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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUP45N03-13L-E3 | - - - |  | 2190 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup45 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 30 v | 45a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 45a, 10V | 3v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 10 V | 2730 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | ||||
 | SIS488DN-T1-GE3 | 0,9700 | | 1255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS488 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1330 PF @ 20 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | Sia811dj-t1-e3 | - - - | | 9902 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA811 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4,5a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 94mohm @ 2,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 13 NC @ 8 V | ± 8 v | 355 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,9W (TA), 6,5W (TC) | ||||
 | SI4940DY-T1-GE3 | - - - | | 5190 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4940 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 4.2a | 36mohm @ 5.7a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 14nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFR9210TRPBF | 1.3500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 200 v | 1,9a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SIJ4819DP-T1-GE3 | 2.2100 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 v | 11,5a (TA), 44,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20,7mohm @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 20 V | 3420 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 73,5W (TC) | ||||||
 | IRFU9220PBF | 2.2900 | | 5894 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9220 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU9220PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | SIR872DP-T1-GE3 | 2.8600 | | 6287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir872 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 53,7a (TC) | 10V | 18MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 2130 PF @ 75 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SI9410BDY-T1-E3 | - - - | | 3288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9410 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 6.2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 8.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SI4276DY-T1-GE3 | - - - | | 1826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4276 | MOSFET (Metalloxid) | 3.6W, 2.8W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 15,3mohm @ 9,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1000pf @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI6967DQ-T1-E3 | - - - | | 9745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6967 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | - - - | 30mohm @ 5a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 40nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFP054 | - - - | | 1317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP054 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP054 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 60 v | 70a (TC) | 10V | 14mohm @ 54a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4500 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||
| SI4276DY-T1-E3 | - - - | | 9791 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4276 | MOSFET (Metalloxid) | 3.6W, 2.8W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 15,3mohm @ 9,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1000pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIE848DF-T1-E3 | - - - | | 1766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie848 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 25a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 138 NC @ 10 V | ± 20 V | 6100 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | Siz728dt-T1-GE3 | - - - | | 4950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Siz728 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 48W | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 25 v | 16a, 35a | 7,7 MOHM @ 18A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 890PF @ 12.5V | Logikpegel -tor | |||||||
| SI7489DP-T1-GE3 | 2.6700 | | 8998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7489 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 41mohm @ 7.8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SIHFPS40N50L-GE3 | 7.6600 | | 935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHFPS40N50L-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 500 V | 46a (TC) | 10V | 100mohm @ 28a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 380 nc @ 10 v | ± 30 v | 8110 PF @ 25 V. | - - - | 540W (TC) | |||||
 | SQJ942EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ942 | MOSFET (Metalloxid) | 17W, 48W | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 15a (TC), 45A (TC) | 22mohm @ 7.8a, 10V, 11MOHM @ 10.1a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 19,7nc @ 10v, 33,8nc @ 10v | 809PF @ 20V, 1451pf @ 20V | - - - | ||||||||
| SI4944DY-T1-E3 | - - - | | 8283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4944 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 9.3a | 9,5 MOHM @ 12,2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHP065N60E-BE3 | 7.2600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 40a (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 74 NC @ 10 V | ± 30 v | 2700 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||||
 | SI7812DN-T1-GE3 | 2.0800 | | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7812 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 37mohm @ 7.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 840 PF @ 35 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIB413DK-T1-GE3 | - - - | | 3563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB413 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 75mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 7.63 NC @ 5 V. | ± 12 V | 357 PF @ 10 V. | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SI7454FDP-T1-RE3 | 0,8800 | | 3018 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 7.2a (TA), 23,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 26,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1110 PF @ 50 V | - - - | 3.6W (TA), 39W (TC) | ||||||
| SIE816DF-T1-E3 | - - - | | 2616 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie816 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 10V | 7.4mohm @ 19.8a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 3100 PF @ 30 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | 2N6660JTVP02 | - - - | | 7427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6660 | MOSFET (Metalloxid) | To-205ad (to-39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 60 v | 990 Ma (TC) | 5v, 10V | 3OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | SQ2319ADS-T1_BE3 | 0,6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2319 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 620 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TC) | ||||||
 | IRFIBC40GPBF | 3.9000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibc40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFIBC40GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 3,5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,1A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||
 | BS250KL-TR1-E3 | - - - | | 1974 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BS250 | MOSFET (Metalloxid) | To-92-18rm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 270 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 6OHM @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 3 NC @ 15 V | ± 20 V | - - - | 800 MW (TA) | |||||
 | SI5947DU-T1-E3 | - - - | | 8169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5947 | MOSFET (Metalloxid) | 10.4W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 6a | 58mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17nc @ 10v | 480pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFR220TRPBF | 0,9300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR220 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 4.8a (TC) | 10V | 800MOHM @ 2,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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