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Transistoren(2488)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Widerstand - Basis (R1)	Widerstand – Emitterbasis (R2)
2SC2229-Y(MIT1,F,M	-	Anfrage	1503	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 Langkörper	2SC2229		800 mW	TO-92MOD	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	1												150 V	50mA	100nA (ICBO)	NPN	500 mV bei 1 mA, 10 mA	70 bei 10 mA, 5 V	120 MHz
2SC4881,LS1SUMIF(M	-	Anfrage	5712	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	2SC4881		2 W	TO-220NIS	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0075	1												50 V	5 A	1µA (ICBO)	NPN	400 mV bei 125 mA, 2,5 A	100 bei 1A, 1V	100 MHz
RN1906FE(T5L,F,T)	-	Anfrage	2896	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet		Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	RN1906		100 mW	ES6	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	4.000												50V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN – Vorgespannt (Dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	80 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	47kOhm
2SA1721RTE85LF	-	Anfrage	7347	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1721		150 mW	S-Mini	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000												300 V	100mA	100nA (ICBO)	PNP	500 mV bei 2 mA, 20 mA	30 bei 20 mA, 10 V	50 MHz
TPN13008NH,L1Q	1.0600	Anfrage	656	Toshiba Semiconductor und Speicher	U-MOSVIII-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPN13008	MOSFET (Metalloxid)		8-TSON Advance (3,1x3,1)	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	5.000	N-Kanal	80 V	18A (Tc)	10V	13,3 mOhm bei 9 A, 10 V	4 V bei 200 µA	18 nC bei 10 V	±20V	1600 pF bei 40 V	-	700 mW (Ta), 42 W (Tc)
2SB1457,T6TOTOF(J	-	Anfrage	2446	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 Langkörper	2SB1457		900 mW	TO-92MOD	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	1												100 V	2 A	10 µA (ICBO)	PNP	1,5 V bei 1 mA, 1 A	2000 bei 1A, 2V	50 MHz
RN2415(TE85L,F)	0,2800	Anfrage	2	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2415		200 mW	S-Mini	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	100mA	500nA	PNP – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	50 bei 10 mA, 5 V	200 MHz	2,2 kOhm	10 kOhm
TK20N60W5,S1VF	3.9200	Anfrage	4257	Toshiba Semiconductor und Speicher	DTMOSIV	Rohr	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	TK20N60	MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	30	N-Kanal	600 V	20A (Ta)	10V	175 mOhm bei 10 A, 10 V	4,5 V bei 1 mA	55 nC bei 10 V	±30V	1800 pF bei 300 V	-	165 W (Tc)
2SA1020A,T6CSF(J	-	Anfrage	4521	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 Langkörper	2SA1020		900 mW	TO-92MOD	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	1												50 V	2 A	1µA (ICBO)	PNP	500 mV bei 50 mA, 1A	70 bei 500 mA, 2 V	100 MHz
RN2968FE(TE85L,F)	-	Anfrage	8211	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet		Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	RN2968		100 mW	ES6	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	4.000												50V	100mA	100nA (ICBO)	2 PNP – voreingestellt (Dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	80 bei 10 mA, 5 V	200 MHz	22kOhm	47kOhm
XPN9R614MC,L1XHQ	1.4000	Anfrage	13	Toshiba Semiconductor und Speicher	Automobil, AEC-Q101, U-MOSVI	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	XPN9R614	MOSFET (Metalloxid)		8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	5.000	P-Kanal	40 V	40A (Ta)	4,5 V, 10 V	9,6 mOhm bei 20 A, 10 V	2,1 V bei 500 µA	64 nC bei 10 V	+10V, -20V	3000 pF bei 10 V	-	840 mW (Ta), 100 W (Tc)
RN2910FE,LF(CT	0,2600	Anfrage	4	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	RN2910		100 mW	ES6	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	4.000												50V	100mA	100nA (ICBO)	2 PNP – voreingestellt (Dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	120 bei 1 mA, 5 V	200 MHz	4,7 kOhm	-
TPH1R005PL,L1Q	2.0000	Anfrage	6103	Toshiba Semiconductor und Speicher	U-MOSIX-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPH1R005	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP-Vorschuss (5x5)	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	5.000	N-Kanal	45 V	150A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,04 mOhm bei 50 A, 10 V	2,4 V bei 1 mA	99 nC bei 10 V	±20V	9600 pF bei 22,5 V	-	960 mW (Ta), 170 W (Tc)
RN1412TE85LF	0,3000	Anfrage	1	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1412		200 mW	S-Mini	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	100mA	100nA (ICBO)	NPN – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	120 bei 1 mA, 5 V	250 MHz	22 kOhm
T2N7002AK,LM	0,1500	Anfrage	29	Toshiba Semiconductor und Speicher	U-MOSVII-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	T2N7002	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000	N-Kanal	60 V	200mA (Ta)	4,5 V, 10 V	3,9 Ohm bei 100 mA, 10 V	2,1 V bei 250 µA	0,35 nC bei 4,5 V	±20V	17 pF bei 10 V	-	320 mW (Ta)
RN2906FE(TE85L,F)	0,3400	Anfrage	4	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	RN2906		100 mW	ES6	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	4.000												50V	100mA	100nA (ICBO)	2 PNP – voreingestellt (Dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	80 bei 10 mA, 5 V	200 MHz	4,7 kOhm	47kOhm
RN1111ACT(TPL3)	-	Anfrage	3758	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-101, SOT-883	RN1111		100 mW	CST3	-	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	10.000												50 V	80mA	100nA (ICBO)	NPN – Voreingestellt	150 mV bei 250 µA, 5 mA	120 bei 1 mA, 5 V		10 kOhm
2SA1869-Y(JKT,Q,M)	-	Anfrage	5990	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	2SA1869		10 W	TO-220NIS	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0075	1												50 V	3 A	1µA (ICBO)	PNP	600 mV bei 200 mA, 2 A	70 bei 500 mA, 2 V	100 MHz
RN2703JE(TE85L,F)	0,4700	Anfrage	31	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SOT-553	RN2703		100 mW	ESV	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	4.000												50V	100mA	100nA (ICBO)	2 PNP – vorgespannt (dual) (emittergekoppelt)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	70 bei 10 mA, 5 V	200 MHz	22kOhm	22kOhm
2SC2235-Y,F(J	-	Anfrage	8296	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 Langkörper	2SC2235		900 mW	TO-92MOD	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	1												120 V	800 mA	100nA (ICBO)	NPN	1 V bei 50 mA, 500 mA	80 bei 100 mA, 5 V	120 MHz
2SC4944-Y(TE85L,F)	0,3500	Anfrage	557	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	2SC4944		200 mW	USV	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000												50V	150mA	100nA (ICBO)	2 NPN (Dual) Matched Pair, gemeinsamer Emitter	250 mV bei 10 mA, 100 mA	120 bei 2 mA, 6 V	80 MHz
RN2416,LF	0,1800	Anfrage	3	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2416		200 mW	S-Mini	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	100mA	500nA	PNP – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	50 bei 10 mA, 5 V	200 MHz	4,7 kOhm	10 kOhm
RN4908FE,LXHF(CT	0,3800	Anfrage	8	Toshiba Semiconductor und Speicher	Automobil, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	RN4908		100 mW	ES6	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	4.000												50V	100mA	500nA	1 NPN, 1 PNP – vorgespannt (dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	80 bei 10 mA, 5 V	200 MHz, 250 MHz	22kOhm	47kOhm
SSM3J328R,LF	0,4100	Anfrage	1	Toshiba Semiconductor und Speicher	U-MOSVI	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-3-Flachleitungen	SSM3J328	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23F	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	3.000	P-Kanal	20 V	6A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	29,8 mOhm bei 3 A, 4,5 V	1 V bei 1 mA	12,8 nC bei 4,5 V	±8V	840 pF bei 10 V	-	1W (Ta)
SSM3J134TU,LF	0,4100	Anfrage	2	Toshiba Semiconductor und Speicher	U-MOSVI	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	3-SMD, flache Anschlüsse	SSM3J134	MOSFET (Metalloxid)		UFM	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000	P-Kanal	20 V	3,2A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	93 mOhm bei 1,5 A, 4,5 V	1 V bei 1 mA	4,7 nC bei 4,5 V	±8V	290 pF bei 10 V	-	500 mW (Ta)
SSM3K15ACT,L3F	0,3400	Anfrage	32	Toshiba Semiconductor und Speicher	U-MOSIII	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-101, SOT-883	SSM3K15	MOSFET (Metalloxid)		CST3	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	10.000	N-Kanal	30 V	100mA (Ta)	2,5 V, 4 V	3,6 Ohm bei 10 mA, 4 V	1,5 V bei 100 µA		±20V	13,5 pF bei 3 V	-	100 mW (Ta)
RN2108(T5L,F,T)	0,2800	Anfrage	2	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-75, SOT-416	RN2108		100 mW	SSM	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	100mA	500nA	PNP – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	80 bei 10 mA, 5 V	200 MHz	22 kOhm	47 kOhm
RN1102MFV,L3F	0,2400	Anfrage	30	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SOT-723	RN1102		150 mW	VESM	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	8.000												50 V	100mA	500nA	NPN – Voreingestellt	300 mV bei 500 µA, 5 mA	50 bei 10 mA, 5 V		10 kOhm	10 kOhm
2SA965-O,F(J	-	Anfrage	9399	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 Langkörper	2SA965		900 mW	TO-92MOD	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0075	1												120 V	800 mA	100nA (ICBO)	PNP	1 V bei 50 mA, 500 mA	80 bei 100 mA, 5 V	120 MHz
2SK2962(T6CANO,F,M	-	Anfrage	2604	Toshiba Semiconductor und Speicher	-	Schüttgut	Veraltet		Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 Langkörper	2SK2962			TO-92MOD	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	1			1A (Tj)

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(2488)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²