SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404TE85LF - - -
RFQ
ECAD 6084 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S-mini Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
TPC8228-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8228-H, LQ - - -
RFQ
ECAD 6012 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi-h Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) TPC8228 MOSFET (Metalloxid) 1,5 W (TA) 8-Sop Herunterladen 264-TPC8228-HLQTR Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 60 v 3.8a 57mohm @ 1,9a, 10V 2,3 V @ 100 µA 11nc @ 10v 640PF @ 10V - - -
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL (TE85L, F) 0,5900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 2SK880 100 MW SC-70 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 13pf @ 10v 50 v 6 ma @ 10 v 1,5 V @ 100 na
TK11A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A45d (STA4, Q, M) 1.8600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK11A45 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 450 V 11a (ta) 10V 620mohm @ 5.5a, 10V 4v @ 1ma 20 nc @ 10 v ± 30 v 1050 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
2SA1832-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-y, LXHF 0,3900
RFQ
ECAD 690 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 120 MW SSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE (TE85L, F) 0,4400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 SSM6P35 MOSFET (Metalloxid) 150 MW Es6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 2 p-kanal (dual) 20V 100 ma 8OHM @ 50 Ma, 4V 1v @ 1ma - - - 12.2PF @ 3v Logikpegel -tor
RN2905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN2905 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 2.2ko 47kohm
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV, L3F 0,2300
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-723 SSM3J35 MOSFET (Metalloxid) VESM Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 8.000 P-Kanal 20 v 100 mA (ta) 8OHM @ 50 Ma, 4V - - - 12.2 PF @ 3 V. - - - 150 MW (TA)
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL (TE85L, f 0,6800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 2SK2145 300 MW SMV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 13pf @ 10v 6 ma @ 10 v 200 MV @ 100 NA
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB, L1XHQ 1.8400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,197 ", 5,00 mm Breit) XPH6R30 MOSFET (Metalloxid) 8-fuß-äharsch (5x5) - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 100 v 45a (ta) 6 V, 10V 6,3 MOHM @ 22,5A, 10V 3,5 V @ 500 ähm 52 NC @ 10 V ± 20 V 3240 PF @ 10 V - - - 960 MW (TA), 132W (TC)
SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L14FE (TE85L, F) 0,4300
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 SSM6L14 MOSFET (Metalloxid) 150 MW (TA) Es6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 N und p-kanal 20V 800 Ma (TA), 720 Ma (TA) 240 MOHM @ 500 Ma, 4,5 V, 300 MOHM @ 400 mA, 4,5 V. 1v @ 1ma 2nc @ 4,5V, 1,76nc @ 4,5 V. 90pf @ 10v, 110pf @ 10v Logikpegel -Tor, 1,5 V Aufsatz
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5096-R, LF - - -
RFQ
ECAD 8066 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 2SC5096 100 MW SSM - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 1,4 dB 10V 15 Ma Npn 50 @ 7ma, 6v 10GHz 1,4 dB @ 1 GHz
RN1116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116, LXHF (CT 0,3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN1116 100 MW SSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVATPL3Z 0,2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 2SA1955 100 MW CST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 8.000 12 v 400 ma 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 200 mA 300 @ 10ma, 2v 130 MHz
SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FE, LM 0,4300
RFQ
ECAD 111 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 SSM6N44 MOSFET (Metalloxid) 150 MW Es6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 2 n-kanal (dual) 30V 100 ma 4OHM @ 10ma, 4V 1,5 V @ 100 µA - - - 8.5PF @ 3v Logikpegel -tor
TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y, RQ 1.7400
RFQ
ECAD 1946 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosv Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TK290p60 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 600 V 11,5a (TC) 10V 290MOHM @ 5.8a, 10V 4v @ 450 ähm 25 NC @ 10 V ± 30 v 730 PF @ 300 V - - - 100 W (TC)
SSM3K7002KF,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF, LXHF 0,4000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 400 mA (TA) 4,5 V, 10 V. 1,5OHM @ 100 mA, 10V 2,1 V @ 250 ähm 0,6 NC @ 4,5 V. ± 20 V 40 PF @ 10 V - - - 270 MW (TA)
2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3320-BL (TE85L, f 0,7500
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SK3320 200 MW USV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 13pf @ 10v 6 ma @ 10 v 200 MV @ 100 NA
2SA2059(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2059 (TE12L, F) 0,6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 1 w PW-mini Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1.000 20 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 190mv @ 53 Ma, 1,6a 200 @ 500 Ma, 2V - - -
RN1966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1966FE (TE85L, F) 0,3800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN1966 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7kohm 47kohm
TK39N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60X, S1F 7.2100
RFQ
ECAD 2761 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv-H Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 TK39N60 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 38,8a (TA) 10V 65mohm @ 12.5a, 10V 3,5 V @ 1,9 Ma 85 NC @ 10 V ± 30 v 4100 PF @ 300 V - - - 270W (TC)
TK14A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A55d (STA4, Q, M) 3.1600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK14A55 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 550 V 14a (ta) 10V 370Mohm @ 7a, 10V 4v @ 1ma 40 nc @ 10 v ± 30 v 2300 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1, S1X 1.9900
RFQ
ECAD 3520 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Tk40e10 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 90a (TC) 10V 8.2mohm @ 20a, 10V 4 V @ 500 ähm 49 NC @ 10 V. ± 20 V 3000 PF @ 50 V - - - 126W (TC)
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (m - - -
RFQ
ECAD 9650 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SC4793 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 230 V 1 a 1 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 100 MHz
SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT, L3F 0,3100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 MOSFET (Metalloxid) CST3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 P-Kanal 30 v 100 mA (ta) 2,5 V, 4 V. 12ohm @ 10 ma, 4V 1,7 V @ 100 µA ± 20 V 9.1 PF @ 3 V. - - - 100 MW (TA)
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P65y, RQ 1.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosv Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TK380P65 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 650 V 9.7a (TC) 10V 380MOHM @ 4,9a, 10V 4V @ 360 ähm 20 nc @ 10 v ± 30 v 590 PF @ 300 V - - - 80W (TC)
2SC3668-Y,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-y, T2F (m - - -
RFQ
ECAD 8734 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch SC-71 2SC3668 1 w MSTM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1 µA (ICBO) Npn 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
RN2106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV, L3XHF (CT 0,3400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-723 RN2106 150 MW VESM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1704, LF 0,3000
RFQ
ECAD 210 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1704 200 MW USV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 47kohm 47kohm
2SA1943-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O (S1, f 2.9200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-3pl 150 w To-3p (l) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 25 230 V 15 a 5 µA (ICBO) PNP 3v @ 800 mA, 8a 80 @ 1a, 5V 30 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus