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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFB20N50KPBF | 5.2300 |  | 39 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFB20N50KPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 250 Mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 2870 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | ||||
 | IRF634STRLPBF | 0,7541 | | 2731 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF634 | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 8.1a (TC) | ||||||||||||||||||
 | SI7904BDN-T1-E3 | 1.3200 | | 8098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7904 | MOSFET (Metalloxid) | 17.8W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 6a | 30mohm @ 7.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 24nc @ 8v | 860PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFP244 | - - - | | 5470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP244 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP244 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 250 V | 15a (TC) | 10V | 280MOHM @ 9A, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | SIR165DP-T1-GE3 | 1.6400 | | 764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir165 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 138 NC @ 10 V | ± 20 V | 4930 PF @ 15 V | - - - | 69,4W (TC) | |||||
 | SIHP6N80E-BE3 | 2.4400 | | 900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 940Mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 827 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||||
 | SI3473CDV-T1-BE3 | 0,7100 | | 2129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3473CDV-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8a (ta), 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 22mohm @ 8.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 65 NC @ 8 V | ± 8 v | 2010 PF @ 6 V | - - - | 2W (TA), 4,2W (TC) | ||||||
 | SI3552DV-T1-E3 | 0,7000 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3552 | MOSFET (Metalloxid) | 1.15W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 2.5a | 105mohm @ 2,5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 3.2nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFBF20L | - - - | | 8998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFBF20 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBF20L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 54W (TC) | |||
| SIHW30N60E-GE3 | 6.4000 | | 159 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | SIHW30 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 2600 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | IRFU9024 | - - - | | 9072 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU9024 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 60 v | 8.8a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | SIJ482DP-T1-GE3 | 1,8000 | | 1441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ482 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,7 V @ 250 ähm | 71 NC @ 10 V | ± 20 V | 2425 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 69,4W (TC) | |||||
| SQJA86EP-T1_GE3 | 1.0600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja86 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||
 | SIHFL9014TR-GE3 | 0,7900 | | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SIHFL9014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 1,8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1,1a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
| IRFP27N60KPBF | 9.8100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP27 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP27N60KPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 27a (TC) | 10V | 220mohm @ 16a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | ± 30 v | 4660 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | ||||
| IRFBC40LPBF | 2.3505 | | 3688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFBC40LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | ||||
| IRF9Z34strr | - - - | | 4459 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 10V | 140Mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
 | SI4946CDY-T1-GE3 | 0,9600 | | 9283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4946 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA), 2,8 W (TC) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5.2a (TA), 6.1a (TC) | 40,9mohm @ 5.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10nc @ 10v | 350pf @ 30v | - - - | |||||||
| IRL540Strl | - - - | | 1719 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | 2v @ 250 ähm | 64 NC @ 5 V | ± 10 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SI4431BDY-T1-GE3 | 1.1200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4431 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 5.7A (TA) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 7.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| SI4483EDY-T1-E3 | - - - | | 9257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4483 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 25 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| SUG90090E-GE3 | 4.3900 | | 3066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Sug90090 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 200 v | 100a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 129 NC @ 10 V | ± 20 V | 5220 PF @ 100 V | - - - | 395W (TC) | |||||
 | SQD50N06-09L_GE3 | 5.0200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 3065 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||
 | 2N5115JTXL02 | - - - | | 6135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5115 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | SI2316DS-T1-GE3 | 0,2741 | | 2054 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2316 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2,9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 50MOHM @ 3.4a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 7 NC @ 10 V | ± 20 V | 215 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||
| IRL640L | - - - | | 9208 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRL640 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL640L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 180Mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 66 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||
| SI7356ADP-T1-E3 | - - - | | 7151 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7356 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6215 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
 | SQM120N10-3M8_GE3 | 3.8400 | | 1089 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 10V | 3,8 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 7230 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||
| Irlz34strr | - - - | | 6475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ34 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SISH617DN-T1-GE3 | 0,9600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH617 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 13,9a (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12.3mohm @ 13.9a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 59 NC @ 10 V | ± 25 V | 1800 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) |
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