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Transistoren (888)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSM2314CX RFG | 0,5307 |  | 39 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TSM2314 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4,9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 33mohm @ 4,9a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 11 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 900 PF @ 10 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||||||||
 | TSM13N50ACZ C0G | - - - | | 9596 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 13a (TC) | 10V | 480MOHM @ 6.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 30 v | 1965 PF @ 25 V. | - - - | 52W (TC) | ||||||||||||
 | TSM60NB600CP ROG | 3.3600 | | 6944 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 30 v | 516 PF @ 100 V | - - - | 63W (TC) | |||||||||||
 | TSM2N7000KCT A3G | - - - | | 7157 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | TSM2N7000 | MOSFET (Metalloxid) | To-92 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 300 mA (TA) | 5v, 10V | 5ohm @ 100 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,4 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 60 PF @ 25 V | - - - | 400 MW (TA) | |||||||||||
| BC817-40 RFG | 0,0346 | | 2983 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | TSM4436CS RLG | 1.5200 | | 65 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TSM4436 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 36mohm @ 4.6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10,5 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 1100 PF @ 30 V | - - - | 2,5 W (TA) | |||||||||||
 | BC846AW RFG | 0,0368 | | 1445 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | TSM60NB041PW C1G | 28.2500 | | 2 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 78a (TC) | 10V | 41mohm @ 21.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 139 NC @ 10 V | ± 30 v | 6120 PF @ 100 V | - - - | 446W (TC) | |||||||||||
 | TSM210N02CX | 0,2725 | | 9842 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TSM210 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM210N02CXTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | N-Kanal | 20 v | 6.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 21mohm @ 4a, 4,5 V. | 0,8 V @ 250 ähm | 5,8 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 600 PF @ 10 V. | - - - | 1,56W (TC) | |||||||||||
 | TSM480P06CH X0G | 2.1700 | | 9 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | TSM480 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 60 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 48mohm @ 8a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 22.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1250 PF @ 30 V | - - - | 66W (TC) | |||||||||||
 | TSM60NB900CH C5G | 2.9000 | | 55 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 10V | 900mohm @ 1,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 9.6 NC @ 10 V. | ± 30 v | 315 PF @ 100 V | - - - | 36,8 W (TC) | |||||||||||
 | TSM038N03PQ33 RGG | 1.7900 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | TSM038 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (3.1x3.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 78a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,8 MOHM @ 19A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 25 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2557 PF @ 15 V | - - - | 39W (TC) | |||||||||||
| BC338-25 A1G | - - - | | 7385 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC338 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 25 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | TQM110NB04CR RLG | 2.5700 | | 4 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powertdfn | Tqm110 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFNU (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 12a (ta), 54a (TC) | 7v, 10V | 11Mohm @ 12a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1352 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 68W (TC) | |||||||||||
| TSM5NC50CP | 0,9828 | | 3969 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM5 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM5NC50CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,38OHM @ 2,4a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 30 v | 586 PF @ 50 V | - - - | 83W (TC) | |||||||||||
 | TSM6NB60CI C0G | - - - | | 4379 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MOSFET (Metalloxid) | ITO-220AB | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 6a (TC) | 10V | 1,6OHM @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 18,3 NC @ 10 V. | ± 30 v | 872 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||
| TSM70N1R4CH C5G | 0,4482 | | 8249 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | TSM70 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 700 V | 3.3a (TC) | 10V | 1,4OHM @ 1,2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 7,7 NC @ 10 V | ± 30 v | 370 PF @ 100 V | - - - | 38W (TC) | |||||||||||
| TSM2303CX RFG | - - - | | 9737 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TSM2303 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1,3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 180 MOHM @ 1,3A, 10V | 3v @ 250 ähm | 3,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 565 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||
| BC337-40-B0 A1G | - - - | | 2104 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC337-40-B0A1GTB | Veraltet | 1 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
| TSM60NB380CP | 2.2100 | | 7950 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM60NB380CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 600 V | 9,5a (TC) | 10V | 380MOHM @ 2,85A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19,4 NC @ 10 V. | ± 30 v | 795 PF @ 100 V | - - - | 83W (TC) | |||||||||||
| TSM300NB06LCV | 0,5871 | | 7640 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | TSM300 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (3.15x3.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM300NB06LCVTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 5A (TA), 24A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 962 PF @ 30 V | - - - | 1,9W (TA), 39W (TC) | |||||||||||
| TSM900N10CP ROG | 1.7200 | | 35 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM900 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 90 MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 1480 PF @ 50 V | - - - | 50W (TC) | |||||||||||
| TSM60NC390CH C5G | 5.5100 | | 15 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 390MOHM @ 3,8a, 10V | 5v @ 1ma | 21.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 818 PF @ 100 V | - - - | 125W (TC) | |||||||||||
| TSM250N02CX | 0,2763 | | 4236 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TSM250 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM250N02CXTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | N-Kanal | 20 v | 5.8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 25mohm @ 4a, 4,5 V. | 0,8 V @ 250 ähm | 7,7 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 535 PF @ 10 V. | - - - | 1,56W (TC) | |||||||||||
 | TSM033NA04LCR RLG | 1.6100 | | 495 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM033 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 141a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,3 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 3130 PF @ 20 V | - - - | 125W (TC) | |||||||||||
 | TSM3446CX6 RFG | 0,8700 | | 34 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | TSM3446 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5.3a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 33mohm @ 5,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 8,8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 700 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||
| TSM680P06CZ C0G | - - - | | 4105 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TSM680P06CZC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 68mohm @ 6a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 16.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 870 PF @ 30 V | - - - | 42W (TC) | |||||||||||
 | TSM6968SDCA RVG | 1.5300 | | 136 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TSM6968 | MOSFET (Metalloxid) | 1.04W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 6,5a (ta) | 22mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15nc @ 4,5 V | 950pf @ 10v | - - - | |||||||||||||
 | KTC3198-O B1G | - - - | | 7703 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KTC3198 | 500 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 70 @ 2ma, 6v | 80MHz | |||||||||||||||
| TSM13N50ACI C0G | - - - | | 2469 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MOSFET (Metalloxid) | ITO-220AB | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 13a (TC) | 10V | 480MOHM @ 6.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 30 v | 1965 PF @ 25 V. | - - - | 52W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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