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Transistoren(2488)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Widerstand - Basis (R1)	Widerstand – Emitterbasis (R2)
TPCC8136.LQ	-	Anfrage	7165	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVI	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPCC8136	MOSFET (Metalloxid)		8-TSON Advance (3,1x3,1)	-		1 (Unbegrenzt)	264-TPCC8136.LQTR	EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	20 V	9,4A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	16 mOhm bei 9,4 A, 4,5 V	1,2 V bei 1 mA	36 nC bei 5 V	±12V	2350 pF bei 10 V	-	700 mW (Ta), 18 W (Tc)
2SC2229-Y(T6MIT1FM	-	Anfrage	1667	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 Langkörper	2SC2229		800 mW	TO-92MOD	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	2SC2229YT6MIT1FM	EAR99	8541.21.0075	1													150 V	50mA	100nA (ICBO)	NPN	500 mV bei 1 mA, 10 mA	70 bei 10 mA, 5 V	120 MHz
SSM3K35CTC,L3F	0,3200	Anfrage	109	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSIII	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-101, SOT-883	SSM3K35	MOSFET (Metalloxid)		CST3C	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	10.000		N-Kanal	20 V	250mA (Ta)	1,2 V, 4,5 V	1,1 Ohm bei 150 mA, 4,5 V	1 V bei 100 µA	0,34 nC bei 4,5 V	±10V	36 pF bei 10 V	-	500 mW (Ta)
SSM3K35MFV(TPL3)	-	Anfrage	8872	Toshiba Semiconductor und Storage	π-MOSVI	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-723	SSM3K35	MOSFET (Metalloxid)		VESM	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	8.000		N-Kanal	20 V	180mA (Ta)	1,2 V, 4 V	3 Ohm bei 50 mA, 4 V	1 V bei 1 mA		±10V	9,5 pF bei 3 V	-	150 mW (Ta)
RN1309(TE85L,F)	0,2700	Anfrage	895	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	RN1309		100 mW	SC-70	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100mA	500nA	NPN – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	70 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	22 kOhm
TK6A80E,S4X	1.8900	Anfrage	15	Toshiba Semiconductor und Storage	π-MOSVIII	Rohr	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	TK6A80	MOSFET (Metalloxid)		TO-220SIS	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	800 V	6A (Ta)	10V	1,7 Ohm bei 3 A, 10 V	4 V bei 600 µA	32 nC bei 10 V	±30V	1350 pF bei 25 V	-	45W (Tc)
2SC3665-Y,T2NSF(J	-	Anfrage	3531	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	SC-71	2SC3665		1 W	MSTM	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0075	1													120 V	800 mA	100nA (ICBO)	NPN	1 V bei 50 mA, 500 mA	80 bei 100 mA, 5 V	120 MHz
2SC3665-Y(T2NSW,FM	-	Anfrage	1068	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	SC-71	2SC3665		1 W	MSTM	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0075	1													120 V	800 mA	100nA (ICBO)	NPN	1 V bei 50 mA, 500 mA	80 bei 100 mA, 5 V	120 MHz
2SA1244-Y(Q)	-	Anfrage	1152	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Rohr	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA	2SA1244		1 W	PW-FORM	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0075	200													50 V	5 A	1µA (ICBO)	PNP	400 mV bei 150 mA, 3 A	120 bei 1A, 1V	60 MHz
TPN6R003NL,LQ	0,8800	Anfrage	9982	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVIII-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPN6R003	MOSFET (Metalloxid)		8-TSON Advance (3,1x3,1)	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	30 V	27A (Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm bei 13,5 A, 10 V	2,3 V bei 200 µA	17 nC bei 10 V	±20V	1400 pF bei 15 V	-	700 mW (Ta), 32 W (Tc)
SSM6L16FETE85LF	0,3800	Anfrage	29	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Nicht für neue Designs	150°C (TA)	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SSM6L16	MOSFET (Metalloxid)	150 mW	ES6	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	4.000	N- und P-Kanal		20V	100mA		3 Ohm bei 10 mA, 4 V	1,1 V bei 100 µA	-		9,3 pF bei 3 V	-
TPH1R306PL1,LQ	2.4200	Anfrage	9668	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSIX-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP-Vorschuss (5x5,75)	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal	60 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,34 mOhm bei 50 A, 10 V	2,5 V bei 1 mA	91 nC bei 10 V	±20V	8100 pF bei 30 V	-	960 mW (Ta), 210 W (Tc)
SSM6J808R,LF	0,6400	Anfrage	5	Toshiba Semiconductor und Storage	Automobil, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	6-SMD, flache Anschlüsse	SSM6J808	MOSFET (Metalloxid)		6-TSOP-F	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	40 V	7A (Ta)	4V, 10V	35 mOhm bei 2,5 A, 10 V	2V bei 100µA	24,2 nC bei 10 V	+10V, -20V	1020 pF bei 10 V	-	1,5 W (Ta)
TPCA8A02-H(TE12LQM	-	Anfrage	8734	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSV-H	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPCA8A02	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP-Vorschuss (5x5)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	30 V	34A (Ta)	4,5 V, 10 V	5,3 mOhm bei 17 A, 10 V	2,3 V bei 1 mA	36 nC bei 10 V	±20V	3430 pF bei 10 V	-	1,6 W (Ta), 45 W (Tc)
TK290P60Y,RQ	1.7400	Anfrage	1946	Toshiba Semiconductor und Storage	DTMOSV	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	TK290P60	MOSFET (Metalloxid)		DPAK	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	2.000		N-Kanal	600 V	11,5 A (Tc)	10V	290 mOhm bei 5,8 A, 10 V	4 V bei 450 µA	25 nC bei 10 V	±30V	730 pF bei 300 V	-	100 W (Tc)
RN2109CT(TPL3)	-	Anfrage	8190	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet		Oberflächenmontage	SC-101, SOT-883	RN2109		50 mW	CST3	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	10.000													20 V	50mA	500nA	PNP – Voreingestellt	150 mV bei 250 µA, 5 mA	100 bei 10 mA, 5 V		47 kOhm	22 kOhm
SSM6P15FE(TE85L,F)	0,4200	Anfrage	7	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SSM6P15	MOSFET (Metalloxid)	150 mW	ES6	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	4.000	2 P-Kanal (Dual)		30V	100mA		12 Ohm bei 10 mA, 4 V	1,7 V bei 100 µA	-		9,1 pF bei 3 V	Logikpegel-Gate
TPCC8005-H(TE12LQM	-	Anfrage	7033	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVI-H	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-VDFN freiliegendes Pad	TPCC8005	MOSFET (Metalloxid)		8-TSON Advance (3,3x3,3)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	30 V	26A (Ta)	4,5 V, 10 V	6,4 mOhm bei 13 A, 10 V	2,3 V bei 500 µA	35 nC bei 10 V	±20V	2900 pF bei 10 V	-	700 mW (Ta), 30 W (Tc)
TW140Z120C,S1F	10.2200	Anfrage	120	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Rohr	Aktiv	175°C	Durchgangsloch	TO-247-4		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)		TO-247-4L(X)	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal	1200 V	20A (Tc)	18V	191 mOhm bei 10 A, 18 V	5 V bei 1 mA	24 nC bei 18 V	+25V, -10V	691 pF bei 800 V	-	107W (Tc)
TPC8062-H,LQ(CM	-	Anfrage	2139	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVII-H	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite)	TPC8062	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	30 V	18A (Ta)	4,5 V, 10 V	5,8 mOhm bei 9 A, 10 V	2,3 V bei 300 µA	34 nC bei 10 V	±20V	2900 pF bei 10 V	-	1W (Ta)
2SA1987-O(Q)	3.4500	Anfrage	1	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-3PL	2SA1987		180 W	TO-3P(L)	herunterladen	ROHS3-konform	Nicht zutreffend		EAR99	8541.29.0075	100													230 V	15 A	5µA (ICBO)	PNP	3 V bei 800 mA, 8 A	80 @ 1A, 5V	30 MHz
2SA1930,Q(J	-	Anfrage	3454	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	2SA1930		2 W	TO-220NIS	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0075	1													180 V	2 A	5µA (ICBO)	PNP	1 V bei 100 mA, 1 A	100 bei 100 mA, 5 V	200 MHz
TPCF8402(TE85L,F,M	-	Anfrage	3491	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SMD, Flachanschluss	TPCF8402	MOSFET (Metalloxid)	330 mW	VS-8 (2,9x1,5)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	4.000	N- und P-Kanal		30V	4A, 3,2A		50 mOhm bei 2 A, 10 V	2V bei 1mA	10 nC bei 10 V		470pF bei 10V	Logikpegel-Gate
TPH7R204PL,LQ	0,6500	Anfrage	22	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSIX-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPH7R204	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP-Vorschuss (5x5)	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	40 V	48A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,7 mOhm bei 15 A, 4,5 V	2,4 V bei 200 µA	24 nC bei 10 V	±20V	2040 pF bei 20 V	-	69W (Tc)
2SK3342(TE16L1,NQ)	-	Anfrage	3368	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	2SK3342	MOSFET (Metalloxid)		PW-FORM	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	2.000		N-Kanal	250 V	4,5A (Ta)	10V	1 Ohm bei 2,5 A, 10 V	3,5 V bei 1 mA	10 nC bei 10 V	±20V	440 pF bei 10 V	-	20W (Tc)
RN1908,LXHF(CT	0,3600	Anfrage	6	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1908		200 mW	US6	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0075	3.000													50V	100mA	500nA	2 NPN – Vorgespannt (Dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	80 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	22kOhm	47kOhm
TPH3R704PL,L1Q	0,9400	Anfrage	60	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSIX-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPH3R704	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP-Vorschuss (5x5)	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal	40 V	92A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,7 mOhm bei 46 A, 10 V	2,4 V bei 200 µA	27 nC bei 10 V	±20V	2500 pF bei 20 V	-	960 mW (Ta), 81 W (Tc)
TK16A45D(STA4,Q,M)	-	Anfrage	9568	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Rohr	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	TK16A45	MOSFET (Metalloxid)		TO-220SIS	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	450 V	16A		270 mOhm bei 8 A, 10 V	-				-	-
RN2102MFV,L3XHF(CT	0,3400	Anfrage	6	Toshiba Semiconductor und Storage	Automobil, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SOT-723	RN2102		150 mW	VESM	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	8.000													50 V	100mA	500nA	PNP – Voreingestellt	300 mV bei 500 µA, 5 mA	50 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	10 kOhm	10 kOhm
TK3A65D(STA4,Q,M)	1.6100	Anfrage	50	Toshiba Semiconductor und Storage	π-MOSVII	Rohr	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	TK3A65	MOSFET (Metalloxid)		TO-220SIS	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	650 V	3A (Ta)	10V	2,25 Ohm bei 1,5 A, 10 V	4,4 V bei 1 mA	11 nC bei 10 V	±30V	540 pF bei 25 V	-	35W (Tc)

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Vorrätiges Lager

Transistoren(2488)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²