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Transistoren(2488)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Widerstand - Basis (R1)	Widerstand – Emitterbasis (R2)
TPH2R608NH,L1Q	1.5400	Anfrage	14	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVIII-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPH2R608	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP-Vorschuss (5x5)	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal	75 V	150A (Tc)	10V	2,6 mOhm bei 50 A, 10 V	4V bei 1mA	72 nC bei 10 V	±20V	6000 pF bei 37,5 V	-	142W (Tc)
HN4K03JUTE85LF	-	Anfrage	2107	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	HN4K03	MOSFET (Metalloxid)		5-SSOP	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal	20 V	100mA (Ta)	2,5V	12 Ohm bei 10 mA, 2,5 V	-		10V	8,5 pF bei 3 V	-	200 mW (Ta)
2SC5549,T6F(J	-	Anfrage	5131	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 Langkörper	2SC5549		900 mW	TO-92MOD	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	1													400 V	1 A	100 µA (ICBO)	NPN	1 V bei 25 mA, 200 mA	20 bei 40 mA, 5 V	-
SSM6L13TU(T5L,F,T)	-	Anfrage	3054	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	6-SMD, flache Anschlüsse	SSM6L13	MOSFET (Metalloxid)	500 mW	UF6	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000	N- und P-Kanal		20V	800mA (Ta)		143 mOhm bei 600 mA, 4 V, 234 mOhm bei 600 mA, 4 V	1 V bei 1 mA	-		268 pF bei 10 V, 250 pF bei 10 V	Logikpegel-Gate, 1,8-V-Antrieb
TK56E12N1,S1X	1.6800	Anfrage	7085	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVIII-H	Rohr	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	TK56E12	MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	120 V	56A (Ta)	10V	7 mOhm bei 28 A, 10 V	4V bei 1mA	69 nC bei 10 V	±20V	4200 pF bei 60 V	-	168 W (Tc)
TW048Z65C,S1F	14.4200	Anfrage	120	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Rohr	Aktiv	175°C	Durchgangsloch	TO-247-4		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)		TO-247-4L(X)	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal	650 V	40A (Tc)	18V	69 mOhm bei 20 A, 18 V	5 V bei 1,6 mA	41 nC bei 18 V	+25V, -10V	1362 pF bei 400 V	-	132W (Tc)
SSM3K357R,LF	0,4000	Anfrage	82	Toshiba Semiconductor und Storage	π-MOSV	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	SOT-23-3-Flachleitungen	SSM3K357	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23F	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	60 V	650mA (Ta)	3V, 5V	1,8 Ohm bei 150 mA, 5 V	2V bei 1mA	1,5 nC bei 5 V	±12V	60 pF bei 12 V	-	1W (Ta)
2SK3132(Q)	-	Anfrage	6621	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Rohr	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-3PL	2SK3132	MOSFET (Metalloxid)		TO-3P(L)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	25		N-Kanal	500 V	50A (Ta)	10V	95 mOhm bei 25 A, 10 V	3,4 V bei 1 mA	280 nC bei 10 V	±30V	11000 pF bei 10 V	-	250 W (Tc)
2SC3325-Y,LF	0,3200	Anfrage	61	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SC3325		200 mW	S-Mini	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	500mA	100nA (ICBO)	NPN	250 mV bei 10 mA, 100 mA	120 bei 100 mA, 1 V	300 MHz
RN1901,LF(CT	0,2600	Anfrage	3	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1901		200 mW	US6	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000													50V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN – Vorgespannt (Dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	30 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	1kOhm
TPC8033-H(TE12LQM)	-	Anfrage	5341	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite)	TPC8033	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP (5,5x6,0)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	30 V	17A (Ta)		5,3 mOhm bei 8,5 A, 10 V	2,5 V bei 1 mA	42 nC bei 10 V		3713 pF bei 10 V	-	-
TTC011B,Q	0,6300	Anfrage	27	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tablett	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-225AA, TO-126-3			1,5 W	TO-126N	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	250													230 V	1 A	200nA (ICBO)	NPN	1,5 V bei 50 mA, 500 mA	100 bei 100 mA, 5 V	100 MHz
2SA1428-Y,T2F(J	-	Anfrage	9599	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	SC-71	2SA1428		900 mW	MSTM	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	1													50 V	2 A	1 µA (ICBO)	PNP	500 mV bei 50 mA, 1 A	70 bei 500 mA, 2 V	100 MHz
RN1703JE(TE85L,F)	0,4700	Anfrage	7	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SOT-553	RN1703		100 mW	ESV	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	4.000													50V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN – vorgespannt (dual) (emittergekoppelt)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	70 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	22kOhm	22kOhm
TK13A50D(STA4,Q,M)	3.0300	Anfrage	7833	Toshiba Semiconductor und Storage	π-MOSVII	Rohr	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	TK13A50	MOSFET (Metalloxid)		TO-220SIS	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	500 V	13A (Ta)	10V	400 mOhm bei 6,5 A, 10 V	4V bei 1mA	38 nC bei 10 V	±30V	1800 pF bei 25 V	-	45W (Tc)
RN2310,LF	0,1700	Anfrage	3	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	RN2310		100 mW	SC-70	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100mA	100nA (ICBO)	PNP – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	120 bei 1 mA, 5 V	200 MHz	4,7 kOhm
HN1C01FU-Y,LF	0,2600	Anfrage	39	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN1C01		200 mW	US6	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000													50V	150mA	100nA (ICBO)	2 NPN (Dual)	250 mV bei 10 mA, 100 mA	120 bei 2 mA, 6 V	80 MHz
2SA2056(TE85L,F)	0,1275	Anfrage	9013	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA2056		625 mW	TSM	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V	2 A	100nA (ICBO)	PNP	200 mV bei 33 mA, 1 A	200 bei 300 mA, 2 V	-
RN1906,LXHF(CT	0,3600	Anfrage	2	Toshiba Semiconductor und Storage	Automobil, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1906		200 mW	US6	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000													50V	100mA	500nA	2 NPN – Vorgespannt (Dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	80 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	47kOhm
RN4909,LF(CT	0,2800	Anfrage	3137	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4909		200 mW	US6	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	3.000													50V	100mA	500nA	1 NPN, 1 PNP – vorgespannt (dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	70 bei 10 mA, 5 V	200 MHz, 250 MHz	47kOhm	22kOhm
SSM3J371R,LXHF	0,4000	Anfrage	3	Toshiba Semiconductor und Storage	Automobil, AEC-Q101, U-MOSVI	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	SOT-23-3-Flachleitungen		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23F	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	20 V	4A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	55 mOhm bei 3 A, 4,5 V	1 V bei 1 mA	10,4 nC bei 4,5 V	+6V, -8V	630 pF bei 10 V	-	1W (Ta)
2SK2963(TE12L,F)	-	Anfrage	5608	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-243AA	2SK2963	MOSFET (Metalloxid)		PW-MINI	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	1.000		N-Kanal	100 V	1A (Ta)	4V, 10V	700 mOhm bei 500 mA, 10 V	2V bei 1mA	6,3 nC bei 10 V	±20V	140 pF bei 10 V	-	500 mW (Ta)
RN1318(TE85L,F)	0,2800	Anfrage	470	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	RN1318		100 mW	SC-70	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100mA	500nA	NPN – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	50 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	10 kOhm
RN4608(TE85L,F)	0,4800	Anfrage	2	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-74, SOT-457	RN4608		300 mW	SM6	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000													50V	100mA	100nA (ICBO)	1 NPN, 1 PNP – vorgespannt (dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	80 bei 10 mA, 5 V	200 MHz	22kOhm	47kOhm
2SC4116-Y,LF	0,1800	Anfrage	25	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	2SC4116		100 mW	SC-70	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V	150mA	100nA (ICBO)	NPN	250 mV bei 10 mA, 100 mA	120 bei 2 mA, 6 V	80 MHz
RN1404S,LF	-	Anfrage	8748	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1404		200 mW	S-Mini	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100mA	500nA	NPN – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	80 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	47 kOhm
RN2602(TE85L,F)	0,4700	Anfrage	3213	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-74, SOT-457	RN2602		300 mW	SM6	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000													50V	100mA	100nA (ICBO)	2 PNP – voreingestellt (Dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	50 bei 10 mA, 5 V	200 MHz	10kOhm	10kOhm
RN2311,LXHF	0,3900	Anfrage	5	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	RN2311		100 mW	SC-70	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100mA	100nA (ICBO)	PNP – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	120 bei 1 mA, 5 V	200 MHz	10 kOhm
SSM3K303T(TE85L,F)	-	Anfrage	5500	Toshiba Semiconductor und Storage	π-MOSVII	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SSM3K303	MOSFET (Metalloxid)		TSM	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal	30 V	2,9 A (Ta)	4V, 10V	83 mOhm bei 1,5 A, 10 V	2,6 V bei 1 mA	3,3 nC bei 4 V	±20V	180 pF bei 10 V	-	700 mW (Ta)
RN1303,LXHF	0,3900	Anfrage	5	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	RN1303		100 mW	SC-70	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100mA	500nA	NPN – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	70 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	22 kOhm	22 kOhm

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(2488)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²