- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (888)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC338-16 | 0,0661 |  | 7080 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC338 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC338-16TB | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 25 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | BC546B | 0,0447 | | 5561 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC546 | 500 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC546BTB | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 200 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||||||||||
| TSM320N03CX | 0,3118 | | 6160 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TSM320 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM320N03CXTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | N-Kanal | 30 v | 4a (ta), 5,5a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 32mohm @ 4a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 8,9 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 792 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA), 1,8W (TC) | |||||||||||
| TSM500N15CS | 1.2968 | | 9862 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TSM500 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM500N15CSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 150 v | 4a (ta), 11a (TC) | 10V | 50mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1123 PF @ 80 V | - - - | 12.7W (TA) | |||||||||||
| TSM5055DCR | 1.1755 | | 1419 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM5055 | MOSFET (Metalloxid) | 2,2 W (TA), 30W (TC), 2,4W (TA), 69W (TC) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM5055dcrtr | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 30V | 10A (TA), 38A (TC), 20A (TA), 107A (TC) | 11,7 MOHM @ 10a, 10 V, 3,6 Mohm @ 20a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.3nc @ 10v, 49nc @ 10v | 555PF @ 15V, 2550pf @ 15V | - - - | |||||||||||||
 | BC850AW | 0,0357 | | 4498 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC850 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC850AWTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 18.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| TSM3446CX6 | 0,3003 | | 7348 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | TSM3446 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM3446CX6TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | N-Kanal | 20 v | 5.3a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 33mohm @ 5,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 12,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 700 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||
| TSM3443CX6 | 0,3395 | | 2478 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | TSM3443 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM3443CX6TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | P-Kanal | 20 v | 4.7a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 60mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 9 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 640 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||
| TSM500P02DCQ | 0,4623 | | 7294 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VDFN-Exponiertebad | TSM500 | MOSFET (Metalloxid) | 620 MW (TC) | 6-TDFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM500P02DCQTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 12.000 | 2 P-Kanal | 20V | 4.7a (TC) | 50mohm @ 3a, 4,5 V. | 0,8 V @ 250 ähm | 13nc @ 4,5V | 1230pf @ 10v | Standard | |||||||||||||
 | BC846B | 0,0337 | | 5564 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC846 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC846BTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 65 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| KTC3198-gr | 0,0583 | | 2961 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KTC3198 | 500 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-KTC3198-GRTB | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 70 @ 2ma, 6v | 80MHz | |||||||||||||||
| TSM150P03PQ33 | 0,6916 | | 2112 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | TSM150 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (3.1x3.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM150P03PQ33TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | P-Kanal | 30 v | 10a (ta), 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 29.3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1829 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA), 27,8 W (TC) | |||||||||||
| TSM680P06CH | 0,8645 | | 7551 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | TSM680 | MOSFET (Metalloxid) | To-251s (I-Pak SL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM680P06CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | P-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 68mohm @ 6a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 16.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 870 PF @ 30 V | - - - | 20W (TC) | |||||||||||
| TSM80N1R2CI | 3.3572 | | 9129 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSM80 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM80N1R2CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 800 V | 5.5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 1,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19,4 NC @ 10 V. | ± 30 v | 685 PF @ 100 V | - - - | 25W (TC) | |||||||||||
| TSM060N03PQ33 | 0,6306 | | 5227 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | TSM060 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (3.1x3.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM060N03PQ33TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta), 62a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 25,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1342 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA), 40 W (TC) | |||||||||||
| TSA874CW | 0,2013 | | 6190 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | TSA874 | 1 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSA874CWTR | Ear99 | 8541.29.0075 | 5.000 | 500 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 50 mA | 150 @ 1ma, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||
| TSM900N06CH | 0,6584 | | 6981 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | TSM900 | MOSFET (Metalloxid) | To-251s (I-Pak SL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM900N06CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-Kanal | 60 v | 11a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 90 Mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 500 PF @ 15 V | - - - | 25W (TC) | |||||||||||
| TSM80N1R2CP | 2.6213 | | 5239 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM80 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM80N1R2CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 800 V | 5.5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,75A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19,4 NC @ 10 V. | ± 30 v | 685 PF @ 100 V | - - - | 110W (TC) | |||||||||||
| TSM110NB04LCV | 0,6661 | | 6248 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | TSM110 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (3.15x3.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM110NB04LCVTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 40 v | 9A (TA), 44a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 1329 PF @ 20 V | - - - | 1,9W (TA), 42W (TC) | |||||||||||
| TSM600P03CS | 0,3994 | | 2567 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TSM600 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM600P03Cstr | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 30 v | 4.7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 60MOHM @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 5.1 NC @ 4.5 V. | ± 20 V | 560 PF @ 15 V | - - - | 2.1W (TC) | |||||||||||
| TSM042N03CS | 0,8059 | | 8384 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TSM042 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM042N03CSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,2mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 24 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 7W (TC) | |||||||||||
| TSM80N400CF | 5.4062 | | 6681 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TSM80 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM80N400CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 800 V | 12a (TC) | 10V | 400mohm @ 2,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 30 v | 1848 PF @ 100 v | - - - | 69W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB150CF | 5.7259 | | 5940 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM60NB150CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 150 MOHM @ 4,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 30 v | 1765 PF @ 100 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||||||||
| TSM1NB60CP | 0,7717 | | 1758 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM1 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM1NB60CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 600 V | 1a (TC) | 10V | 10ohm @ 500 mA, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 6.1 NC @ 10 V | ± 30 v | 138 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB099CF | 7.8447 | | 8224 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM60NB099CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 99mohm @ 5.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 2587 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB190CI | 4.4264 | | 7507 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM60NB190CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 600 V | 18a (TC) | 10V | 190mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 30 v | 1273 PF @ 100 V | - - - | 33.8W (TC) | |||||||||||
| TSM200N03DPQ33 | 0,6553 | | 5162 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | TSM200 | MOSFET (Metalloxid) | 20W (TC) | 8-PDFN (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM200N03DPQ33TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | 2 N-Kanal | 30V | 20A (TC) | 20mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 4.1nc @ 4.5V | 345PF @ 25v | Standard | |||||||||||||
| TSM60NB600CP | 1.6363 | | 2157 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM60NB600CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 30 v | 516 PF @ 100 V | - - - | 63W (TC) | |||||||||||
| TSM260P02CX6 | 0,5097 | | 6460 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | TSM260 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM260P02CX6TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | P-Kanal | 20 v | 6,5a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 26mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 19,5 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 1670 PF @ 15 V | - - - | 1,56W (TC) | |||||||||||
 | TQM056NH04CR RLG | 2.9900 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powertdfn | TQM056 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFNU (4,9x5,75) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 17A (TA), 54a (TC) | 7v, 10V | 5.6mohm @ 27a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 2912 PF @ 25 V. | - - - | 78,9W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)