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Transistoren (2488)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
2SC3668-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-O, T2CLAF (j - - -
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch SC-71 2SC3668 1 w MSTM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1 µA (ICBO) Npn 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2506 (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 RN2506 300 MW SMV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) (Emitter Gekoppelt) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 4.7kohm 47kohm
2SK3565(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3565 (Q, M) - - -
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosiv Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SK3565 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 900 V 5a (ta) 10V 2,5OHM @ 3a, 10V 4v @ 1ma 28 NC @ 10 V ± 30 v 1150 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
2SB1495,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495, Q (m - - -
RFQ
 ECAD 9800 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SB1495 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 1,5 Ma, 1,5a 2000 @ 2a, 2v - - -
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5, S1VQ 12.2700
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 TK39J60 MOSFET (Metalloxid) To-3p (n) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 600 V 38,8a (TA) 10V 65mohm @ 19.4a, 10V 3,7 V @ 1,9 Ma 135 NC @ 10 V ± 30 v 4100 PF @ 300 V - - - 270W (TC)
TK9A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D (STA4, Q, M) 2.0200
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK9A60 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 9a (ta) 10V 830mohm @ 4,5a, 10 V 4v @ 1ma 24 nc @ 10 v ± 30 v 1200 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
RN1108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108CT (TPL3) - - -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN1108 50 MW CST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 10 Ma, 5V 22 Kohms 47 Kohms
2SC2229-Y(MIT1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y (MIT1, F, M. - - -
RFQ
 ECAD 1503 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC2229 800 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 ma 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 1ma, 10 mA 70 @ 10ma, 5V 120 MHz
SSM3K310T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K310T (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 6188 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SSM3K310 MOSFET (Metalloxid) TSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 5a (ta) 1,5 V, 4V 28mohm @ 4a, 4V - - - 14.8 NC @ 4 V. ± 10 V 1120 PF @ 10 V - - - 700 MW (TA)
2SC4793(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 (Paio, F, M) - - -
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SC4793 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 230 V 1 a 1 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 100 MHz
RN2415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2415 (TE85L, F) 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN2415 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 200 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
2SC2235-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y, F (j - - -
RFQ
 ECAD 8296 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC2235 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1901Fete85LF 0,3900
RFQ
 ECAD 5438 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN1901 100 MW Es6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7kohm 4.7kohm
RN4903(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4903 (T5L, F, T) - - -
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4903 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 200 MHz 22kohm 22kohm
HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-y, LXHF 0,3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA / 250mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 120 MHz, 150 MHz
TJ15S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L (T6L1, NQ 1.3300
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TJ15S06 MOSFET (Metalloxid) Dpak+ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 60 v 15a (ta) 6 V, 10V 50MOHM @ 7.5a, 10V 3V @ 1ma 36 NC @ 10 V +10 V, -20 V 1770 PF @ 10 V - - - 41W (TC)
2SA2215,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2215, lf 0,5000
RFQ
 ECAD 4593 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Flache Leitungen 2SA2215 500 MW UFM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 20 v 2,5 a 100NA (ICBO) PNP 190mv @ 53 Ma, 1,6a 200 @ 500 Ma, 2V - - -
RN1311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN1311 100 MW SC-70 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 250 MHz 10 Kohms
TK4A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A53d (STA4, Q, M) - - -
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK4A53 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 525 v 4a (ta) 10V 1,7ohm @ 2a, 10V 4,4 V @ 1ma 11 NC @ 10 V ± 30 v 490 PF @ 25 V. - - - 35W (TC)
TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W, S5X 6.5000
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK35A65 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 35a (ta) 10V 80MOHM @ 17.5a, 10V 3,5 V @ 2,1 mA 100 nc @ 10 v ± 30 v 4100 PF @ 300 V - - - 50W (TC)
RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN4985 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz, 200 MHz 2.2ko 47kohm
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2910 (T5L, F, T) - - -
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2910 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 200 MHz 4.7kohm - - -
SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT (TPL3) 0,0672
RFQ
 ECAD 1826 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosiii Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET (Metalloxid) CST3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 30 v 100 mA (ta) 2,5 V, 4 V. 3,6OHM @ 10ma, 4V 1,5 V @ 100 µA ± 20 V 13.5 PF @ 3 V. - - - 100 MW (TA)
TK5P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P50D (T6RSS-Q) 1.2900
RFQ
 ECAD 8949 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TK5P50 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 500 V 5a (ta) 10V 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. 4,4 V @ 1ma 11 NC @ 10 V ± 30 v 490 PF @ 25 V. - - - 80W (TC)
SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-3 Flache Leitungen SSM3J356 MOSFET (Metalloxid) SOT-23F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 60 v 2a (ta) 4 V, 10V 300mohm @ 1a, 10V 2V @ 1ma 8.3 NC @ 10 V +10 V, -20 V 330 PF @ 10 V. - - - 1W (TA)
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1c01fu-y, lf 0,2600
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200 MW US6 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 250mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
TPCA8057-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8057-H, LQ (m - - -
RFQ
 ECAD 1274 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvii-H Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPCA8057 MOSFET (Metalloxid) 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 42a (ta) 4,5 V, 10 V. 2,6 MOHM @ 21A, 10V 2,3 V @ 500 ähm 61 NC @ 10 V ± 20 V 5200 PF @ 10 V. - - - 1,6W (TA), 57W (TC)
2SA965-Y,T6KOJPF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y, T6KOJPF (j - - -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA965 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100NA (ICBO) PNP 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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