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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFI520GPBF | 1.6000 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI520GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 7.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | ||||
 | IRFU010 | - - - | | 7745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Irfu | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 50 v | 8.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | ||||
 | SI3469DV-T1-E3 | 0,6600 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3469 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 6.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||||
 | SI4456DY-T1-E3 | 2.7900 | | 3107 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4456 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 33a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 20 V | 5670 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | |||||
| SI4114DY-T1-E3 | 1.7000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4114 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 10a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 16 v | 3700 PF @ 10 V. | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | SIHA25N50E-E3 | 3.2000 | | 6980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha25 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 26a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1980 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | |||||
 | IRFR9024TRL | - - - | | 9679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 8.8a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | IRFP350PBF | 3.8100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP350 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP350PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 400 V | 16a (TC) | 10V | 300mohm @ 9.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2600 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | ||||
 | Irfz48r | - - - | | 6729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irfz48 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfz48r | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
 | SIZ348DT-T1-GE3 | 1.1500 | | 5734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz348 | MOSFET (Metalloxid) | 3,7W (TA), 16,7W (TC) | 8-Power33 (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 18a (TA), 30a (TC) | 7.12mohm @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 18.2nc @ 10v | 820pf @ 15V | - - - | |||||||
 | SQ1470AEH-T1_GE3 | 0,6000 | | 272 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1470 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1.7a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 65mohm @ 4,2a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 5,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 450 PF @ 15 V | - - - | 3.3W (TC) | |||||
 | SUM110N04-04-E3 | - - - | | 4463 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 110a (TC) | 10V | 3,5 MOHM @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | ± 20 V | 6800 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 250 W (TC) | |||||
 | SI1307DL-T1-GE3 | - - - | | 8633 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1307 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 850 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 290MOHM @ 1A, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 290 MW (TA) | |||||
| IRFR120TRL | - - - | | 9931 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | IRF510L | - - - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF510L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||||
| SQM40N15-38_GE3 | 2.8300 | | 1040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM40 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 40a (TC) | 6 V, 10V | 38mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 3390 PF @ 25 V. | - - - | 166W (TC) | |||||
| SQ3427EV-T1_GE3 | 0,6900 | | 445 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 5.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 95mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1000 PF @ 30 V | - - - | 5W (TC) | |||||
| SI4501ADY-T1-GE3 | - - - | | 7897 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4501 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 30 V, 8 V. | 6.3a, 4.1a | 18mohm @ 8.8a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 20nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFP9240 | - - - | | 8659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP9240 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP9240 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 200 v | 12a (TC) | 10V | 500mohm @ 7.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
| IRFI9Z14G | - - - | | 8886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfi9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi9z14g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 5.3a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | |||
 | SIHD5N50D-E3 | 1.2400 | | 6018 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd5 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | |||||
 | SIHP22N60AEL-GE3 | - - - | | 8558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 82 NC @ 10 V | ± 30 v | 1757 PF @ 100 V | - - - | 208W (TC) | |||||
 | SI3433CDV-T1-BE3 | 0,5100 | | 4370 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.2a (TA), 6a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 38mohm @ 5,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 45 nc @ 8 v | ± 8 v | 1300 PF @ 10 V | - - - | 1,6W (TA), 3,3 W (TC) | |||||||
 | Sira96DP-T1-GE3 | 0,5200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira96 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.8mohm @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | +20V, -16v | 1385 PF @ 15 V | - - - | 34.7W (TC) | |||||
| IRLI530G | - - - | | 6840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRLI530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRLI530G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 9.7a (TC) | 4V, 5V | 160 MOHM @ 5.8a, 5V | 2v @ 250 ähm | 28 NC @ 5 V | ± 10 V | 930 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||
 | IRL530StrRPBF | 1.1925 | | 3756 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL530 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 15a (TC) | 4V, 5V | 160MOHM @ 9A, 5V | 2v @ 250 ähm | 28 NC @ 5 V | ± 10 V | 930 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SI5509DC-T1-GE3 | - - - | | 3837 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5509 | MOSFET (Metalloxid) | 4.5W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 6.1a, 4,8a | 52mohm @ 5a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 6.6nc @ 5v | 455PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFP240PBF | 2.9500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP240 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP240PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 200 v | 20A (TC) | 10V | 180mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
| SUD50N06-07L-GE3 | - - - | | 2117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 96a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.4mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 144 NC @ 10 V | ± 20 V | 5800 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||
| IRFS11N50ATRR | - - - | | 2998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS11 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) |
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