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Transistoren (2488)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
2SA1315-Y,T6ASNF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-y, T6ASNF (j - - -
RFQ
 ECAD 7868 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA1315 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 1 80 v 2 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 80MHz
TK7E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W, S1X 2.8500
RFQ
 ECAD 8245 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Rohr Aktiv 150 ° C. K. Loch To-220-3 Tk7e80 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 6,5a (ta) 10V 950mohm @ 3.3a, 10 V. 4 V @ 280 µA 13 NC @ 10 V ± 20 V 700 PF @ 300 V - - - 110W (TC)
SSM3K15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15F, LF 0,2300
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosiv Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SSM3K15 MOSFET (Metalloxid) S-mini Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 100 mA (ta) 2,5 V, 4 V. 4OHM @ 10ma, 4V 1,5 V @ 100 µA ± 20 V 7.8 PF @ 3 V. - - - 200 MW (TA)
RN1409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409, LF 0,1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN1409 200 MW S-mini Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2311 (TE85L, F) 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN2311 100 MW SC-70 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 200 MHz 10 Kohms
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1970 200 MW US6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 250 MHz 4.7kohm - - -
TTC5460B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC5460B, Q ​​(s - - -
RFQ
 ECAD 9144 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Aktiv TTC5460 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 250
RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 (T5L, F, T) - - -
RFQ
 ECAD 6086 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200 MW US6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100 µA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz, 200 MHz 22kohm 47kohm
RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307 (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 3221 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN2307 100 MW SC-70 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN1108 100 MW SSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
RN2308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2308, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN2308 100 MW SC-70 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1701JE (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-553 RN1701 100 MW ESV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voreingensmen (Dual) (Emitter Gekoppelt) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7kohm 4.7kohm
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN1101 100 MW SSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907, LF (CT 0,2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2907 200 MW US6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 10kohm 47kohm
2SC2229-Y(T6MIT1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y (T6mit1fm - - -
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC2229 800 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) 2SC2229YT6MIT1FM Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 ma 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 1ma, 10 mA 70 @ 10ma, 5V 120 MHz
2SB1375,CLARIONF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1375, Clarionf (m - - -
RFQ
 ECAD 5769 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SB1375 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 60 v 3 a 10 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 200 Ma, 2a 100 @ 500 mA, 5V 9MHz
2SB1495,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495, Q (j - - -
RFQ
 ECAD 9035 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SB1495 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 1,5 Ma, 1,5a 2000 @ 2a, 2v - - -
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711 (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2711 200 MW 5-SSOP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) (Emitter Gekoppelt) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 400 @ 1ma, 5v 200 MHz 10kohm - - -
RN2704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2704JE (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-553 RN2704 100 MW ESV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) (Emitter Gekoppelt) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 47kohm 47kohm
RN2410,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410, lf 0,1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN2410 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 200 MHz 4.7 Kohms
RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102MFV, L3XHF (CT 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-723 RN2102 150 MW VESM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1705JE (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 769 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-553 RN1705 100 MW ESV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voreingensmen (Dual) (Emitter Gekoppelt) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 2.2ko 47kohm
RN4989FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN4989 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 250 MHz, 200 MHz 47kohm 22kohm
RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714, LF - - -
RFQ
 ECAD 5528 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2714 200 MW USV Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v - - - 1kohm 10kohm
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909, LXHF (CT 0,3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 250 MHz 47kohm 22kohm
TK10A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W, S4VX 2.7800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK10A60 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 9.7a (ta) 10V 380MOHM @ 4,9a, 10V 3,7 V @ 500 ähm 20 nc @ 10 v ± 30 v 700 PF @ 300 V - - - 30W (TC)
RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 (T5L, F, T) 0,1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100 µA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz, 200 MHz 47kohm 47kohm
2SD2695,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6F (j - - -
RFQ
 ECAD 2957 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SD2695 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 60 v 2 a 10 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 100 MHz
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN1101 100 MW SSM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1973 (TE85L, F) 0,0753
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1973 200 MW US6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V - - - 47kohm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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