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Transistoren (888)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSM9ND50CI | 3.3700 |  | 3 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSM9 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 9a (TC) | 10V | 900mohm @ 2,3a, 10 V | 3,8 V @ 250 ähm | 24,5 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1116 PF @ 50 V | - - - | 50W (TC) | |||||||||||
 | TSM1N45CT B0G | - - - | | 5598 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MOSFET (Metalloxid) | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 450 V | 500 Ma (TC) | 10V | 4.25ohm @ 250 mA, 10V | 4,25 V @ 250 ähm | 6,5 NC @ 10 V. | ± 30 v | 235 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TC) | ||||||||||||
 | TSM2N100CP ROG | - - - | | 1954 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM2N100 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 1000 v | 1,85a (TC) | 10V | 8.5OHM @ 900 mA, 10V | 5,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 625 PF @ 25 V. | - - - | 77W (TC) | |||||||||||
 | TSD2150ACY RMG | - - - | | 6148 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 600 MW | SOT-89 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSD2150ACRMGTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 50 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 200 @ 500 Ma, 2V | 90 MHz | |||||||||||||||
| BC338-40-B0 A1 | - - - | | 4614 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC338-40-B0A1TB | Veraltet | 1 | 25 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
| BC550C A1 | - - - | | 9975 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC550CA1TB | Veraltet | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 420 @ 2MA, 5V | - - - | ||||||||||||||||||
| TSM110NB04LDCR | 1.1455 | | 5240 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM110 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA), 48W (TC) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM110NB04LDCRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 10A (TA), 48A (TC) | 11mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v | 1269PF @ 20V | - - - | |||||||||||||
 | BC807-25 | 0,0333 | | 2846 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC807 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC807-25TR | Ear99 | 8541.21.0075 | 6.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | BC550B | 0,0447 | | 2702 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC550 | 500 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC550BTB | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 200 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||||||||||
| BC817-16 | 0,0336 | | 8345 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC817-16tr | Ear99 | 8541.21.0075 | 6.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||
| BC848C | 0,0337 | | 9340 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC848Ctr | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 30 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| TSM60NB260CI | 4.2905 | | 8831 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM60NB260CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 260 MOHM @ 3,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 1273 PF @ 100 V | - - - | 32.1W (TC) | |||||||||||
| TSM089N08LCR | 2.1142 | | 5536 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM089 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM089N08LCRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 80 v | 12a (TA), 67A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,9mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 6119 PF @ 40 V | - - - | 2,6 W (TA), 83W (TC) | |||||||||||
| TSM60NC196CI | 4.2719 | | 1888 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM60NC196CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 5v @ 1ma | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1535 PF @ 300 V | - - - | 70W (TC) | |||||||||||
| TSM055N03PQ56 | 0,7033 | | 5653 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM055 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x5,8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM055N03PQ56TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 11.1 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1160 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||||||||||
| TSM043NB04LCZ | 1.7791 | | 7779 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TSM043 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM043NB04LCZ | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 40 v | 16a (TA), 124a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,3 MOHM @ 16A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 76 NC @ 10 V | ± 20 V | 4387 PF @ 20 V | - - - | 2W (TA), 125W (TC) | |||||||||||
| TSM085NB03DCR | 0,9944 | | 8310 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM085 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA), 40W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM085NB03DCRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 12a (TA), 51a (TC) | 8.5Mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 1091pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||
| TSM70N900CI | 2.3232 | | 4666 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSM70 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM70N900CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 700 V | 4,5a (TC) | 10V | 900MOHM @ 1,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 9.7 NC @ 10 V. | ± 30 v | 482 PF @ 100 V | - - - | 20W (TC) | |||||||||||
| TSM4NB65CH | 0,9576 | | 7165 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | TSM4 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM4NB65CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-Kanal | 650 V | 4a (TC) | 10V | 3.37ohm @ 2a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 13.46 NC @ 10 V | ± 30 v | 549 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||
| TSM4NB65CI | 1.1907 | | 6270 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSM4 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM4NB65CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 650 V | 4a (TC) | 10V | 3.37ohm @ 2a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 13.46 NC @ 10 V | ± 30 v | 549 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||||||||||
| TSM3457CX6 | 0,3881 | | 6115 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | TSM3457 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM3457CX6TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | P-Kanal | 30 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 60mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9.52 NC @ 10 V | ± 20 V | 551.57 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||
| TSM300NB06LDCR | 0,9850 | | 9547 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM300 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA), 40W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM300NB06LDCRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5A (TA), 24A (TC) | 30mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 17nc @ 10v | 966PF @ 30V | Logikpegel -tor | |||||||||||||
| TSM650P02CX | 0,2435 | | 6711 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TSM650 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM650P02CXTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | P-Kanal | 20 v | 4.1a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 65mohm @ 3a, 4,5 V. | 0,8 V @ 250 ähm | 6,4 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 515 PF @ 10 V | - - - | 1,56W (TC) | |||||||||||
| BC847A | 0,0334 | | 1748 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC847atr | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 45 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| BC848A | 0,0334 | | 7604 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC848atr | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 30 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| BC848B | 0,0334 | | 3664 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC848BTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 30 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| TSM180P03Cs | 0,6100 | | 5273 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TSM180 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM180P03CSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 30 v | 10a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18Mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1730 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TC) | |||||||||||
| TSM70N900CP | 1.9252 | | 4507 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM70 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM70N900CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 700 V | 4,5a (TC) | 10V | 900MOHM @ 1,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 9.7 NC @ 10 V. | ± 30 v | 482 PF @ 100 V | - - - | 50W (TC) | |||||||||||
| TSM900N10CP | 0,7584 | | 4167 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM900 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM900N10CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 100 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 90 MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 1480 PF @ 50 V | - - - | 50W (TC) | |||||||||||
| TSM2537CQ | 0,5543 | | 8608 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VDFN-Exponiertebad | TSM2537 | MOSFET (Metalloxid) | 6.25W | 6-TDFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM2537CQTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | N und p-kanal | 20V | 11,6a (TC), 9A (TC) | 30MOHM @ 6,4A, 4,5 V, 55MOHM @ 5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 9.1nc @ 4,5V, 9,8nc @ 4,5 V | 677PF @ 10V, 744PF @ 10V | Logikpegel -Tor, 1,8 V Auftwerk |
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Standardprodukteinheit
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