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Transistoren (2488)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
RN2970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2970FE (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 8747 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN2970 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 200 MHz 4.7kohm 10kohm
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5, LQ 5.0300
RFQ
 ECAD 8257 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung 4-VSFN-Exponiertebad MOSFET (Metalloxid) 4-DFN-EP (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 25a (ta) 10V 150 MOHM @ 7,5a, 10V 4,5 V @ 1,2 mA 60 nc @ 10 v ± 30 v 2400 PF @ 300 V - - - 180W (TC)
TPCC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8065-H, LQ (s - - -
RFQ
 ECAD 2198 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvii-H Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPCC8065 MOSFET (Metalloxid) 8-Tson-Fortschnitt (3.1x3.1) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 13a (ta) 4,5 V, 10 V. 11.4mohm @ 6.5a, 10V 2,3 V @ 200 ähm 20 nc @ 10 v ± 20 V 1350 PF @ 10 V - - - 700 MW (TA), 18W (TC)
TK12A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A45d (STA4, Q, M) 2.2300
RFQ
 ECAD 1473 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK12A45 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 450 V 12a (ta) 10V 520Mohm @ 6a, 10V 4v @ 1ma 24 nc @ 10 v ± 30 v 1200 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
2SJ360(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 (TE12L, F) - - -
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2SJ360 MOSFET (Metalloxid) PW-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 1.000 P-Kanal 60 v 1a (ta) 4 V, 10V 730mohm @ 500 mA, 10V 2V @ 1ma 6,5 NC @ 10 V. ± 20 V 155 PF @ 10 V. - - - 500 MW (TA)
2SC5171,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171, Matudq (j - - -
RFQ
 ECAD 1872 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SC5171 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5 µA (ICBO) Npn 1v @ 100 mA, 1a 100 @ 100 Ma, 5V 200 MHz
RN2406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406, LXHF 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN2406 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
TK12Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12Q60W, S1VQ 2.0600
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak TK12Q60 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) TK12Q60WS1VQ Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 600 V 11,5a (ta) 10V 340MOHM @ 5.8a, 10V 3,7 V @ 600 ähm 25 NC @ 10 V ± 30 v 890 PF @ 300 V - - - 100 W (TC)
2SA1020-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y, HOF (m - - -
RFQ
 ECAD 4288 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA1020 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
RN2905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN2905 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 2.2ko 47kohm
2SK3670,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670, F (j - - -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SK3670 To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 1 670 Ma (TJ)
TK380A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK380A65Y, S4X 1.8300
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv 150 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TK380A65 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 9.7a (TC) 10V 380MOHM @ 4,9a, 10V 4V @ 360 ähm 20 nc @ 10 v ± 30 v 590 PF @ 300 V - - - 30W (TC)
TK60P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1, RQ (s - - -
RFQ
 ECAD 6408 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi-h Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TK60P03 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 60a (ta) 4,5 V, 10 V. 6.4mohm @ 30a, 10V 2,3 V @ 500 ähm 40 nc @ 10 v ± 20 V 2700 PF @ 10 V - - - 63W (TC)
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE (TE85L, F) 0,4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 SSM6P35 MOSFET (Metalloxid) 150 MW Es6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 2 p-kanal (dual) 20V 100 ma 8OHM @ 50 Ma, 4V 1v @ 1ma - - - 12.2PF @ 3v Logikpegel -tor
TK15A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A50D (STA4, Q, M) 3.2300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK15A50 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 15a (ta) 10V 300MOHM @ 7.5A, 10V 4v @ 1ma 40 nc @ 10 v ± 30 v 2300 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
TDTC143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC143Z, LM 0,1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 TDTC143 320 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
TK8A10K3,S5Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8A10K3, S5q - - -
RFQ
 ECAD 5357 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosiv Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Tk8a10 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 8a (ta) 10V 120 MOHM @ 4A, 10V 4v @ 1ma 12.9 NC @ 10 V. ± 20 V 530 PF @ 10 V. - - - 18W (TC)
2SB1495,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495, Q (j - - -
RFQ
 ECAD 9035 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SB1495 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 1,5 Ma, 1,5a 2000 @ 2a, 2v - - -
RN2301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN2301 100 MW SC-70 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK125v65z, LQ 4.9000
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung 4-VSFN-Exponiertebad TK125v65 MOSFET (Metalloxid) 4-DFN-EP (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 650 V 24a (ta) 10V 125mohm @ 12a, 10V 4V @ 1,02 mA 40 nc @ 10 v ± 30 v 2250 PF @ 300 V - - - 190W (TC)
TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK16N60W, S1VF 4.1900
RFQ
 ECAD 7281 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 TK16N60 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 15,8a (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10V 3,7 V @ 790 ähm 38 nc @ 10 v ± 30 v 1350 PF @ 300 V - - - 130W (TC)
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1, RQ (s - - -
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi-h Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TK20P04 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 40 v 20a (ta) 4,5 V, 10 V. 29mohm @ 10a, 10V 2,3 V @ 100 µA 15 NC @ 10 V ± 20 V 985 PF @ 10 V - - - 27W (TC)
RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN4986 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz, 200 MHz 4.7kohm 47kohm
2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-O, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 70 @ 2ma, 6v 80MHz
TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E06N1, S1X 1.0400
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TK40E06 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 40a (ta) 10V 10.4mohm @ 20a, 10V 4V @ 300 ähm 23 NC @ 10 V ± 20 V 1700 PF @ 30 V - - - 67W (TC)
SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J409TU (TE85L, f - - -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosv Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Flache Leitungen SSM6J409 MOSFET (Metalloxid) UF6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 9,5a (TA) 1,5 V, 4,5 V. 22.1mohm @ 3a, 4,5 V. 1v @ 1ma 15 NC @ 4,5 V ± 8 v 1100 PF @ 10 V - - - 1W (TA)
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH, L1Q 1.8400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPH1110 MOSFET (Metalloxid) 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 250 V 10a (ta) 10V 112mohm @ 5a, 10V 4V @ 300 ähm 11 NC @ 10 V ± 20 V 1100 PF @ 100 V - - - 1,6W (TA), 57W (TC)
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN1409 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16FU (TE85L, F) 0,3700
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MOSFET (Metalloxid) USM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 100 mA (ta) 1,5 V, 4V 8ohm @ 10 ma, 4V 1,1 V @ 100 µA ± 10 V 11 PF @ 3 V - - - 150 MW (TA)
SSM3K16FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FS, LF 0,2300
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 MOSFET (Metalloxid) SSM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 100 mA (ta) 1,5 V, 4V 3OHM @ 10MA, 4V 1,1 V @ 100 µA ± 10 V 9.3 PF @ 3 V. - - - 100 MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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