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Transistoren (2488)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
RN4909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909, LF (CT 0,2800
RFQ
 ECAD 3137 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200 MW US6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 200 MHz, 250 MHz 47kohm 22kohm
RN4905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905FE, LF (CT 0,2700
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN4905 100 MW Es6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 2.2ko 47kohm
TTA006B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TA006B, q 0,6200
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Tablett Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 1,5 w To-126n Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TTA006BQ Ear99 8541.29.0095 250 230 V 1 a 200na (ICBO) PNP 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 70 MHz
TK13A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A50D (STA4, Q, M) 3.0300
RFQ
 ECAD 7833 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK13A50 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 13a (ta) 10V 400MOHM @ 6.5a, 10V 4v @ 1ma 38 nc @ 10 v ± 30 v 1800 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-GR, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 HN1C01 100 MW Es6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 250mv @ 10 mA, 100 mA 200 @ 2ma, 6v 80MHz
RN2706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2706, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2706 200 MW USV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 4.7kohm 47kohm
TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN13008NH, L1Q 1.0600
RFQ
 ECAD 656 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPN13008 MOSFET (Metalloxid) 8-Tson-Fortschnitt (3.1x3.1) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 80 v 18a (TC) 10V 13,3 MOHM @ 9A, 10V 4 V @ 200 µA 18 NC @ 10 V. ± 20 V 1600 PF @ 40 V - - - 700 MW (TA), 42W (TC)
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1967FE (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 7266 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN1967 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 10kohm 47kohm
RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1963 200 MW US6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 250 MHz 22kohm 22kohm
HN1B04FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-y (T5L, F, T. - - -
RFQ
 ECAD 1894 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200 MW US6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 250mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 150 MHz
TK31E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X, S1X 5.6700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv-H Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TK31E60 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 30,8a (TA) 10V 88mohm @ 9.4a, 10V 3,5 V @ 1,5 mA 65 NC @ 10 V ± 30 v 3000 PF @ 300 V - - - 230W (TC)
RN2106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106ACT (TPL3) 0,0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN2106 100 MW CST3 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 80 Ma 500NA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905, LF (CT 0,2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200 MW US6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 2.2ko 47kohm
TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W, RVQ 1.0490
RFQ
 ECAD 4795 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TK12P60 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 600 V 11,5a (ta) 10V 340MOHM @ 5.8a, 10V 3,7 V @ 600 ähm 25 NC @ 10 V ± 30 v 890 PF @ 300 V - - - 100 W (TC)
RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1502 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 RN1502 300 MW SMV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 250 MHz 10kohm 10kohm
2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1298-y, lf 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2SA1298 200 MW S-mini Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 25 v 800 mA 100NA (ICBO) PNP 400 mv @ 20 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 1V 120 MHz
RN2962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2962FE (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 8234 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN2962 100 MW Es6 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 200 MHz 10kohm 1kohm
2SA1837,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, F (j - - -
RFQ
 ECAD 8030 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SA1837 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 230 V 1 a 1 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 70 MHz
RN2903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2903FE (TE85L, F) 0,3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN2903 100 MW Es6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 200 MHz 22kohm 22kohm
TK4R1A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R1A10PL, S4X 2.0400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv 175 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TK4R1A10 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 4.1Mohm @ 40a, 10V 2,5 V @ 1ma 104 NC @ 10 V ± 20 V 6320 PF @ 50 V - - - 54W (TC)
RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM01U7P (TE12L, F) 1.2713
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 20 v Oberflächenhalterung To-243aa RFM01U7 520 MHz Mosfet PW-mini Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 1a 100 ma 1.2W 10.8db - - - 7.2 v
TK9J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E, S1E 2.7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 TK9J90 MOSFET (Metalloxid) To-3p (n) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 900 V 9a (ta) 10V 1,3OHM @ 4,5a, 10V 4 V @ 900 ähm 46 NC @ 10 V ± 30 v 2000 PF @ 25 V. - - - 250 W (TC)
TPC8035-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8035-H (TE12L, QM - - -
RFQ
 ECAD 2642 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi-h Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit) TPC8035 MOSFET (Metalloxid) 5,5x6.0) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 18a (ta) 4,5 V, 10 V. 3,2 MOHM @ 9A, 10V 2,3 V @ 1ma 82 NC @ 10 V ± 20 V 7800 PF @ 10 V. - - - 1W (TA)
RN4909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4909 (T5L, F, T) - - -
RFQ
 ECAD 3024 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 200 MHz 47kohm 22kohm
2SK2917(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2917 (f) - - -
RFQ
 ECAD 7510 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 2SK2917 MOSFET (Metalloxid) To-3p (n) ist Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 18a (ta) 10V 270 MOHM @ 10a, 10V 4v @ 1ma 80 nc @ 10 v ± 30 v 3720 PF @ 10 V. - - - 90W (TC)
GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22 (STA1, E, S) 4.7900
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Standard 230 w To-3p (n) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 264-GT50JR22 (STA1ES) Ear99 8541.29.0095 25 - - - - - - 600 V 50 a 100 a 2,2 V @ 15V, 50A - - - - - -
TPCA8036-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8036-H (TE12L, q - - -
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi-h Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPCA8036 MOSFET (Metalloxid) 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 38a (ta) 4,5 V, 10 V. 4.2mohm @ 19a, 10V 2,3 V @ 500 ähm 50 nc @ 10 v ± 20 V 4600 PF @ 10 V. - - - 1,6W (TA), 45W (TC)
2SA1930(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 (ONK, Q, M) - - -
RFQ
 ECAD 2894 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SA1930 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mA, 1a 100 @ 100 Ma, 5V 200 MHz
2SA965-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O, F (j - - -
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA965 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100NA (ICBO) PNP 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
SSM6L13TU(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L13TU (T5L, F, T) - - -
RFQ
 ECAD 3054 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Flache Leitungen SSM6L13 MOSFET (Metalloxid) 500 MW UF6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 N und p-kanal 20V 800 mA (TA) 143mohm @ 600 mA, 4V, 234mohm @ 600 mA, 4V 1v @ 1ma - - - 268pf @ 10v, 250pf @ 10v Logikpegel -Tor, 1,8 V Auftwerk
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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