SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
BC856B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC856B RFG 0,0343
RFQ
ECAD 3590 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC856 200 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 ma 100NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 220 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N600CP ROG 5.1100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TSM70 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 700 V 8a (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 4v @ 250 ähm 12,6 NC @ 10 V. ± 30 v 743 PF @ 100 V - - - 83W (TC)
TSM130NB06LCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06LCR - - -
RFQ
ECAD 9671 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn TSM130 MOSFET (Metalloxid) 8-PDFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 10A (TA), 51a (TC) 4,5 V, 10 V. 13mohm @ 10a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 37 NC @ 10 V. ± 20 V 2175 PF @ 30 V - - - 3.1W (TA), 83W (TC)
TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX RFG 0,9000
RFQ
ECAD 76 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 TSM240 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 6,5a (TC) 4,5 V, 10 V. 24MOHM @ 6a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 4.1 NC @ 4.5 V. ± 20 V 345 PF @ 25 V. - - - 1,56W (TC)
TSM1NB60SCT A3 Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60SCT A3 - - -
RFQ
ECAD 5578 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads MOSFET (Metalloxid) To-92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen TSM1NB60SCTA3 Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 600 V 500 Ma (TC) 10V 10ohm @ 250 mA, 10V 4,5 V @ 250 ähm 6.1 NC @ 10 V ± 30 v 138 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TC)
TSM340N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM340N06CP ROG 1.6600
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TSM340 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 30a (TC) 4,5 V, 10 V. 34mohm @ 15a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 16.6 NC @ 10 V. ± 20 V 1180 PF @ 30 V - - - 66W (TC)
TSM10N80CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10N80CI C0G - - -
RFQ
ECAD 8795 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte TSM10 MOSFET (Metalloxid) ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 800 V 9,5a (TC) 10V 1,05OHM @ 4,75A, 10V 4v @ 250 ähm 53 NC @ 10 V ± 30 v 2336 PF @ 25 V. - - - 48W (TC)
TSM060N03CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03CP 0,7524
RFQ
ECAD 7994 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TSM060 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-TSM060N03CPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 20a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 11.1 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1160 PF @ 25 V. - - - 54W (TC)
TSM3911DCX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3911DCX6 RFG 1.6300
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 TSM3911 MOSFET (Metalloxid) 1.15W SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 20V 2.2a (TA) 140 MOHM @ 2,2A, 4,5 V. 950 MV @ 250 ähm 15.23nc @ 4,5V 882.51PF @ 6v - - -
KTC3198-Y B1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y B1G - - -
RFQ
ECAD 7526 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) KTC3198 500 MW To-92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 5.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 70 @ 2ma, 6v 80MHz
TSM120N06LCS Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCS 1.0840
RFQ
ECAD 7952 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) TSM120 MOSFET (Metalloxid) 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-TSM120N06LCSTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 v 10a (ta), 23a (TC) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 10a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 37 NC @ 10 V. ± 20 V 2193 PF @ 30 V - - - 2,2 W (TA), 12,5 W (TC)
TSM130NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06LCR RLG 2.0200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerldfn TSM130 MOSFET (Metalloxid) 8-PDFN (5,2x5,75) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 10A (TA), 51a (TC) 4,5 V, 10 V. 13mohm @ 10a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 37 NC @ 10 V. ± 20 V 2175 PF @ 30 V - - - 3.1W (TA), 83W (TC)
TSM4424CS RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4424CS RVG 1.0700
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) TSM4424 MOSFET (Metalloxid) 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 8a (TC) 1,8 V, 4,5 V. 30mohm @ 4,5a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 11.2 NC @ 4,5 V. ± 8 v 500 PF @ 10 V. - - - 2,5 W (TA)
TSM60N380CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380CH C5G 0,9084
RFQ
ECAD 5178 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa TSM60 MOSFET (Metalloxid) To-251 (ipak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 600 V 11a (TC) 10V 380MOHM @ 5.5A, 10V 4v @ 250 ähm 20,5 NC @ 10 V. ± 30 v 1040 PF @ 100 V - - - 125W (TC)
TSM340N06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM340N06CZ C0G - - -
RFQ
ECAD 1736 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen TSM340N06CZC0G Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 30a (TC) 4,5 V, 10 V. 34mohm @ 15a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 16.6 NC @ 10 V. ± 20 V 1180 PF @ 30 V - - - 66W (TC)
TSM1NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CH C5G 0,7448
RFQ
ECAD 1518 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa TSM1NB60 MOSFET (Metalloxid) To-251 (ipak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 600 V 1a (TC) 10V 10ohm @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 250 ähm 6.1 NC @ 10 V ± 30 v 138 PF @ 25 V. - - - 39W (TC)
TSM15N50CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM15N50CZ C0G - - -
RFQ
ECAD 2329 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TSM15 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 500 V 14a (TC) 10V 440Mohm @ 7a, 10V 4v @ 250 ähm 39 NC @ 10 V. ± 30 v 2263 PF @ 25 V. - - - - - -
BC338-16 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16 A1G - - -
RFQ
ECAD 7671 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC338 625 MW To-92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 4.000 25 v 800 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 100 MHz
BC817-16 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-16 RFG 0,0346
RFQ
ECAD 4048 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC817 300 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
MMBT2907A RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT2907A RFG 0,0342
RFQ
ECAD 1221 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBT2907 350 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 200 MHz
TSM5NC50CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CF C0G 1.1466
RFQ
ECAD 9875 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TSM5 MOSFET (Metalloxid) Ito-220s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 5a (TC) 10V 1,38OHM @ 1,7a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 586 PF @ 50 V - - - 40W (TC)
TSM6N60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM6N60CH C5G - - -
RFQ
ECAD 4899 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) To-251 (ipak) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 600 V 6a (TC) 10V 1,25OHM @ 3a, 10V 4v @ 250 ähm 20.7 NC @ 10 V ± 30 v 1248 PF @ 25 V. - - - 89W (TC)
TSM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR RLG 2.9400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn TSM033 MOSFET (Metalloxid) 8-PDFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 21A (TA), 121A (TC) 10V 3,3 MOHM @ 21A, 10V 4v @ 250 ähm 77 NC @ 10 V ± 20 V 5022 PF @ 20 V - - - 3.1W (TA), 107W (TC)
TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04CR RLG 1.4800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerldfn TSM150 MOSFET (Metalloxid) 8-PDFN (5,2x5,75) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 10A (TA), 41A (TC) 10V 15mohm @ 10a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 1092 PF @ 20 V - - - 3.1W (TA), 56W (TC)
TSM4ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CI 2.6800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte TSM4 MOSFET (Metalloxid) Ito-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 4a (TC) 10V 2,6OHM @ 1,2a, 10V 3,8 V @ 250 ähm 16,8 NC @ 10 V. ± 30 v 596 PF @ 50 V - - - 41,6W (TC)
TSM150NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04DCR RLG 2.2400
RFQ
ECAD 423 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn TSM150 MOSFET (Metalloxid) 2W (TA), 40W (TC) 8-PDFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 40V 8A (TA), 38a (TC) 15mohm @ 8a, 10V 4v @ 250 ähm 18nc @ 10v 1132pf @ 20V - - -
TQM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM033NB04CR RLG 4.7400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powertdfn TQM033 MOSFET (Metalloxid) 8-PDFNU (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 21A (TA), 121A (TC) 7v, 10V 3,3 MOHM @ 21A, 10V 3,8 V @ 250 ähm 87 NC @ 10 V ± 20 V 4917 PF @ 20 V - - - 3.1W (TA), 107W (TC)
TSM2N7002AKCU RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKCU RFG 0,3700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 240 mA (TA) 4,5 V, 10 V. 2,5 Ohm @ 240 mA, 10 V. 2,5 V @ 250 ähm 0,68 NC @ 4,5 V. ± 20 V 30 PF @ 30 V - - - 298mw (TA)
TSM60NC1R5CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC1R5CH C5G 2.9400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa TSM60 MOSFET (Metalloxid) To-251 (ipak) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 600 V 3a (TC) 10V 1,5OHM @ 1a, 10 V. 5v @ 1ma 7.6 NC @ 10 V ± 20 V 242 PF @ 25 V. - - - 39W (TC)
TSM070NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04LCR RLG 2.4300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfet ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) 8-PDFNU (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 v 15a (ta), 54a (TC) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 27a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 23 NC @ 10 V ± 16 v 1446 PF @ 25 V. - - - 46,8W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus