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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1563DH-T1-GE3 | - - - |  | 8658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1563 | MOSFET (Metalloxid) | 570 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 1.13a, 880 ma | 280 MOHM @ 1,13A, 4,5 V. | 1 V @ 100 µA | 2nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI3433CDV-T1-BE3 | 0,5100 | | 4370 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.2a (TA), 6a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 38mohm @ 5,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 45 nc @ 8 v | ± 8 v | 1300 PF @ 10 V | - - - | 1,6W (TA), 3,3 W (TC) | |||||||
 | IRF720S | - - - | | 4878 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF720 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF720S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1,8ohm @ 2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 410 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
 | SIHFL9110TR-GE3 | 0,6000 | | 2077 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SIHFL9110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 1.1a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 660 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | SI7848BDP-T1-GE3 | 1.7500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7848 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 47a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 16a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 2000 PF @ 20 V | - - - | 4.2W (TA), 36W (TC) | |||||
 | SI3443CDV-T1-GE3 | 0,5400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3443 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.97a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 60mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 12.4 NC @ 5 V. | ± 12 V | 610 PF @ 10 V | - - - | 2W (TA), 3,2 W (TC) | |||||
| Irf510strr | - - - | | 8602 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | ||||
 | SI4933DY-T1-GE3 | - - - | | 1767 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4933 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 7.4a | 14mohm @ 9,8a, 4,5 V. | 1V @ 500 ähm | 70NC @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI3493DV-T1-GE3 | - - - | | 1209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 32 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.1W (TA) | |||||
 | IRF9640PBF-BE3 | 2.0400 | | 674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9640 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF9640PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
| IRF540STRLPBF | 2.3500 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | IRFP240PBF | 2.9500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP240 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP240PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 200 v | 20A (TC) | 10V | 180mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
| SIHP22N60AEL-GE3 | - - - | | 8558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 82 NC @ 10 V | ± 30 v | 1757 PF @ 100 V | - - - | 208W (TC) | |||||
 | Sira96DP-T1-GE3 | 0,5200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira96 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.8mohm @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | +20V, -16v | 1385 PF @ 15 V | - - - | 34.7W (TC) | |||||
| IRFS11N50ATRR | - - - | | 2998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS11 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | ||||
 | SQM40N15-38_GE3 | 2.8300 | | 1040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM40 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 40a (TC) | 6 V, 10V | 38mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 3390 PF @ 25 V. | - - - | 166W (TC) | |||||
| IRL530StrRPBF | 1.1925 | | 3756 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL530 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 15a (TC) | 4V, 5V | 160MOHM @ 9A, 5V | 2v @ 250 ähm | 28 NC @ 5 V | ± 10 V | 930 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SUD50N06-07L-GE3 | - - - | | 2117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 96a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.4mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 144 NC @ 10 V | ± 20 V | 5800 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||
 | IRLI530G | - - - | | 6840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRLI530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRLI530G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 9.7a (TC) | 4V, 5V | 160 MOHM @ 5.8a, 5V | 2v @ 250 ähm | 28 NC @ 5 V | ± 10 V | 930 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||
| SIHD5N50D-E3 | 1.2400 | | 6018 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd5 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | |||||
| SQ3427EV-T1_GE3 | 0,6900 | | 445 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 5.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 95mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1000 PF @ 30 V | - - - | 5W (TC) | |||||
 | SI7655ADN-T1-GE3 | 0,9200 | | 42 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SI7655 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 40a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 3,6 MOHM @ 20A, 10V | 1,1 V @ 250 ähm | 225 NC @ 10 V | ± 12 V | 6600 PF @ 10 V. | - - - | 4,8W (TA), 57W (TC) | |||||
 | SI5509DC-T1-GE3 | - - - | | 3837 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5509 | MOSFET (Metalloxid) | 4.5W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 6.1a, 4,8a | 52mohm @ 5a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 6.6nc @ 5v | 455PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4501ADY-T1-GE3 | - - - | | 7897 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4501 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 30 V, 8 V. | 6.3a, 4.1a | 18mohm @ 8.8a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 20nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRF510L | - - - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF510L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||||
| IRFI9Z14G | - - - | | 8886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfi9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi9z14g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 5.3a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | |||
| IRFP9240 | - - - | | 8659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP9240 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP9240 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 200 v | 12a (TC) | 10V | 500mohm @ 7.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
| Irlz44strl | - - - | | 5204 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ44 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5v | 2v @ 250 ähm | 66 NC @ 5 V. | ± 10 V | 3300 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
| IRFI520G | - - - | | 4610 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi520g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 7.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | |||
 | Siz200DT-T1-GE3 | 1.0300 | | 8725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz200 | MOSFET (Metalloxid) | 4,3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 22A (TA), 61A (TC), 22A (TA), 60A (TC) | 5,5 MOHM @ 10a, 10 V, 5,8 MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 28nc @ 10v, 30nc @ 10v | 1510pf @ 15V, 1600pf @ 15V | - - - |
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