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Transistoren (888)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC846a | 0,0334 |  | 7106 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC846 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC846atr | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 65 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||
 | TSM070NH04LCV RGG | 2.2500 | | 9 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (3.1x3.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 14A (TA), 54a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 27a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 16 v | 1376 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | |||||||||||
| TSM056NH04LCV RGG | 2.9300 | | 9 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (3.1x3.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 16a (TA), 54a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.6mohm @ 27a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 16 v | 2076 PF @ 25 V. | - - - | 34W (TC) | |||||||||||
 | BC848AW | 0,0357 | | 4512 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC848AWTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 18.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||
 | TSM60NB900CH | 1.2444 | | 9004 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM60NB900CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 10V | 900mohm @ 1,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 9.6 NC @ 10 V. | ± 30 v | 315 PF @ 100 V | - - - | 36,8 W (TC) | ||||||||||
 | TSM160P04LCRHRLG | - - - | | 1572 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM160 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 51a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 2712 PF @ 20 V | - - - | 69W (TC) | ||||||||||
 | TSM2311CX RFG | - - - | | 3331 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 55mohm @ 4a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 640 PF @ 6 V | - - - | 900 MW (TA) | |||||||||||
| TSM2312CX RFG | 0,5900 | | 190 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TSM2312 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4,9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 33mohm @ 4,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11.2 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 500 PF @ 10 V. | - - - | 750 MW (TA) | ||||||||||
| TSM2N7002AKCU RFG | 0,3700 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 240 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 2,5 Ohm @ 240 mA, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 0,68 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 30 PF @ 30 V | - - - | 298mw (TA) | |||||||||||
| TSM60NC1R5CH C5G | 2.9400 | | 14 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 600 V | 3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1a, 10 V. | 5v @ 1ma | 7.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 242 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | ||||||||||
| KTC3198-Y-M0 B2G | - - - | | 3249 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-KTC3198-Y-M0B2G | Veraltet | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 150 mA, 6 V | 80MHz | |||||||||||||||||
| BC337-25-B0 A1 | - - - | | 9431 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC337-25-B0A1TB | Veraltet | 1 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| BC338-16-B0 A1G | - - - | | 8632 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC338-16-B0A1GTB | Veraltet | 1 | 25 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | BC550A B1 | - - - | | 2181 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC550AB1 | Veraltet | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 110 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||||||||||||
| BC338-25-B0 B1 | - - - | | 2012 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC338-25-B0B1 | Veraltet | 1 | 25 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| BC338-25-B0 A1G | - - - | | 9538 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC338-25-B0A1GTB | Veraltet | 1 | 25 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| KTC3198-BL-B0 A1G | - - - | | 8751 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-KTC3198-BL-B0A1GTB | Veraltet | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 3000 @ 150 mA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||||
| KTC3198-BL-B0 B1G | - - - | | 7665 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-KTC3198-BL-B0B1G | Veraltet | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 3000 @ 150 mA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||||
| BC550B A1 | - - - | | 6216 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC550BA1TB | Veraltet | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 200 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||||||||||||
| BC546B A1 | - - - | | 7652 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC546BA1TB | Veraltet | 4.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 200 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||||||||||||
| BC548B A1 | - - - | | 2833 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC548BA1TB | Veraltet | 1 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 200 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||||||||||||
| BC548C B1 | - - - | | 2889 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC548CB1 | Veraltet | 1 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 420 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||||||||||||
| BC548A B1 | - - - | | 9494 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC548AB1 | Veraltet | 1 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 110 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||||||||||||
| BC338-16-B0 B1 | - - - | | 4046 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC338-16-B0B1 | Veraltet | 1 | 25 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | TSM070NH04LCR RLG | 2.4300 | | 4 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFNU (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 15a (ta), 54a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 27a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 16 v | 1446 PF @ 25 V. | - - - | 46,8W (TC) | |||||||||||
| TSM070NH04CR RLG | 2.4300 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFNU (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 15a (ta), 54a (TC) | 7v, 10V | 7mohm @ 27a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 1337 PF @ 25 V. | - - - | 46,8W (TC) | |||||||||||
 | TSM60NC980CP ROG | 3.0700 | | 5100 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 (dpak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 10V | 980 MOHM @ 1,5A, 10V | 5v @ 1ma | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 330 PF @ 300 V | - - - | 57W (TC) | |||||||||||
 | TQM076NH04DCR RLG | 4.0900 | | 8230 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | TQM076 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TSG65N195CE RVG | 10.8700 | | 7675 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | TSG65 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TSG65N068CE RVG | 25.7700 | | 2537 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | TSG65 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 |
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