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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Siz728dt-T1-GE3 | - - - |  | 4950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Siz728 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 48W | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 25 v | 16a, 35a | 7,7 MOHM @ 18A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 890PF @ 12.5V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI7489DP-T1-GE3 | 2.6700 | | 8998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7489 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 41mohm @ 7.8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SIHFPS40N50L-GE3 | 7.6600 | | 935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHFPS40N50L-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 500 V | 46a (TC) | 10V | 100mohm @ 28a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 380 nc @ 10 v | ± 30 v | 8110 PF @ 25 V. | - - - | 540W (TC) | |||||
 | SQJ942EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ942 | MOSFET (Metalloxid) | 17W, 48W | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 15a (TC), 45A (TC) | 22mohm @ 7.8a, 10V, 11MOHM @ 10.1a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 19,7nc @ 10v, 33,8nc @ 10v | 809PF @ 20V, 1451pf @ 20V | - - - | ||||||||
 | SI4944DY-T1-E3 | - - - | | 8283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4944 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 9.3a | 9,5 MOHM @ 12,2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHP065N60E-BE3 | 7.2600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 40a (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 74 NC @ 10 V | ± 30 v | 2700 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||||
 | SI7812DN-T1-GE3 | 2.0800 | | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7812 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 37mohm @ 7.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 840 PF @ 35 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIB413DK-T1-GE3 | - - - | | 3563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB413 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 75mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 7.63 NC @ 5 V. | ± 12 V | 357 PF @ 10 V. | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SI7454FDP-T1-RE3 | 0,8800 | | 3018 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 7.2a (TA), 23,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 26,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1110 PF @ 50 V | - - - | 3.6W (TA), 39W (TC) | ||||||
 | SIE816DF-T1-E3 | - - - | | 2616 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie816 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 10V | 7.4mohm @ 19.8a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 3100 PF @ 30 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | 2N6660JTVP02 | - - - | | 7427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6660 | MOSFET (Metalloxid) | To-205ad (to-39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 60 v | 990 Ma (TC) | 5v, 10V | 3OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | SQ2319ADS-T1_BE3 | 0,6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2319 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 620 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TC) | ||||||
 | IRFIBC40GPBF | 3.9000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibc40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFIBC40GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 3,5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,1A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||
 | BS250KL-TR1-E3 | - - - | | 1974 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BS250 | MOSFET (Metalloxid) | To-92-18rm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 270 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 6OHM @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 3 NC @ 15 V | ± 20 V | - - - | 800 MW (TA) | |||||
 | SI5947DU-T1-E3 | - - - | | 8169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5947 | MOSFET (Metalloxid) | 10.4W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 6a | 58mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17nc @ 10v | 480pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRL3402L | - - - | | 5154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRL3402 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL3402L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 20 v | 85a (TC) | 4,5 V, 7V | 8mohm @ 51a, 7V | 700 MV @ 250 um (min) | 78 NC @ 4,5 V | ± 10 V | 3300 PF @ 15 V | - - - | 110W (TC) | |||
 | IRFR220TRPBF | 0,9300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR220 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 4.8a (TC) | 10V | 800MOHM @ 2,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SUD15N15-95-BE3 | 2.2000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud15 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-Sud15N15-95-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 150 v | 15a (TC) | 6 V, 10V | 95mohm @ 15a, 10V | 2v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 2,7W (TA), 62W (TC) | |||||
| SIHP155N60EF-GE3 | 3.7700 | | 4627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP155 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHP155N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 155mohm @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1465 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
 | Irf630strr | - - - | | 7897 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 800 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
 | IRLZ34SPBF | 2.1700 | | 25 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ34 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | Irfz44r | - - - | | 5443 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irfz44 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfz44r | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | SI3438DV-T1-GE3 | 1.1100 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3438 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 7.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 35,5 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 640 PF @ 20 V | - - - | 2W (TA), 3,5 W (TC) | |||||
 | SI1029X-T1-GE3 | 0,5100 | | 3281 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1029 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 60 v | 305 mA, 190 mA | 1,4OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,75nc @ 4,5 V | 30pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||
| SI3473DDV-T1-GE3 | 0,5100 | | 8133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 17,8 MOHM @ 8,7A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 57 NC @ 8 V | ± 8 v | 1975 PF @ 6 V | - - - | 3.6W (TC) | |||||
 | SIA511DJ-T1-GE3 | - - - | | 7690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA511 | MOSFET (Metalloxid) | 6.5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 12V | 4,5a | 40mohm @ 4,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 12nc @ 8v | 400PF @ 6v | Logikpegel -tor | ||||||
| SIHB33N60EF-GE3 | 6.5000 | | 734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB33 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 98mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 30 v | 3454 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | |||||
| IRFS11N50ATRLP | 2.9400 | | 330 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS11 | MOSFET (Metalloxid) | To-263ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | |||||
| SIS106DN-T1-GE3 | 1.0500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis106 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9,8a (TA), 16a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 18,5 MOHM @ 4A, 10V | 4v @ 250 ähm | 13,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 540 PF @ 30 V | - - - | 3.2W (TA), 24W (TC) | |||||
| SI3457CDV-T1-E3 | 0,6400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3457 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 5.1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 74mohm @ 4.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 450 PF @ 15 V | - - - | 3W (TC) |
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