W (TC) |
2000+
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