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Transistoren (888)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC546C B1 | - - - |  | 7110 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC546CB1 | Veraltet | 1 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 420 @ 2MA, 5V | - - - | ||||||||||||||||||
| BC549B B1 | - - - | | 5417 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC549BB1 | Veraltet | 1 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 200 @ 2MA, 5V | - - - | ||||||||||||||||||
 | BC546C A1 | - - - | | 9119 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC546CA1TB | Veraltet | 1 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 420 @ 2MA, 5V | - - - | ||||||||||||||||||
 | TSM60NC620CH C5G | 3.6900 | | 1910 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1801-TSM60NC620CHC5G | 15.000 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 620mohm @ 2,4a, 10V | 5v @ 1ma | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 501 PF @ 300 V | - - - | 78W (TC) | |||||||||||||
 | TSM60NC980CH C5G | 3.0700 | | 13 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1801-TSM60NC980CHC5G | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 10V | 980 MOHM @ 1,5A, 10V | 5v @ 1ma | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 330 PF @ 300 V | - - - | 57W (TC) | |||||||||||
 | TQM150NB04CR RLG | 2.2900 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powertdfn | TQM150 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFNU (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 10A (TA), 41A (TC) | 7v, 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1044 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 56W (TC) | |||||||||||
 | TQM250NB06CR RLG | 2.5000 | | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powertdfn | TQM250 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFNU (5x6) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 7a (ta), 32a (TC) | 7v, 10V | 25mohm @ 7a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 1396 PF @ 30 V | - - - | 3.1W (TA), 68W (TC) | |||||||||||
 | TSM056NH04CR RLG | 3.0100 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFNU (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 18a (TA), 54a (TC) | 7v, 10V | 5.6mohm @ 27a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 27.3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1942 PF @ 25 V. | - - - | 78,9W (TC) | ||||||||||||
 | TSM019NH04CR RLG | 6.3000 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFNU (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 35A (TA), 100A (TC) | 7v, 10V | 1,9 MOHM @ 50A, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 89 NC @ 10 V | ± 20 V | 6029 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||||||
| TSM076NH04DCR RLG | 2.5200 | | 4 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM076N | MOSFET (Metalloxid) | 55.6W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 14A (TA), 34a (TC) | 7,6 MOHM @ 17A, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 19nc @ 10v | 1217PF @ 25V | - - - | |||||||||||||
| TSM076NH04LDCR RLG | 2.5200 | | 4 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM076N | MOSFET (Metalloxid) | 55.6W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 14A (TA), 34a (TC) | 7,6 MOHM @ 17A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 22.4nc @ 10v | 1344pf @ 25v | - - - | |||||||||||||
| TSM032NH04CR RLG | 3.8200 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFNU (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 25a (TA), 81a (TC) | 7v, 10V | 3,2 MOHM @ 40A, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 2896 PF @ 25 V. | - - - | 115W (TC) | ||||||||||||
| TSM500N15CS RLG | 2.9700 | | 3 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 4a (ta), 11a (TC) | 10V | 50mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1123 PF @ 80 V | - - - | 12.7W (TA) | ||||||||||||
 | TSM2N7002AKCX RFG | 0,3700 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 300 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 2,5OHM @ 300 mA, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 1,65 NC @ 10 V. | ± 20 V | 20 PF @ 30 V | - - - | 357MW (TA) | ||||||||||||
 | TSM230N06CZ C0G | - - - | | 5156 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TSM230N06CZC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 28 NC @ 10 V | ± 20 V | 1680 PF @ 25 V. | - - - | 104W (TC) | |||||||||||
| TSM340N06CH | 0,7953 | | 8065 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | TSM340 | MOSFET (Metalloxid) | To-251s (I-Pak SL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM340N06CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 34mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16.6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1180 PF @ 30 V | - - - | 40W (TC) | |||||||||||
 | TQM025NH04LCR-V RLG | 3.0535 | | 7698 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101, Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFNU (4,9x5,75) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 26a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,5 MOHM @ 50A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 16 v | 6228 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||||||||||||
| TSM085NB03CV RGG | 1.5100 | | 10 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | TSM085 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (3.15x3.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 11A (TA), 58A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 11a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1101 PF @ 15 V | - - - | 1,92W (TA), 52W (TC) | |||||||||||
| TSM250NB06LCV RGG | 1.5500 | | 10 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | TSM250 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (3.15x3.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 60 v | 6a (ta), 27a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 1307 PF @ 30 V | - - - | 1,9W (TA), 42W (TC) | |||||||||||
| TSM150NB04LCV RGG | 1.5100 | | 8805 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | TSM150 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (3.15x3.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 8A (TA), 36A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 1013 PF @ 20 V | - - - | 1,9W (TA), 39W (TC) | |||||||||||
 | TQM076NH04LDCR RLG | 3.9300 | | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101, Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TQM076 | MOSFET (Metalloxid) | 55.6W (TC) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal | 40V | 15a (ta), 40a (TC) | 7.6mohm @ 20a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 34nc @ 10v | 2006pf @ 25v | Standard | |||||||||||||||
 | TQM070NH04CR RLG | 2.7600 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101, Perfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TQM070 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 16a (TA), 54a (TC) | 7v, 10V | 7mohm @ 27a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 28,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2006 PF @ 25 V. | - - - | 46,8W (TC) | |||||||||||||
| TSM6866SDCA | 0,7448 | | 7221 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TSM6866 | MOSFET (Metalloxid) | 1.6W (TC) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM6866SDCATR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | 2 N-Kanal | 20V | 6a (ta) | 30mohm @ 6a, 4,5 V. | 0,6 V @ 250 ähm | 7nc @ 4,5V | 565PF @ 8v | Standard | |||||||||||||
| TSM1NB60CW | 0,6145 | | 1762 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | TSM1 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM1NB60CWTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 600 V | 1a (TC) | 10V | 10ohm @ 500 mA, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 6.1 NC @ 10 V | ± 30 v | 138 PF @ 25 V. | - - - | 2.1W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB099CZ | 7.8920 | | 8258 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TSM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM60NB099CZ | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 99mohm @ 11.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 2587 PF @ 100 V | - - - | 298W (TC) | |||||||||||
| TSM900N06CP | 0,5530 | | 1716 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSM900 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM900N06CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 60 v | 11a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 90 Mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 500 PF @ 15 V | - - - | 25W (TC) | |||||||||||
| TSM018NB03CR | 1.8542 | | 9217 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM018 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM018NB03CRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 29a (TA), 194a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,8 MOHM @ 29A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 7252 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 136W (TC) | |||||||||||
| TSM10ND60CI | 2.2540 | | 7664 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSM10 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM10ND60CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 600 V | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 30 v | 1928 PF @ 50 V. | - - - | 56,8W (TC) | |||||||||||
| TSM10NC60CF | 1.6128 | | 3171 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TSM10 | MOSFET (Metalloxid) | Ito-220s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM10NC60CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 600 V | 10a (TC) | 10V | 750 MOHM @ 2,5A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1652 PF @ 50 V | - - - | 45W (TC) | |||||||||||
| TSM680P06DPQ56 | 1.0636 | | 4462 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TSM680 | MOSFET (Metalloxid) | 3,5 W (TC) | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSM680P06DPQ56TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 P-Kanal | 60 v | 12a (TC) | 68mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16.4nc @ 10v | 870PF @ 30V | Standard |
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