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Transistoren (888)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSM9409cs | 0,8539 |  | 8597 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TSM9409 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM9409cstr | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 60 v | 3,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 155mohm @ 3,5a, 10 V. | 1V @ 250 ähm | 6 nc @ 10 v | ± 20 V | 540 PF @ 30 V | - - - | 3W (TA) | |||||||||||
| TSM900N10CH | 0,9822 | | 7460 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | TSM900 | MOSFET (Metalloxid) | To-251s (I-Pak SL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM900N10CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-Kanal | 100 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 90 MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 1480 PF @ 50 V | - - - | 50W (TC) | |||||||||||
 | BC850CW | 0,0357 | | 4701 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC850 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC850CWTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 18.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| TSM8568cs | 1.0909 | | 6232 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TSM8568 | MOSFET (Metalloxid) | 6W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM8568cstr | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N und p-kanal | 30V | 15a (TC), 13A (TC) | 16MOHM @ 8A, 10V, 24MOHM @ 7A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 7nc @ 4,5V, 11nc @ 4,5 V. | 646PF @ 15V, 1089PF @ 15V | - - - | |||||||||||||
 | BC856a | 0,0334 | | 7177 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC856 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC856atr | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 65 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| BC858C | 0,0334 | | 5804 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC858 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC858Ctr | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 30 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| BC857C | 0,0334 | | 3691 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC857 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC857Ctr | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 45 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | TSM4NB60CH C5G | 2.2300 | | 14 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | TSM4NB60 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 10V | 2,5OHM @ 2a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 10 V. | ± 30 v | 500 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||
 | TSM7ND60CI | 3.3700 | | 3 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSM7 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 30 v | 1108 PF @ 50 V | - - - | 50W (TC) | |||||||||||
 | TSM080NB03CR RLG | 0,7500 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM080 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 14A (TA), 59a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 14a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1097 PF @ 15 V | - - - | 3,1W (TA), 55,6W (TC) | |||||||||||
| TSM680P06CI C0G | - - - | | 2981 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TSM680P06CIC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 68mohm @ 6a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 16.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 870 PF @ 30 V | - - - | 17W (TC) | |||||||||||
| TSM6968SDCA | 0,6916 | | 8072 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TSM6968 | MOSFET (Metalloxid) | 1.04W (TA) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM6968SDCATR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | 2 N-Kanal | 20V | 6,5a (ta) | 22mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | 950pf @ 10v | Standard | |||||||||||||
 | TSM680P06DPQ56 RLG | 2.4100 | | 16 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM680 | MOSFET (Metalloxid) | 3.5W | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 12a (TC) | 68mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16.4nc @ 10v | 870PF @ 30V | - - - | |||||||||||||
 | TQM056NH04LCR RLG | 2.9700 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101, Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TQM056 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 17A (TA), 54a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.6mohm @ 27a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 45,6 NC @ 10 V. | ± 16 v | - - - | 78,9W (TC) | ||||||||||||||
| TSM055N03EPQ56 | 0,6967 | | 3273 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM055 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x5,8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM055N03EPQ56TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 11.1 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1210 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||||||||||
| TSM1NB60SCT B0 | - - - | | 5827 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MOSFET (Metalloxid) | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TSM1NB60SCTB0 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 500 Ma (TC) | 10V | 10ohm @ 250 mA, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 6.1 NC @ 10 V | ± 30 v | 138 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TC) | |||||||||||
| TSM6963SDCA | 0,8294 | | 8786 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TSM6963 | MOSFET (Metalloxid) | 1.14W (TA) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM6963SDCATR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | 2 P-Kanal | 20V | 4,5a (TA) | 30mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | 1500PF @ 10V | Standard | |||||||||||||
| TSM085P03CV | 0,8650 | | 3740 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | TSM085 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (3.1x3.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM085P03CVTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | P-Kanal | 30 v | 14A (TA), 64a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 14a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 3234 PF @ 15 V | - - - | 2,4 W (TA), 50 W (TC) | |||||||||||
| BC846BW | 0,0361 | | 5103 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC846BWTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 18.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| TSM16nd50CI | 3.1438 | | 8196 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSM16 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM16nd50ci | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 350Mohm @ 4a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 30 v | 2551 PF @ 50 V | - - - | 59,5W (TC) | |||||||||||
| TSM080N03PQ56 RLG | 1.4000 | | 2 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM080 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 73a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 14a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 843 PF @ 15 V | - - - | 69W (TC) | |||||||||||
 | TSM1N45CW RPG | - - - | | 9504 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 450 V | 500 Ma (TC) | 10V | 4.25ohm @ 250 mA, 10V | 4,25 V @ 250 ähm | 6,5 NC @ 10 V. | ± 30 v | 235 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TC) | ||||||||||||
| TSM480P06CI C0G | - - - | | 8557 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TSM480P06CIC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P-Kanal | 60 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 48mohm @ 8a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 22.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1250 PF @ 30 V | - - - | 27W (TC) | |||||||||||
| TSM70N600CH C5G | 5.3600 | | 125 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | TSM70 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 700 V | 8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12,6 NC @ 10 V. | ± 30 v | 743 PF @ 100 V | - - - | 83W (TC) | |||||||||||
| TSM036N03PQ56 | 0,8059 | | 9690 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM036 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM036N03PQ56TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 22a (TA), 124a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,6 MOHM @ 22A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 2530 PF @ 15 V | - - - | 2,6 W (TA), 83W (TC) | |||||||||||
 | BC547C B1 | - - - | | 6204 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC547CB1 | Veraltet | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 420 @ 2MA, 5V | - - - | ||||||||||||||||||
| TSM025NB04CR RLG | 3.5500 | | 752 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerldfn | TSM025 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5,2x5,75) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 24A (TA), 161a (TC) | 10V | 2,5 MOHM @ 24a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 113 NC @ 10 V | ± 20 V | 7150 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 136W (TC) | |||||||||||
 | TSM100N06CZ C0G | 1.5800 | | 49 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TSM100 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 100a (TC) | 10V | 6.7mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 92 NC @ 10 V | ± 20 V | 4382 PF @ 30 V | - - - | 167W (TC) | |||||||||||
| TS13005ck B0G | - - - | | 1228 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | TS13005 | 20 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 3 a | 10 µA | Npn | 1,5 V @ 500 Ma, 2,5a | 24 @ 425 Ma, 2V | - - - | |||||||||||||||
| TSM055N03EPQ56 RLG | 1.5100 | | 137 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM055 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 11.1 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1210 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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