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Transistoren (888)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSM3457CX6 RFG | 0,9900 |  | 11 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | TSM3457 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 60mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 551.57 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||
 | TSC741CZ C0G | - - - | | 7062 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TSC741 | 60 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 V | 2,5 a | 250 µA | Npn | 2v @ 600 mA, 2a | 50 @ 100 mA, 5V | - - - | |||||||||||||||
 | TSM9435CS RLG | 1.2100 | | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TSM9435 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 5.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 60mohm @ 5.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 551.57 PF @ 15 V | - - - | 5.3W (TC) | |||||||||||
 | BC850AW RFG | 0,0368 | | 2689 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC850 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | TSM170N06PQ56 | 0,9676 | | 7242 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM170 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM170N06PQ56TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 8A (TA), 44a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 1556 PF @ 30 V | - - - | 2,6W (TA), 73,5W (TC) | |||||||||||
 | TSM70N900CP ROG | 1.9252 | | 2446 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM70 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 700 V | 4,5a (TC) | 10V | 900MOHM @ 1,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 9.7 NC @ 10 V. | ± 30 v | 482 PF @ 100 V | - - - | 50W (TC) | |||||||||||
 | BC337-25 B1G | - - - | | 5269 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC337 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| TSM5NC50CZ | 1.2558 | | 6263 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TSM5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM5NC50CZ | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,38OHM @ 2,5a, 10 V. | 4,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 30 v | 586 PF @ 50 V | - - - | 89W (TC) | |||||||||||
| TSM8588cs | 0,7120 | | 2787 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TSM8588 | MOSFET (Metalloxid) | 1,4W (TA), 5,7W (TC) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM8588cstr | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-und p-kanal-krementär | 60 v | 2,5a (ta), 5a (tc), 2a (ta), 4a (tc) | 103MOHM @ 2,5A, 10V, 180 MOHM @ 2A, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 9.4nc @ 10v, 9nc @ 10v | 527PF @ 30V, 436PF @ 30V | - - - | |||||||||||||
| TSB772CK C0G | 0,1589 | | 3138 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | TSB772 | 10 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 30 v | 3 a | 1 µA | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 1a, 2v | 80MHz | |||||||||||||||
 | TSM4NB60CH X0G | 0,9576 | | 2750 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | TSM4NB60 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 10V | 2,5OHM @ 2a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 10 V. | ± 30 v | 500 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||
| TSM8N70CI C0 | - - - | | 1981 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MOSFET (Metalloxid) | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TSM8N70CIC0 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 700 V | 8a (TC) | 10V | 900mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 30 v | 2006 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||||||||||
 | TSC5802DCHC5G | - - - | | 1117 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | TSC5802 | 30 w | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 450 V | 2,5 a | 250 µA | Npn | 3v @ 600 mA, 2a | 50 @ 100 mA, 5V | - - - | |||||||||||||||
 | BC848A RFG | 0,0343 | | 8465 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| TSM7N90CZ C0G | - - - | | 9040 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TSM7N90 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 900 V | 7a (TC) | 10V | 1,9OHM @ 3,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1969 PF @ 25 V. | - - - | 40,3W (TC) | |||||||||||
| TSM500P02CX RFG | 0,9100 | | 155 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TSM500 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 50mohm @ 3a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 9,6 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 850 PF @ 10 V | - - - | 1,56W (TC) | |||||||||||
 | TSM018NB03CR RLG | 1.4800 | | 4 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM018 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 29a (TA), 194a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,8 MOHM @ 29A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 7252 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 136W (TC) | |||||||||||
 | TSM60NB600CF C0G | 3.8500 | | 31 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 8a (TC) | 10V | 600MOHM @ 1,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 30 v | 528 PF @ 100 V | - - - | 41,7W (TC) | |||||||||||
| TSM033NB04CR RLG | 2.9400 | | 3 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM033 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 21A (TA), 121A (TC) | 10V | 3,3 MOHM @ 21A, 10V | 4v @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 5022 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 107W (TC) | |||||||||||
| TSM150NB04CR RLG | 1.4800 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerldfn | TSM150 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5,2x5,75) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 10A (TA), 41A (TC) | 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 1092 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 56W (TC) | |||||||||||
| TSM024NA04LCR RLG | 1.5500 | | 27 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM024 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 170a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,4 MOHM @ 25a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 4224 PF @ 20 V | - - - | 125W (TC) | |||||||||||
| TSM170N06CH C5G | 2.2200 | | 29 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | TSM170 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 38a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 28,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 46W (TC) | |||||||||||
 | TSM1NB60CW RPG | 1.5200 | | 8 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | TSM1NB60 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 1a (TC) | 10V | 10ohm @ 500 mA, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 6.1 NC @ 10 V | ± 30 v | 138 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | |||||||||||
| TSM2306CX RFG | 0,6000 | | 147 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TSM2306 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 57mohm @ 3,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5,5 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 555 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||||||||
| TSM2308CX RFG | 0,8900 | | 11 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TSM2308 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 156mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 4,3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 511 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||||||||
 | TSM250N02DCQ RFG | 1.0100 | | 4 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VDFN-Exponiertebad | TSM250 | MOSFET (Metalloxid) | 620 MW (TC) | 6-TDFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 5.8a (TC) | 25mohm @ 4a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | 775PF @ 10V | Standard | |||||||||||||
| TSM7NC65CF C0G | 1.5053 | | 4379 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TSM7 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 1,35OHM @ 2a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 1169 PF @ 50 V | - - - | 44,6W (TC) | |||||||||||
| TSM850N06CX RFG | 0,7900 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TSM850 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 85mohm @ 2,3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 529 PF @ 30 V | - - - | 1.7W (TC) | |||||||||||
| TSM8N50CP ROG | - - - | | 5744 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 500 V | 7.2a (TC) | 10V | 850MOHM @ 3,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26.6 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1595 PF @ 25 V. | - - - | 89W (TC) | ||||||||||||
| TSM900N06CH X0G | 1.7200 | | 52 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | TSM900 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 11a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 90 Mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 500 PF @ 15 V | - - - | 25W (TC) |
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Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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